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    MICROSCOPIC SCALE FORMING METHOD BY SELECTIVE ETCHING OF A DOPED SUBSTRATE
    32.
    发明申请
    MICROSCOPIC SCALE FORMING METHOD BY SELECTIVE ETCHING OF A DOPED SUBSTRATE 审中-公开
    通过选择性蚀刻掺杂衬底的显微成像方法

    公开(公告)号：WO0132554A3

    公开(公告)日：2001-11-01

    申请号：PCT/US0041815

    申请日：2000-11-02

    Applicant: STANDARD MEMS INC

    Inventor： FRICANO GLENN J ,  LIZZA MARK ,  PUMO THOMAS A ,  TRIMMER WILLIAM S

    IPC: B81B1/00 ,  B81C1/00

    CPC classification number: B81C1/00119 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0353 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0173

    Abstract: A method for forming microscopic scale structures by selective etching of a doped substrate is disclosed. A substrate is prepared for etching by forming relatively deep doped substrate regions with substantially faster dissolution rates in selected etchants than the surrounding pure substrate. The doped regions are defined by depositing the dopants on the substrate using a lithographic process. Doped regions with high aspect ratios are produced by thermomigrating the deposited metal into the substrate. The substrate is then etched in an etchant that selectively removes the doped regions, while leaving the surrounding pure substrate essentially unetched. Thus, the doped region can be used to define a high aspect ratio feature, such as a microtubulc or micro-channel. Additionally, methods for forming more complex structures by depositing a variety of different dopants in a pattern on a substrate are disclosed. Combinations of the foregoing selective doping methods with a mask-and-etch process are further disclosed, useful for making structures such as a microscopic needle having a central microtubule for injecting fluids.

    Abstract translation: 公开了一种通过选择性蚀刻掺杂衬底形成微观尺度结构的方法。 通过在选择的蚀刻剂中形成比周围的纯基底具有明显更快的溶解速率的相对深的掺杂基底区域来准备用于蚀刻的基底以进行蚀刻。 通过使用光刻工艺将掺杂剂沉积在衬底上来限定掺杂区域。 具有高纵横比的掺杂区域通过将沉积的金属热沉积到衬底中而产生。 然后在选择性去除掺杂区域的蚀刻剂中蚀刻衬底，同时使周围的纯衬底基本上未被蚀刻。 因此，掺杂区域可以用于定义高纵横比特征，例如微管或微通道。 另外，公开了通过在衬底上以图案沉积多种不同掺杂剂来形成更复杂结构的方法。 进一步公开了前述选择性掺杂方法与掩模 - 蚀刻工艺的组合，其可用于制造诸如具有用于注射流体的中央微管的微观针的结构。

    Manufacturing method of oscillatory transducer
    34.
    发明专利
    Manufacturing method of oscillatory transducer 有权
    振荡传感器的制造方法

    公开(公告)号：JP2013117419A

    公开(公告)日：2013-06-13

    申请号：JP2011264543

    申请日：2011-12-02

    Applicant: Yokogawa Electric Corp ,  横河電機株式会社

    Inventor： NODA RYUICHIRO ,  YOSHIDA TAKASHI

    IPC: G01L9/00 ,  H01L29/84

    CPC classification number: H04R31/00 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00666 ,  B81C2201/0164 ,  B81C2201/0173 ,  H03H3/0072 ,  Y10T29/49005

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To form an oscillation beam having high tension for a thick oscillation beam.SOLUTION: A manufacturing method of an oscillatory transducer includes a counter clearance forming step (1) for forming a counter clearance through etching in a silicon layer on one side of an SOI substrate, an impurity diffusion source layer forming step (2) of forming an impurity diffusion source layer which imparts stress of tension to an oscillation beam on the one side of the SOI substrate and a surface of the counter clearance, an impurity diffusion layer forming step (3) of forming an impurity diffusion layer by diffusing impurities of the impurity diffusion source layer over a silicon layer on the one side through heat treatment, and an oscillation beam etching forming step (4) of forming the oscillation beam by performing etching on the impurity diffusion source layer and a silicon oxide of the SOI substrate in the same process or performing etching on the impurity diffusion source layer and the silicon oxide of the SOI substrate successively in other processes.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了形成用于厚振荡光束的高张力的振荡光束。 解决方案：振荡换能器的制造方法包括：反间隙形成步骤（1），用于通过在SOI衬底的一侧上的硅层中蚀刻形成反间隙，杂质扩散源层形成步骤（2） 形成杂质扩散源层，其向SOI衬底的一侧上的振荡光束和反间隙的表面施加张力的应力;杂质扩散层形成步骤（3），通过扩散杂质形成杂质扩散层 通过热处理在一侧的硅层上形成杂质扩散源层，以及通过对杂质扩散源层进行蚀刻和SOI衬底的氧化硅形成振荡光束的振荡光束蚀刻形成步骤（4） 在相同的工艺中或在其它工艺中连续地对SOI衬底的杂质扩散源层和氧化硅进行蚀刻。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

