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公开(公告)号：KR1020170018817A
公开(公告)日：2017-02-20
申请号：KR1020167031938
申请日：2015-06-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/28 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32082 , H01J2237/334 , H01L21/308 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/02115 , H01L21/02274 , H01L21/02315 , H01L21/28 , H01L21/32136 , H05H1/46
Abstract: 불화탄소를포함하는가스를공급하고, 상기가스로부터플라즈마를생성하고, 기판상의실리콘함유막을, 상기실리콘함유막상의마스크를거쳐서플라즈마에의해에칭하는에칭장치와, 상기에칭장치와는상이한장치로서, 탄소를포함하는가스를공급하고, 상기에칭된실리콘함유막에카본함유막을성막하는성막장치를갖고, 상기에칭장치는, 상기실리콘함유막을도중까지플라즈마에의해에칭하는제 1 에칭공정과, 상기카본함유막이형성된상기실리콘함유막을플라즈마에의해더 에칭하는제 2 에칭공정을포함하는공정을실행하고, 상기성막장치는, 상기제 1 에칭공정후의실리콘함유막상에플라즈마를생성하지않고카본함유막을성막하는성막공정을실행하는기판처리시스템이제공된다.
Abstract translation: 提供了一种基板处理系统，其包括：蚀刻装置，其供给含有氟化碳的气体，从气体产生等离子体，并且通过使用掩模在等离子体上在含硅的物质上蚀刻基板上的含硅膜 电影; 以及与蚀刻装置不同的成膜装置，并且在蚀刻的含硅膜上提供含有碳的气体并形成含碳膜。 蚀刻装置执行包括用于通过等离子体中途蚀刻含硅膜的第一蚀刻步骤和通过等离子体进一步蚀刻其上形成含碳膜的含硅膜的第二蚀刻步骤的步骤 。 成膜装置进行成膜步骤，其中在第一蚀刻步骤之后，在含硅膜上形成含碳膜而不产生等离子体。
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公开(公告)号：KR101594936B1
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：KR1020120075433
申请日：2012-07-11
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02664 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/0262
Abstract: (과제) 보다평활한표면을갖고, 그리고, 더한층의박막화를달성하는것이가능한어모퍼스실리콘막의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(base; 2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를공급하여, 하지(2) 표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2) 표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막(4)을, 층성장하는두께로형성하는공정과, 층성장하는두께로형성된어모퍼스실리콘막(4)을에칭하여, 당해어모퍼스실리콘막(4)의막두께(t)를감소시키는공정을구비한다.
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公开(公告)号：KR101536226B1
公开(公告)日：2015-07-13
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
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公开(公告)号：KR101534637B1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020140072193
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.
Abstract translation: 本发明提供能够进一步提高表面粗糙度的精度，并且能够应对待开发的接触孔和线路的小型化的非晶硅膜形成方法。 （2）通过加热基体（2）并使氨基硅烷基气体流入加热基体（2）中来形成基体（2）的表面层（3）的步骤， 将不含氨基的硅烷系气体供给至一个基材2的表面的种子层3，使不含氨基的硅烷系气体热分解，在种子层3上形成非晶硅膜 以及步骤。
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公开(公告)号：KR101534634B1
公开(公告)日：2015-07-09
申请号：KR1020140072192
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150075066A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020150081222
申请日：2015-06-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: (과제) 비교적저온에서도매입특성이양호하고, 또한표면러프니스의정밀도도향상하는어모퍼스상태의불순물함유의실리콘막과같은박막을형성하는것이가능한박막의형성방법을제공한다. (해결수단) 진공배기가가능하게이루어진처리용기(14) 내에서피(被)처리체(W)의표면에시드막(88)과불순물함유의실리콘막(90)을형성하는박막의형성방법에있어서, 처리용기내로아미노실란계가스와고차실란중 적어도어느한쪽의가스로이루어지는시드막용원료가스를공급하여시드막을형성하는제1 스텝과, 처리용기내로실란계가스와불순물함유가스를공급하여어모퍼스상태의상기불순물함유의실리콘막을형성하는제2 스텝을갖는다.
