公开(公告)号：KR1020140019879A

公开(公告)日：2014-02-17

申请号：KR1020147002619

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

Abstract translation: 在等离子体处理装置中，上述平面天线构件，用于将来自在处理容器中的电磁波产生装置产生的电磁波，并在波导管供给电磁波的平面天线部件，被提供给平面天线部件上重叠，从波导供给的电磁波的波长 包括所述的纸的仪表板，并且如果仪表板和一个平面天线盖件，用于从上方覆盖一个构件来改变，如果仪表板是在同一时间由电介质的，平面天线部件和所述平面天线部件的覆盖部件之间的区域中的介电常数 在与上表面平行的平面上设置非均匀的等离子体处理装置。

公开(公告)号：KR1020120112253A

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：KR1020120033452

申请日：2012-03-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 후지노유타카 ,  우에다아츠시 ,  오자키시게노리 ,  기타가와주니치

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32201 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/32238 ,  H01J37/32431 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus and a microwave introduction device are provided to uniformize distribution of plasma by providing a simple structure. CONSTITUTION: A plasma processing apparatus includes a microwave induction device for introducing microwaves into a processing container. The microwave induction device includes a plurality of microwave transmission plates(73) inserted into a plurality of openings on a ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates is arranged on one virtual plane which is parallel on a mounting surface of a mounting table while being inserted into a plurality of openings on the ceiling portion. The plurality of microwave transmission plates includes microwave transmission plates(73A-73G). The distance between central points of microwave transmission plates and the distance between the central points of the microwave transmission plates are set to be identical.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置和微波引入装置，通过提供简单的结构来均匀分布等离子体。 构成：等离子体处理装置包括用于将微波引入处理容器的微波感应装置。 微波感应装置包括插入天花板部分上的多个开口中的多个微波传输板（73）。 多个微波透射板被布置在一个虚拟平面上，该虚拟平面平行于安装台的安装表面，同时插入到天花板部分上的多个开口中。 多个微波透射板包括微波透射板（73A-73G）。 微波透射板的中心点与微波透射板的中心点之间的距离设定为相同。

公开(公告)号：KR1020120062923A

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：KR1020127011200

申请日：2010-09-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  오타류사쿠 ,  아다치히카루 ,  이시츠보마코토

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3222 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32238 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02252

Abstract: 플라즈마 처리 장치에 있어서, 전자파 발생 장치에서 발생한 전자파를 처리 용기 내에 도입하는 평면 안테나 부재와, 전자파를 평면 안테나 부재에 공급하는 도파관과, 평면 안테나 부재 위에 중첩해서 마련되고, 도파관으로부터 공급된 전자파의 파장을 변화시키는 지파판과, 지파판 및 평면 안테나 부재를 위쪽으로부터 덮는 커버 부재를 구비하고, 지파판은 유전체에 의해서 구성되는 동시에, 평면 안테나 부재와 커버 부재의 사이의 영역의 유전율이 평면 안테나 부재의 상면과 평행한 면에 있어서 비균일한 플라즈마 처리 장치가 제공된다.

公开(公告)号：KR100923715B1

公开(公告)日：2009-10-27

申请号：KR1020077002546

申请日：2005-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠

Inventor： 키타가와주니치 ,  오자키시게노리 ,  테라모토아키노부 ,  오미타다히로

IPC: H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/513

Abstract: 본 발명은 게이트 절연막에 있어서의 양호한 질소 농도 프로파일에 의해 전기적 특성(기록·소거 특성)에 우수한 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 기판과 게이트 전극 사이에 형성되는 게이트 절연막을 통해 전하를 전달함으로써 동작하는 반도체 기억 장치의 제조 방법에 있어서, 미리 플라즈마 여기용 가스를 이용하여 희석한 산질화종을 플라즈마 처리 장치 내에 도입하고, 플라즈마에 의해 산질화종을 생성하여 상기 반도체 기판상에 상기 게이트 절연막으로서 산질화막을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 산질화종은, 상기 플라즈마 처리 장치 내에 도입되는 전체 가스량에 대하여 0.00001 내지 0.01%의 NO 가스를 함유하는 구성을 채용하고 있다.

公开(公告)号：KR100912321B1

公开(公告)日：2009-08-14

申请号：KR1020067010790

申请日：2004-12-03

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사사키마사루 ,  이데신지 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02063 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76838

Abstract: 잔사 유기물나 자연 산화물을 충분히 제거할 수 있고, 또한, 비어홀의 측벽 절연막에 대미지를 가하는 일없이, k값에 악영향을 끼치는 일이 없는 반도체 기판 도전층 표면의 청정화 방법을 제공한다.
반도체 기판의 도전층(1) 표면 상에 절연막(2, 3)이 형성되고, 절연막(3)에는 도전층(1)의 일부를 노출하는 비어홀(4)이 형성된 반도체 장치를 반응 용기내에 반입하여, 반응 용기내에 수소를 포함하는 플라즈마를 발생시켜, 비어홀(4) 바닥부의 도전층(1) 상을 청정화하고, 애싱에 의해 잔사 유기물(6)을 분해 제거하여, 도전층(1) 표면 상의 동산화막(7)을 Cu로 환원한다.

