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公开(公告)号：KR101419529B1
公开(公告)日：2014-07-15
申请号：KR1020120156765
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 발전 소자의 자가 생성 전력을 이용하여, 발전 소자의 전극을 전해도금으로 형성하는 것으로서, 발전 소자의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법에 있어서, 에너지를 전달했을 때, 정공-전자쌍이 생성되는 발전 소자 기판을 도금 용액에 담그는 제1단계와, 상기 발전 소자가 전력을 생성하기 위해 필요한 에너지 전달 조건을 변경하여 에너지를 전달하는 제2단계 및 상기 발전 소자의 자가 생성 전력으로 상기 발전 소자의 전극 형성을 위한 도금을 진행하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발전 소자의 전극을 전해 도금으로 형성하는 방법을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 태양 전지 등에서의 광 유도 플레이팅 공정에 의한 전극 형성 방법과는 달리, seed-metal이 필요없으므로, 공정 시간 및 비용을 절감시키며, 공정의 단순화에 따른 소자 특성을 향상시키고, 발전 소자가 전력을 생성하기 위한 에너지 전달 조건을 다양하게 변경하여, 도금되는 전극의 도금 속도, 밀도, 구조 등 특성을 조절할 수 있어, 사용하고자 하는 발전 소자의 특성에 적합한 고품질의 전극을 형성할 수 있는 이점이 있다.
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公开(公告)号：KR1020140087252A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120156760
申请日：2012-12-28
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: C25D7/00 , H01L31/042 , C25D21/02 , C25D5/48
CPC classification number: Y02E10/50 , C25D7/12 , C25D5/022 , C25D5/50 , H01L21/2885 , H01L31/042
Abstract: The present invention relates to a method of forming an electrode of a solar cell using the self-generated electricity of the solar cell. The method of forming the electrode of the solar cell includes a first step of immersing a solar cell substrate, which generates electron-hole pairs when energy is applied, into a plating solution; a second step of transmitting energy by changing an energy transmitting condition required when the solar cell generates the electricity; and a third step of plating an electrode region on the solar cell substrate with the self-generated electricity of the solar cell to form the electrode of the solar cell. Since the specific region is selectively subjected to electrolysis plating using the self-generated electricity of the solar cell, a seed metal is not necessary, and thus process time and costs can be shortened. The characteristic of the solar cell is improved by the simplified process. In addition, since the light source transmitting condition to generate the electricity is changed to adjust characteristics, such as plating speed, density and structure of a grid electrode, thereby forming the high quality electrode suitable for the characteristic of the solar cell to be used.
Abstract translation: 本发明涉及使用太阳能电池的自发电形成太阳能电池的电极的方法。 形成太阳能电池的电极的方法包括：将施加能量时产生电子 - 空穴对的太阳能电池基板浸渍到电镀液中的第一工序; 通过改变当太阳能电池发电时所需的能量传递条件来发射能量的第二步骤; 以及第三步骤，利用太阳能电池的自发电电镀太阳能电池基板上的电极区域，以形成太阳能电池的电极。 由于特定区域使用太阳能电池的自发电选择性地进行电解电镀，所以不需要种子金属，因此可以缩短处理时间和成本。 通过简化的过程改善了太阳能电池的特性。 此外，由于改变了用于产生电力的光源发送条件以调整诸如电镀速度，电极的密度和结构等特性，从而形成适合于要使用的太阳能电池的特性的高品质电极。
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公开(公告)号：KR1020140083266A
公开(公告)日：2014-07-04
申请号：KR1020120152813
申请日：2012-12-26
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/0046 , B82B3/00 , C23C30/00
Abstract: The present invention relates to a method for forming an aligned metal oxide nanostructure. The method for the aligned metal oxide nanostructure using an imprint lithography process or a KrF stepper, a KrF scanner, an i-line stepper, and an i-line scanner comprises: forming a metal oxide seed layer on a substrate; forming a resin pattern layer by the imprinting process; and exposing the metal oxide seed layer through a dry etching process or exposing the metal oxide seed layer by forming the resin pattern layer using the KrF stepper, the KrF scanner, the i-line stepper, and the i-line scanner to develop the metal oxide nanostructure from the metal oxide seed layer using a hydrothermal synthesis method. So the present invention has the advantage of making metal nanostructure of various shapes, sizes, and patterning; providing at a relatively low price; facilitating an alignment of large-scaled metal oxide nanostructure; preventing adhesion or deformation of the metal oxide nanostructure; and enabling an uniform formation and alignment of the nanostructure.