    產生空間圖樣化構件之方法
    37.
    发明专利
    產生空間圖樣化構件之方法 失效
    产生空间图样化构件之方法

    公开(公告)号：TW393735B

    公开(公告)日：2000-06-11

    申请号：TW087102543

    申请日：1998-02-23

    Applicant: 麥克那英特曼特有限公司

    Inventor： 剛特.伊格爾 ,  馬丁.麥爾

    IPC: H01L

    CPC classification number: B81C1/00666 ,  B81B2203/0136 ,  B81C2201/0136 ,  B81C2201/0173

    Abstract: 一種由一本體（１）產生空間圖樣化構件（１０）之方法，在本體（１）背面設具有孔（９）之阻礙層（８）以阻礙本體材料之移除，且澱積可移植材料區（５）。本體（１）受到熱移植處理以形成移植區（７）。之後，在單一材料移除步驟下，構件（１０）由本體（１）分開，移植區（７）露出。

    Abstract in simplified Chinese: 一种由一本体（１）产生空间图样化构件（１０）之方法，在本体（１）背面设具有孔（９）之阻碍层（８）以阻碍本体材料之移除，且淀积可移植材料区（５）。本体（１）受到热移植处理以形成移植区（７）。之后，在单一材料移除步骤下，构件（１０）由本体（１）分开，移植区（７）露出。

    靜電驅動型MEMS元件及其製造方法、光學MEMS元件、光調制元件、GLV裝置、及雷射顯示器
    38.
    发明专利
    靜電驅動型MEMS元件及其製造方法、光學MEMS元件、光調制元件、GLV裝置、及雷射顯示器 失效
    静电驱动型MEMS组件及其制造方法、光学MEMS组件、光调制组件、GLV设备、及激光显示器

    公开(公告)号：TWI232320B

    公开(公告)日：2005-05-11

    申请号：TW091136102

    申请日：2002-12-13

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 池田 浩一 KOICHI IKEDA

    IPC: G02B

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0173 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/0841

    Abstract: 本發明之課題係謀求靜電驅動型MEMS元件之驅動側電極表面之平坦化。其解決手段係包含：基板側電極33；及樑35，其係與基板側電極33對向配置，具有驅動側電極38，該驅動側電極係藉由與該基板側電極33間作用之靜電吸力或靜電斥力而驅動者；其中基板側電極33係以半導體基板32內之導入有雜質之導電性半導體區域形成。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系谋求静电驱动型MEMS组件之驱动侧电极表面之平坦化。其解决手段系包含：基板侧电极33；及梁35，其系与基板侧电极33对向配置，具有驱动侧电极38，该驱动侧电极系借由与该基板侧电极33间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者；其中基板侧电极33系以半导体基板32内之导入有杂质之导电性半导体区域形成。

    靜電驅動型MEMS元件及其製造方法、光學MEMS元件、光調制元件、GLV裝置、及雷射顯示器
    39.
    发明专利
    靜電驅動型MEMS元件及其製造方法、光學MEMS元件、光調制元件、GLV裝置、及雷射顯示器 失效
    静电驱动型MEMS组件及其制造方法、光学MEMS组件、光调制组件、GLV设备、及激光显示器

    公开(公告)号：TW200305737A

    公开(公告)日：2003-11-01

    申请号：TW091136102

    申请日：2002-12-13

    Applicant: 新力股份有限公司 SONY CORPORATION

    Inventor： 池田 浩一 KOICHI IKEDA

    IPC: G02B

    CPC classification number: B81C1/0015 ,  B81B2201/045 ,  B81B2203/04 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0173 ,  B81C2203/0109 ,  G02B26/0841

    Abstract: 本發明之課題係謀求靜電驅動型MEMS元件之驅動側電極表面之平坦化。其解決手段係包含：基板側電極33；及樑35，其係與基板側電極33對向配置，具有驅動側電極38，該驅動側電極係藉由與該基板側電極33間作用之靜電吸力或靜電斥力而驅動者；其中基板側電極33係以半導體基板32內之導入有雜質之導電性半導體區域形成。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题系谋求静电驱动型MEMS组件之驱动侧电极表面之平坦化。其解决手段系包含：基板侧电极33；及梁35，其系与基板侧电极33对向配置，具有驱动侧电极38，该驱动侧电极系借由与该基板侧电极33间作用之静电吸力或静电斥力而驱动者；其中基板侧电极33系以半导体基板32内之导入有杂质之导电性半导体区域形成。

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