公开(公告)号：KR1020150077351A

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：KR1020140188281

申请日：2014-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와키야마데루후미 ,  이토노리히로 ,  히가시지마지로

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/68728

Abstract: 본발명은복수의처리액을미리결정된배액유로로배출하는것이가능한기판액 처리장치를제공하는것을목적으로한다. 기판처리장치(16)는, 기판유지부(31)에유지된기판(W)에, 처리액공급부로부터복수의처리액을전환하여공급하고, 승강가능하게구성된내측컵(50a, 50b)은, 기판유지부(31)를측방으로부터둘러싸며, 기판(W)에공급된제1 처리액을하방으로안내하여배액하는제1 배액유로를형성하고, 외측컵(50c)은, 내측컵(50a, 50b)을둘러싸며, 기판(W)에공급된후의제2 처리액을하방으로안내하여배액하는제2 배액유로를형성한다. 커버부(54)는, 외측컵(50c)을외방측으로부터덮고, 원통부(543)의상부측으로부터내측을향하여연장된차양부(541)를구비하며, 외측컵(50c)과의사이에서, 배기유로를형성한다. 배기유로는, 상기제1 배액유로및 상기제2 배액유로의입구의상방측에서상기제1 배액유로및 상기제2 배액유로와접속된다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够将多种处理液体排出到规定的排出流路的基板液体处理装置。 基板处理装置（16）从处理液供给单元转换多个处理液，并将多个处理液供给到保持在基板保持单元（31）中的基板（W）。 能够升高的内杯（50a，50b）从一侧围绕基板保持单元（31）; 通过将供给到基板（W）的第一处理液引导到下侧，形成用于排水的第一排水流路径; 并且通过在供给到基板（W）之后引导第二处理液体而形成用于排水的第二排水流路。 盖单元（54）从外侧覆盖外杯（50c），并且包括从上侧朝向气缸单元（543）的内侧延伸的遮蔽单元（541），并且形成排气流路 与外部杯（50c）的位置。 排气流路在第一和第二排水流路的入口的上侧与第一和第二排水流路连接。

公开(公告)号：KR101524903B1

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：KR1020110119540

申请日：2011-11-16

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  이토노리히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68728

Abstract: 본발명은기판의처리대상면을하향으로하여기판을처리할때에, 기판하면에부착된순수를 IPA로효율적으로치환하는것을목적으로한다. 기판처리방법은, 처리대상면이하면이되도록기판(W)을유지하여회전시키는공정과, 기판의하면에 DIW(순수)를공급하여기판에린스처리를실시하는공정과, 그후, 기판의하면에 IPA(이소프로필알코올)과 N가스를포함하는미스트를공급하여 DIW를 IPA로치환하는공정을포함한다. 미스트의공급은, 기판의중심부에대향하는위치와기판의주연부에대향하는위치사이에배열된복수의토출구(62)를갖고, 기판의아래쪽에설치된노즐(60)에의해이루어진다.

Abstract translation: 本发明的一个目的是有效地替换安装于纯水中，当在基板的处理，以在基板向下进入IPA的处理目标表面的衬底。 的基板处理方法包括：处理所述目标衬底的步骤（W），使得当表面由供给处理eulyu这个和，DIW根据基板旋转根据底物（纯）在冲洗处理到衬底上，并且此后，IPA （异丙醇）和N 2气体将DIW转化为IPA。 雾的供给，多个排放口（62）相对配置的位置的周缘和与衬底相反的中心的基板，由在所述衬底下的喷嘴（60）由一个位置之间。

公开(公告)号：KR1020140073463A

公开(公告)日：2014-06-16

申请号：KR1020137029058

申请日：2012-10-11

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 아이우라가즈히로 ,  이토노리히로

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/02076 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68764

Abstract: 본 발명에 따른 액처리 장치(10)는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지부(21)와, 기판 유지부(21)에 유지된 기판을 상측으로부터 덮어, 처리 공간(30)을 형성하는 회전 가능한 천판(32)을 구비하고 있다. 처리 공간(30) 내에 있어서는, 약액 노즐(82a)에 의해 기판에 대하여 약액이 공급되고, 치환 노즐(82c)에 의해 분위기 치환 가스가 처리 공간(30) 내에 공급되도록 되어 있다. 또한, 치환 노즐(82c)은, 처리 공간(30) 내에 진출한 진출 위치와 처리 공간(30)으로부터 외측으로 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 수평 방향으로 이동하는 치환 노즐 지지 아암(82)에 의해 지지되며, 기판의 상측에 있어서 분위기 치환 가스를 상측을 향하여 토출하도록 구성되어 있다.