公开(公告)号：KR100900589B1

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：KR1020077024629

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 표면을 질화 처리함에 있어서, 플라즈마 발생부와 실리콘 기판의 사이에 개구부를 갖는 구획판이 배치되고, 실리콘 기판 표면에 있어서의 전자 밀도가 1e+7(개·㎝
-3 )∼1e+9(개·㎝
-3 )로 되도록 제어된다. 본 발명에 의하면, 실리콘 기판 및 질화막의 열화가 효과적으로 억제된다.

公开(公告)号：KR1020090053965A

公开(公告)日：2009-05-28

申请号：KR1020097009583

申请日：2002-01-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스가와라다쿠야 ,  나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  마츠야마세이지 ,  무라카와시게미 ,  다다요시히데

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C8/02 ,  C23C8/34 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/32055

Abstract: 본 발명은 매우 얇은(예컨대 2.5 nm 이하) 막 두께를 갖는 절연막으로서 SiO
2 막 및 SiON막을 이용하고, 전극으로서 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe를 이용한 양호한 전기 특성을 갖는 전자 디바이스(예컨대 고성능 MOS형 반도체 장치) 구조의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 산소 및 희가스를 함유하는 처리 가스의 존재 하에서, Si를 주성분으로 하는 웨이퍼(W) 상에 평면 안테나 부재 SPA를 통해 마이크로파를 조사함으로써, 산소와 희가스를 함유하는 플라즈마(내지 질소와 희가스를 함유하는 플라즈마, 또는 질소와 희가스와 수소를 함유하는 플라즈마)를 형성한다. 이 플라즈마를 이용하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막(내지 산질화막)을 형성하고, 필요에 따라 폴리실리콘, 비결정질 실리콘, SiGe의 전극을 형성하여 전자 디바이스 구조를 형성한다.
플라즈마, 게이트 절연막, 산화막, 산질화막, 반도체,

公开(公告)号：KR100800638B1

公开(公告)日：2008-02-01

申请号：KR1020057015979

申请日：2004-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  오자키시게노리 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31654 ,  H01L21/3185

Abstract: 기판 처리 방법은, 실리콘 기판 표면을 불활성 가스와 수소의 혼합 가스 플라즈마에 폭로하는 제 1 공정, 및 상기 제 1 공정 후, 상기 실리콘 기판 표면에 플라즈마 처리에 의해 산화 처리, 질화 처리 및 산질화 처리 중 어느 하나의 처리를 실시하는 제 2 공정으로 이루어지고, 제 1 공정에서 기판 표면에 잔류하고 있는 유기물을 제거한다.

Abstract translation: 的基板处理方法包括：第一步骤，和在第一步骤中，然后，通过等离子体处理，以在硅衬底表面上，氮化和氮氧化处理的氧化处理，以露出硅衬底表面中在惰性气体和氢的混合气体等离子体 并且执行任何一种处理的第二步骤，以及在第一步骤中残留在基板表面上的有机物质被去除。

公开(公告)号：KR1020070112307A

公开(公告)日：2007-11-22

申请号：KR1020077026024

申请日：2005-02-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오자키시게노리 ,  노구치히데유키 ,  가베요시로 ,  이사가즈히로 ,  사사키마사루

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32935 ,  B08B7/0035 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32862

Abstract: A method for cleaning a treatment chamber in a substrate treating apparatus for subjecting a substrate having a tungsten-based coating film to a plasma treatment, which comprises introducing a gas containing O2 into the treatment chamber after the plasma treatment without opening the chamber to the atmosphere, to thereby form the plasma of the gas and clean the treatment chamber.

Abstract translation: 一种用于清洗基板处理装置中的处理室的方法，用于对具有钨基涂膜的基板进行等离子体处理，其包括在等离子体处理之后将含有O 2的气体引入处理室，而不将该室打开至大气 ，从而形成气体的等离子体并清洁处理室。

公开(公告)号：KR1020070110942A

公开(公告)日：2007-11-20

申请号：KR1020077024629

申请日：2003-11-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 나카니시도시오 ,  니시타다츠오 ,  오자키시게노리

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C8/36 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/3211

Abstract: A plasma processing apparatus comprises a partition plate disposed between a plasma generating unit and a silicon substrate and having an opening. When a surface of the silicon substrate is nitrided in this plasma processing apparatus, the electron density in the surface of the silicon substrate is controlled to be within the range from 1e+7 (electrons.cm-3) to 1e+9 (electrons.cm-3). By using this plasma processing apparatus, deterioration of the silicon substrate and deterioration of a nitride film can be effectively suppressed.

Abstract translation: 等离子体处理装置包括设置在等离子体发生单元和硅衬底之间并具有开口的分隔板。 当在该等离子体处理装置中将硅衬底的表面氮化时，将硅衬底的表面中的电子密度控制在1e + 7（electrons.cm-3）至1e + 9（电子）的范围内。 厘米-3）。 通过使用该等离子体处理装置，可以有效地抑制硅衬底的劣化和氮化物膜的劣化。