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    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips
    31.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102016103346B4

    公开(公告)日：2025-04-30

    申请号：DE102016103346

    申请日：2016-02-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  LEHNHARDT THOMAS ,  OFF JUERGEN ,  LAHOURCADE LISE ,  DRECHSEL PHILIPP

    IPC: H10H20/816 ,  H10H20/819

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schritten:- Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1),- epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird,- epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt,- epitaktisches Aufwachsen einer weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) fortsetzt und wobei die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) aus alternierend angeordneten AlGaN-Schichten (10) und InGaN-Schichten (11) oder aus alternierend angeordneten InGaN-Schichten und GaN-Schichten gebildet ist und wobei der Aluminiumgehalt und/oder Indiumgehalt der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9), die auf Facetten (8) der V-Pits (4) aufgebracht wird, gegenüber dem Aluminiumgehalt und/oder dem Indiumgehalt der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9), die auf einer Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) aufgebracht wird, erniedrigt ist,- selektives Entfernen der weiteren elektronenblockierenden Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4) durch Ätzen im Epitaxiereaktor in situ, wobei die weitere elektronenblockierende Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und- epitaktisches Aufwachsen einer p-dotierten Halbleiterschicht (15), die die V-Pits (4) vollständig oder teilweise ausfüllt.

    Kantenemittierender Halbleiterlaser
    33.
    发明专利
    Kantenemittierender Halbleiterlaser 未知

    公开(公告)号：DE102018129051A1

    公开(公告)日：2020-05-20

    申请号：DE102018129051

    申请日：2018-11-19

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： WAGNER JAN ,  BERGBAUER WERNER ,  EICHLER CHRISTOPH ,  LELL ALFRED ,  BRÜDERL GEORG ,  PETER MATTHIAS

    IPC: H01S5/20 ,  H01S5/40

    Abstract: Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser (100) angegeben, mit einer Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Nitridverbindungshalbleitermaterial basiert, umfassend einen Wellenleiterbereich (3), der eine zwischen einer ersten Wellenleiterschicht (3A) und einer zweiten Wellenleiterschicht (3B) angeordnete aktive Schicht (4) aufweist, wobei- die Halbleiterschichtenfolge (10) ein außerhalb des Wellenleiterbereichs (3) angeordnetes Schichtsystem (20) zur Verminderung von Facettenstörungen in dem Wellenleiterbereich (3) aufweist,- das Schichtsystem (20) eine oder mehrere Schichten (21, 22) mit der Materialzusammensetzung AlInGaN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y

    Halbleiterschichtenfolge
    34.
    发明专利
    Halbleiterschichtenfolge 未知

    公开(公告)号：DE102016117477A1

    公开(公告)日：2018-03-22

    申请号：DE102016117477

    申请日：2016-09-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： BERGBAUER WERNER ,  HERTKORN JOACHIM

    IPC: H01L33/04 ,  H01L33/30 ,  H01S5/00

    Abstract: In einer Ausführungsform basiert die Halbleiterschichtenfolge (2) auf AlInGaN und ist für einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) vorgesehen und weist die folgenden Schichten in der angegebenen Reihenfolge auf, von einer n-leitenden n-Seite (20) her gesehen: – eine Vorbarriereschicht (21) aus AlGaN, – einen Vorquantentopf (23) aus InGaN mit einer ersten Bandlücke, der nicht zur Strahlungserzeugung eingerichtet ist, – eine Multiquantentopfstruktur (3) mit mehreren sich abwechselnden Hauptquantentöpfen (32) aus InGaN mit einer zweiten Bandlücke und Hauptbarriereschichten (31) aus AlGaN oder AlInGaN, wobei die zweite Bandlücke größer als die erste Bandlücke ist und die Hauptquantentöpfe (32) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität zwischen einschließlich 365 nm und 490 nm eingerichtet sind, und – eine Elektronenblockierschicht (29) aus AlGaN, wobei ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Vorbarriereschicht (21) um mindestens einen Faktor 1,3 größer ist als ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Hauptbarriereschichten (31).

    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement
    36.
    发明专利
    Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102015107580A1

    公开(公告)日：2016-11-17

    申请号：DE102015107580

    申请日：2015-05-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： STOLL ION ,  LUGAUER HANS-JÜRGEN ,  BERGBAUER WERNER ,  SCHULTEN DOMINIK ,  KUNZ THORSTEN ,  HUCKENBECK BARBARA ,  STÖPPELKAMP VERA ,  LANGE STEFAN

    IPC: H01L33/50 ,  C04B35/00 ,  C09K11/08 ,  F21K2/00 ,  F21V9/16

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angegeben, umfassend einen Halbleiterchip, der eine Primärstrahlung im UV-Bereich emittiert und ein Konversionselement umfassend – einen Leuchtstoff der Formel (M1-xEux)10(PO4)6(Cl, F)2, wobei M = Sr oder M = Sr und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Ba umfasst und x = 0,01–0,12 oder einen Leuchtstoff der Formel M1-yEuyMgAl10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst und y = 0,01–0,9, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine erste Sekundärstrahlung im blauen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel M1-pEup(Mg1-zMnz)Al10O17, wobei M = Ba oder M = Ba und ein oder mehrere Elemente, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Mg, Ca und Sr umfasst mit p = 0,01–0,7 und z = 0,05–0,5, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine zweite Sekundärstrahlung im grünen Bereich konvertiert, – einen Leuchtstoff der Formel Mg4Ge1-qMnq(O, F)6 mit q = 0,001–0,06, der die von dem Halbleiterchip emittierte Primärstrahlung teilweise in eine dritte Sekundärstrahlung im roten Bereich konvertiert.

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