Abstract translation: 根据本发明的液体处理装置包括：基板保持器，其被构造成水平地保持基板;以及顶板，其构造成可旋转并且从上方覆盖由基板保持器保持的基板，以限定处理空间。 在处理空间中，化学液体喷嘴将化学液体供给到基板上，通过置换喷嘴将气体置换气体供给到处理空间。 替换喷嘴由替换喷嘴支撑臂支撑，所述替换喷嘴支撑臂构造成在更换喷嘴支撑臂前进到处理空间的前进位置和替换喷嘴支撑臂从处理之外缩回的缩回位置之间水平移动 空间。 更换喷嘴被配置为在基板上方向上排放大气置换气体。

公开(公告)号：KR101401693B1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：KR1020100071348

申请日：2010-07-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/6708 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67248 ,  Y10S134/902

Abstract: 액처리 장치(10)는, 제1액 공급 기구(15)와, 액공급 기구에 접속되며 온도 조절된 액을 토출하는 토출 개구(30a)를 갖는 제1 공급 라인(30)과, 공급 라인의 토출 개구를 지지하는 처리 유닛(50)과, 공급 라인에 공급된 액을 액공급 기구에 복귀시키는 복귀 라인(35)과, 처리 유닛에서의 피처리체의 처리에 이용되는 액의 공급 및 공급 정지를 전환하는 액공급 전환 밸브(38a)를 구비한다. 액공급 전환 밸브(38a)는, 제1 공급 라인(30) 상에 설치되고, 제1 공급 라인(30)으로부터 복귀 라인(35)을 통해 제1액 공급 기구(15)에 복귀되는 액의 경로 상에 위치하고 있다.

Abstract translation: 液体处理装置10包括具有第一液体供应机构15和与液体供应机构连接并排出温度受控液体的排出口30a的第一供应管线30， 用于将供应到供应线的液体返回到液体供应机构的返回线（35）以及用于供应和停止用于处理处理单元中的待处理对象的液体的供应的供应线 用于切换的液体供给切换阀38a。 液体供应切换阀38a设置在第一供应线路30上，并且通过返回线路35连接到从第一供应线路30返回到第一液体供应机构15的液体的路径 Lt。

公开(公告)号：KR1020130121033A

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：KR1020130045384

申请日：2013-04-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하치야요스케 ,  이토노리히로 ,  가와노히사시 ,  노나카준 ,  노가미준

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/02076 ,  G03F7/423 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/0273 ,  G11C7/22 ,  H01L21/302 ,  H03K5/156

Abstract: The purpose of the present invention is to reduce damage to a film and improve the efficiency of removing a resist layer in an SPM process. A substrate processing method includes a process for producing an SPM solution of a first temperature including enough Caro’s acid with a resist layer delamination effect by mixing heated sulfuric acid with oxygenated water and a process for cooling the SPM solution to a second temperature to have a film loss reduction effect after the SPM solution of the first temperature is produced, and a process for removing the resist layer by touching the resist layer with the SPM solution of the second temperature.

Abstract translation: 本发明的目的是减少对膜的损伤并提高在SPM工艺中除去抗蚀剂层的效率。 基板处理方法包括通过将加热的硫酸与含氧水混合并制备具有足够的Caro酸的第一温度的SPM溶液和具有抗蚀剂层分层效果的方法，以及将SPM溶液冷却至第二温度的方法以具有 产生在第一温度的SPM溶液之后的膜损失降低效果，以及通过用第二温度的SPM溶液接触抗蚀剂层来除去抗蚀剂层的工艺。

公开(公告)号：KR1020130008458A

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：KR1020120066770

申请日：2012-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  아이우라가즈히로 ,  신도나오키 ,  하치야요스케 ,  나가이다카시

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02041 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  Y02E60/34 ,  Y10T137/0318 ,  Y10T137/598

Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and a liquid processing method are provided to supply processing liquid to the substrate while the substrate is rotated and to facilitate a cleaning process. CONSTITUTION: A substrate holding unit horizontally maintains a substrate. A process liquid supply nozzle(82a) supplies processing liquid to the substrate. An upper plate rotation unit rotates the upper plate. A cup circumference case(50) is installed at a cup(40). A nozzle support arm supports the process liquid supply nozzle.