Abstract translation: 本发明涉及一种形成对准的金属氧化物纳米结构的方法。 使用压印光刻工艺或KrF步进器，KrF扫描仪，i线步进机和i线扫描仪的对准的金属氧化物纳米结构的方法包括：在衬底上形成金属氧化物种子层; 通过印刷工艺形成树脂图案层; 并通过干式蚀刻工艺使金属氧化物种子层暴露或通过使用KrF步进器，KrF扫描器，i线步进器和i线扫描器形成树脂图案层来暴露金属氧化物晶种层，以开发金属 氧化物纳米结构由金属氧化物种子层采用水热合成法。 因此，本发明具有制造各种形状，尺寸和图案化的金属纳米结构的优点; 以相对较低的价格提供; 促进大规模金属氧化物纳米结构的排列; 防止金属氧化物纳米结构的粘合或变形; 并且能够均匀地形成和取向纳米结构。
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公开(公告)号：KR101345109B1
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본발명은기판또는박막에고분자층 및패터닝된감광성금속-유기물전구체층을형성하여박막의식각선택비에따른식각으로언더컷(Undercut)을형성하고, 3차원구조의나노구조체제조를위한금속또는금속산화막증착시 기판의회전유무를조절하여 3차원구조의나노구조체를제조하는임프린트리소그래피와리프트오프공정을이용한 3차원구조의정렬된나노구조체및 그제조방법에관한것으로, 임프린트리소그래피(Imprint Lithography) 공정과리프트오프(Lift-Off) 공정을이용하여 3차원형태의금속또는금속산화막나노구조체를제조하는방법에있어서, 기판에고분자층을형성하는단계, 고분자층 상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계, 패턴(Pattern)이형성된임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를준비하는단계, 감광성금속-유기물전구체층을임프린트용스탬프(Imprint Stamp)로가압하고, 가열또는빛 조사방법중 어느하나또는혼용한방법으로감광성금속-유기물전구체층을경화하여패턴층을형성하는단계, 임프린트용스탬프(Imprint Stamp)를패턴층으로부터제거하는단계, 건식식각으로패턴층하부의고분자층을식각하여, 기판이노출되도록언더컷(Undercut)을형성하는단계, 패턴층상부또는노출된기판의상부에전자빔 증착기를이용하여금속또는금속산화막을형성하는단계및 용매를이용하여패턴층을리프트오프(Lift-Off)하여나노구조체를취득하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101296281B1
公开(公告)日：2013-08-13
申请号：KR1020110118674
申请日：2011-11-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 본 발명은 고품위 질화물 반도체 성장방법 및 이를 이용한 질화물 반도체 발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 고품위 질화물 반도체 성장방법은 기판 또는 박막 상에 유전체 마스크층을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층 상에 고분자층을 형성하는 단계와, 상기 고분자층 상에 O
2 가스에 대한 에칭 저항성 레진 또는 금속-유기물 전구체로 이루어지는 패턴층을 형성하는 단계와, 건식 식각으로 상기 패턴층 하부의 고분자층을 식각하는 단계와, 건식 식각으로 상기 유전체 마스크층을 식각하여, 상기 기판 또는 박막이 일부 노출되도록 유전체 마스크층의 패턴을 형성하는 단계와, 상기 유전체 마스크층의 패턴 상부에 있는 고분자층 및 패턴층을 제거하는 단계와, 일부 노출된 상기 기판의 상면에 질화물 반도체층을 측방향으로 성장시� ��는 단계를 포함함으로써, 사파이어 또는 Si 또는 기판과 질화물 반도체의 격자상수 불일치로 인해서 발생되는 전위 결함 및 휨이나 깨짐 등과 같은 변형을 최소화하여, 최적화된 고품위 질화물 반도체의 성장이 가능한 효과가 있다.-
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公开(公告)号：KR101205826B1
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：KR1020100056268
申请日：2010-06-15
Applicant: (재)한국나노기술원
Abstract: 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 스탬프 제조 방법의 일 구성에서는 금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅한 후, 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비한다. 상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압한 후에 상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성한다. 상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거한 다음, 상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사한다.
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公开(公告)号：KR1020130012291A
公开(公告)日：2013-02-04
申请号：KR1020110073391
申请日：2011-07-25
Applicant: (재)한국나노기술원
CPC classification number: G03F7/0002 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A 3-dimensional aligned nanostructure prepared by both imprint lithography and lift-off processes is provided to have a uniform size, various shape and constant arrangement by controlling the ratio of dry etching. CONSTITUTION: A manufacturing method a 3-dimensional aligned nanostructure comprises: a step of forming a polymer layer(102) on a substrate(101); a step of forming a photosensitive metal-organic material precursor layer on the upper part of the polymer layer; a step of preparing an imprint stamp; a step of pressurizing the photosensitive metal-organic precursor layer by the imprint stamp; and a step of forming a metal oxide thin-film pattern(105)by hardening the metal-organic precursor layer; a step of removing the imprint stamp from the metal oxide thin film pattern; a step of forming an undercut(106) by etching the polymer layer; a step of forming a metal oxide film(107); and a step of lift-offing the metal oxide thin film pattern and etching the polymer layer with an under cut.