Abstract translation: 提供即使在相对低的温度下形成具有优异的嵌入性能的含有非晶质杂质的硅膜的薄膜的薄膜形成方法来提高表面粗糙度的精度。 在能够进行真空排气的处理容器（14）的处理对象体（W）的表面上形成种子膜（88）和杂质含有硅膜（90）的薄膜形成方法包括：第一 将由氨基硅烷类气体和高级硅烷的至少一种气体形成的种子膜原料气供给到处理容器中以形成种子膜的步骤; 以及将硅烷类气体和含杂质气体供给到处理容器中以形成非晶质杂质的硅膜的第二工序。
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公开(公告)号：KR101477159B1
公开(公告)日：2014-12-29
申请号：KR1020110046713
申请日：2011-05-18
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76876 , C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/76877
Abstract: (과제) 보이드의발생을억제할수 있는실리콘막의형성방법및 그의형성장치를제공한다. (해결수단) 실리콘막의형성방법은, 제1 성막공정과, 에칭공정과, 제2 성막공정을구비하고있다. 제1 성막공정에서는, 피(被)처리체의홈을매입하도록실리콘막을성막한다. 에칭공정에서는, 제1 성막공정으로성막된실리콘막을에칭하여상기홈의개구부를넓힌다. 제2 성막공정에서는, 에칭공정으로개구부가넓혀진홈에실리콘막을매입하도록성막한다. 이에따라, 표면에홈이형성된피처리체의홈에실리콘막을형성한다.
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公开(公告)号：KR1020140086944A
公开(公告)日：2014-07-08
申请号：KR1020140072194
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: (과제) 표면거칠기의정밀도를더욱개선할수 있어, 진전되는콘택트홀이나라인등의미세화에대응가능한어모퍼스실리콘의성막방법을제공하는것이다. (해결수단) 하지(2)를가열하고, 가열한하지(2)에아미노실란계가스를흘려하지(2)의표면에시드층(3)을형성하는공정과, 하지(2)를가열하고가열한하지(2)의표면의시드층(3)에아미노기를포함하지않는실란계가스를공급하여, 아미노기를포함하지않는실란계가스를열분해시킴으로써, 시드층(3) 상에어모퍼스실리콘막을형성하는공정을구비한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，可以进一步提高表面粗糙度的精度，并且可以处理接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将氨基硅烷基气体流动到加热的基板（2）上，在基板（2）的表面上形成种子层（3）; 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的种子层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。
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公开(公告)号：KR1020140085405A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020140072192
申请日：2014-06-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
Abstract: The purpose of the present invention is to provide a film formation method of amorphous silicon, by which precision of surface roughness can be further improved to cope with progresses of miniaturization of contact holes, lines, or the like. The film formation method of amorphous silicon includes the steps of forming a seed layer (3) on a surface of a substrate (2) by heating the substrate (2) and applying aminosilane-based gas onto the heated substrate (2); and forming an amorphous silicon film on the seed layer (3) by heating the substrate (2), supplying silane-based gas containing no amino group onto the seed layer (3) on the surface of the heated substrate (2), and thermally decomposing the silane-based gas containing no amino group.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种非晶硅的成膜方法，能够进一步提高表面粗糙度的精度，以适应接触孔，线等的小型化的进行。 非晶硅的成膜方法包括以下步骤：通过加热基板（2）并将基于氨基硅烷的气体施加到加热的基板（2）上而在基板（2）的表面上形成种子层（3）。 通过加热基板（2），在加热的基板（2）的表面上的籽晶层（3）上供给不含氨基的硅烷系气体，在种子层（3）上形成非晶硅膜， 分解不含氨基的硅烷系气体。
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公开(公告)号：KR1020130035913A
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020120107180
申请日：2012-09-26
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/0272 , C23C16/045 , C23C16/45523 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02167 , H01L21/02271 , H01L21/02312 , H01L21/67109
Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for forming a thin film are provided to improve step coverage by forming a boron-doped amorphous silicon film in a seed layer. CONSTITUTION: A source gas for a seed is supplied into a process chamber. The source gas includes an aminosilane based gas and a multi-functional silane gas. A seed layer(88) is formed on the surface of an insulating layer. The silane gas and an impurity-containing gas are supplied into the process chamber. An amorphous impurity-containing silicon layer(90) is formed. [Reference numerals] (2) Insulating layer(underlayer); (88) Seed layer; (90) Amorphous impurity-containing silicon layer;
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成薄膜的方法和装置，以通过在种子层中形成硼掺杂的非晶硅膜来改善步骤覆盖。 构成：种子的源气体被供应到处理室中。 源气体包括氨基硅烷基气体和多官能硅烷气体。 种子层（88）形成在绝缘层的表面上。 将硅烷气体和含杂质的气体供给到处理室中。 形成含非晶质杂质的硅层（90）。 （附图标记）（2）绝缘层（底层）; （88）种子层; （90）含非晶态杂质的硅层;
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