Abstract translation: 目的：提供一种液体处理装置和液体处理方法，以在衬底旋转的同时向衬底提供处理液体并促进清洁过程。 构成：基板保持单元水平地保持基板。 处理液供给喷嘴（82a）向处理液供给处理液。 上板旋转单元使上板旋转。 一个杯形外壳（50）安装在一个杯子（40）上。 喷嘴支撑臂支撑工艺液体供应喷嘴。

公开(公告)号：KR1020120083841A

公开(公告)日：2012-07-26

申请号：KR1020110127651

申请日：2011-12-01

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히가시지마지로 ,  하치야요스케 ,  아이우라가즈히로 ,  이토노리히로 ,  신도나오키 ,  이토유키

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/68728 ,  B08B3/04 ,  B08B3/041 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: PURPOSE: A liquid processing apparatus and liquid processing method are provided to remove pollution on a nozzle support arm by setting an arm cleaner. CONSTITUTION: A substrate maintaining unit(21) and cup(40) are installed in a processing chamber(20). The cup is arranged around the substrate maintain unit. A nozzle(82a) supplies liquid to the substrate installed on the substrate maintaining unit. A nozzle support arm(82) supports the nozzle. An arm cleaner(88) cleans the nozzle support arm.

Abstract translation: 目的：提供液体处理设备和液体处理方法，通过设置手臂清洁器来消除喷嘴支撑臂上的污染。 构成：衬底保持单元（21）和杯（40）安装在处理室（20）中。 杯子围绕衬底维护单元布置。 喷嘴（82a）向安装在基板保持单元上的基板供给液体。 喷嘴支撑臂（82）支撑喷嘴。 手臂清洁器（88）清洁喷嘴支撑臂。

公开(公告)号：KR1020110098619A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020110013287

申请日：2011-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  구도히로유키

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/66

CPC classification number: G01F1/36 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68792

Abstract: 공급 노즐로 처리액을 공급하기 위한 공급 유로에 설치된 차압식 유량계의 유량의 계측치가 참값에서 이탈된 것을 용이하게 검지할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공한다. 처리액을 공급하는 공급 유로에 설치된 차압식 유량계를 개재하여 접속된 공급 노즐에 의해 기판에 처리액을 공급하고, 공급된 처리액에 의해 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서, 기판으로 처리액을 공급하지 않을 때 공급 유로 내의 압력치를 차압식 유량계 내의 압력 계측부에 의해 계측하는 계측 공정(S15)과, 계측 공정(S15)을 행하여 계측한 압력치와 소정의 압력치를 비교함으로써 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있는지를 판정하는 판정 공정(S16)과, 판정 공정(S16)에서 압력 계측부가 정상적으로 동작하고 있다고 판정했을 때 기판으로 처리액을 공급하는 공급 공정(S11)을 가진다.

公开(公告)号：KR100979979B1

公开(公告)日：2010-09-03

申请号：KR1020087000737

申请日：2007-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이토노리히로 ,  가네코사토시 ,  난바히로미츠

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/027 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67051

Abstract: 본 발명은, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지시키며 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 기판 유지부(2)와, 기판 유지부(2)에 유지된 웨이퍼(W)를 둘러싸도록 환형을 이루고, 웨이퍼(W)와 함께 회전 가능한 환형을 이루는 회전컵(4)과, 회전컵(4)과 기판 유지부(2)를 일체적으로 회전시키는 회전 기구(3)와, 웨이퍼(W)의 처리액 및 회전컵(4)의 세정액을 공급하는 노즐(5)과, 노즐(5)에 처리액 및 세정액을 공급하는 액 공급부(85)와, 웨이퍼(W)에 액을 토출하는 제1 위치와 회전컵(4)의 외측 부분에 액을 토출하는 제2 위치 사이에서 노즐(5)을 이동시키는 노즐 이동 기구를 구비하고, 노즐(5)을 웨이퍼 처리 위치에 위치시킨 상태에서 웨이퍼(W)를 액처리하며, 노즐(5)을 회전컵 세정 위치에 위치시킨 상태에서 회전컵의 외측 부분에 세정액을 토출한다.

公开(公告)号：KR100910602B1

公开(公告)日：2009-08-03

申请号：KR1020030041924

申请日：2003-06-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 초우노야스히로 ,  이토노리히로

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67253 ,  G03F7/423 ,  H01L21/67017

Abstract: 기판 처리 시스템은 산소 함유 가스 중에서 방전함으로써 오존 함유 가스를 발생시키는 오존 가스 발생기와, 기판을 각각 수납하여 그곳에 공급되는 오존 함유 가스에 의해 기판을 처리하는 복수의 챔버를 구비하고 있다. 유량 조정기는 오존 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 제어한다. 컨트롤러는 오존 가스 발생기에 공급되는 산소 함유 가스의 유량을 조정함으로써, 하나 또는 복수의 챔버에 오존 가스 발생기로부터 공급되는 오존 함유 가스의 유량을 제어한다.