Abstract translation: 目的：通过压印和剥离工艺制备的三维对准的纳米结构通过控制干蚀刻的比例来提供均匀的尺寸，各种形状和恒定的布置。 构成：三维排列纳米结构体的制造方法包括：在基板（101）上形成聚合物层（102）的步骤; 在聚合物层的上部形成感光性金属 - 有机材料前体层的工序; 制作印记邮票的步骤; 通过压印印模对感光金属 - 有机前体层加压的步骤; 以及通过硬化所述金属 - 有机前体层形成金属氧化物薄膜图案（105）的步骤; 从所述金属氧化物薄膜图案去除所述压印印模的步骤; 通过蚀刻聚合物层形成底切（106）的步骤; 形成金属氧化物膜（107）的步骤; 以及剥离金属氧化物薄膜图案并用下切割蚀刻聚合物层的步骤。
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公开(公告)号：KR100991986B1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：KR1020080103477
申请日：2008-10-22
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/054
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 태양전지가 개시된다. 제1 광전변환층은 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 제2 광전변환층은 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층의 전단에 배치되며, 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 집광장치는 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 배치되며, 제2 광전변환층을 통과한 태양광이 제1 광전변환층을 향하도록 태양광을 집속한다. 본 발명에 따르면, 태양광의 진행 경로상 집광장치의 전단에 배치된 광전변환층에서는 짧은 파장을 갖는 태양광을 흡수하고, 후단에 배치된 광전변환층에서는 긴 파장을 갖는 태양광을 흡수하므로 발열이 완화된다. 또한, 산란 후 재입사하는 태양광을 흡수할 수 있으므로, 효율 향상을 도모할 수 있게 되고, 각각의 광전변환층에서 특정한 파장 대역만을 흡수하므로 색수차가 덜 발생하게 된다.
태양전지, 턴뎀, 집광장치, 색수차-
公开(公告)号：KR101866298B1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：KR1020160184218
申请日：2016-12-30
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/068 , H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/055 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521 , H01L31/0684 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/03926 , H01L31/055 , H01L31/1868 , H01L31/1892 , Y02E10/50
Abstract: 본발명은양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지에관한것으로서, 지지기판상부에제1태양전지셀을형성하는제1단계와, 상기제1태양전지셀상부에오믹접촉층을형성하는제2단계와, 상기오믹접촉층상부에제2태양전지셀을형성하는제3단계와, 상기지지기판을제거하는제4단계와, 상기지지기판을제거한후, 상기제1태양전지셀의전면에제1전극을형성하는제5단계와, 상기제1전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층하부에제2전극을형성하는제6단계와, 상기제2태양전지셀의전면에제3전극을형성하는제7단계및 상기제3전극의형성후 메사에칭에의한상기오믹접촉층상부에제4전극을형성하는제8단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는양면수광형태양전지의제조방법및 그에의한양면수광형태양전지를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은기존의양면수광형태양전지의구조에서탈피하여, 전면과후면태양전지셀이상호대칭되게형성되도록하여전면과후면태양전지셀의효율차이가없어양면수광형태양전지의효율을개선시킨이점이있다.
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公开(公告)号：KR101796006B1
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：KR1020160036148
申请日：2016-03-25
Applicant: (재)한국나노기술원
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/049 , H01L31/0236 , H01L31/0392
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극을형성하는제2단계와, 상기후면전극상부에홀패턴이구비된플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하는제4단계와, 상기반도체층하부에전면전극을형성하는제5단계와, 상기홀패턴내부에전도성재료를충진시키는제6단계및 상기전도성재료가홀패턴에충진된플렉시블기판전면에금속백시트를형성하는제7단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는전도성기판을갖는플렉시블태양전지의제조방법및 그에의해제조된플렉시블태양전지그리고이를이용한플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은홀패턴이구비된플렉시블기판을사용하고, 상기홀패턴에전도성재료를충진하여사용함으로써, 플라스틱재료의유연성과전도성재료의전도성을융합시킨전도성을갖는플렉시블기판을적용하여, 기존플렉시블기판사용시문제되는전기적및 열적특성을향상시켜태양전지의성능을개선시키고, 이러한홀패턴이구비된플렉시블기판을사용한플렉시블태양전지는직렬로연결하여모듈형태로사용할시에후면전극연결문제를해결하고, 무게를획기적으로줄일수 있는초경량플렉시블태양전지또는초경량플렉시블태양전지모듈을제공할수 있는이점이있다.
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