公开(公告)号：KR1019960002526A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950016167

申请日：1995-06-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시시구치세이이치 ,  하세베가즈히데 ,  시게마츠노부아키

IPC: H01L21/20

Abstract: 웨이퍼의 다수는 웨이퍼보트상의 반응관 내에 적재되고; 모노실란 가스, 포스핀 가스 및 N
2 O가스는 인을 도핑한 아몰파스 실리콘막을 형성하고; 다음에 웨이퍼를 예컨대, 폴리크리스탈화 아몰파스 실리콘막으로 다른 반응관 내에 어닐한다. N
2 O의 분해에 의해 생성된 O
S (산소)는 막 내로 주입된다. O
S 는 실리콘 결정의 핵으로 되고, 결정이 미소화되어 크기가 균일하게 된다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다. 폴리실리콘막의 저항치는 산소의 첨가에 의해 쉽게 제어될 수 있다. 결과적으로 폴리실리콘막 미세화장치의 저항치의 높은 균일성을 얻을 수 있게 된다.

公开(公告)号：KR101533846B1

公开(公告)日：2015-07-03

申请号：KR1020080102110

申请日：2008-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 김선정 ,  최한메 ,  이명범 ,  오자끼데쯔시 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체디바이스를제조하기위한기판(W)에α-알루미나를포함하는알루미나막을성막하는반도체디바이스제조장치는, 가열계(44)에의해반응용기(2) 내의처리분위기를 800 ℃이상, 1,000 ℃이하의범위내의온도로가열하는동시에, 제1 가스공급계(31)의가스공급구멍(311) 및제2 가스공급계(34)의가스공급구멍(341)으로부터반응용기(2) 내에원료가스와산화가스를동시에공급하여반응시킴으로써각 기판(W)의표면에알루미나막을성막한다. 제1 가스공급계(31) 및제2 가스공급계(34)의각각의가스공급구멍(311, 341)은, 반응용기(2) 내에서기판보유지지구(25)에보유지지되어있는각 기판(W)에대응하는높이위치에설치된다.

公开(公告)号：KR101287725B1

公开(公告)日：2013-07-19

申请号：KR1020090093078

申请日：2009-09-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마쯔나가마사노부 ,  노데라노부따께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 종형 뱃치 CVD 장치에 있어서, 성막 방법은 사이클을 복수회 반복하여, 각 회마다 형성되는 박막을 적층하도록 구성된다. 사이클은 원료 가스를 피처리 기판의 표면에 흡착시키는 흡착 공정과, 반응 가스를 흡착 원료 가스와 반응시키는 반응 공정을 교대로 구비한다. 흡착 공정은 반응 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 행하는 공급 서브 공정을, 처리 영역에 대한 원료 가스의 공급을 정지하는 개재 서브 공정을 사이에 넣어 복수회 행하도록 구성된다. 반응 공정은 원료 가스의 공급의 차단을 유지하면서, 처리 영역에 대한 반응 가스의 공급을 연속적으로 행하도록 구성된다.
종형 뱃치 CVD 장치, 반응 가스, 흡착 원료 가스, DCS 가스, 웨이퍼 보트

公开(公告)号：KR1020120070516A

公开(公告)日：2012-06-29

申请号：KR1020110138038

申请日：2011-12-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 무라까미히로끼 ,  와따나베요오스께 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45525

Abstract: PURPOSE: A method and apparatus for forming a silicon nitride film are provided to reduce incubation time of a silicon nitride film by forming the silicon nitride film on a seed layer. CONSTITUTION: A processed object is carried into a process chamber(step 1). An aminosilane gas is introduced within the process chamber and silicon is adsorbed on the surface of the processed subject(step 2). A gas including ammonia is introduced into the process chamber and a seed layer is formed on the surface of the processed object on which the silicon is adsorbed(step 4). A deposition gas depositing silicon nitride is introduced into the process chamber and a silicon nitride film is formed on the seed layer(step 6).

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成氮化硅膜的方法和装置，以通过在种子层上形成氮化硅膜来减少氮化硅膜的孵育时间。 构成：处理物体被运送到处理室（步骤1）。 在处理室内引入氨基硅烷气体，硅被吸附在被处理物体的表面上（步骤2）。 将包括氨的气体引入处理室，并且在其上吸附有硅的被处理物体的表面上形成种子层（步骤4）。 将沉积氮化硅的沉积气体引入处理室中，并在种子层上形成氮化硅膜（步骤6）。

公开(公告)号：KR101086588B1

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：KR1020080054102

申请日：2008-06-10

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  우메자와고오따 ,  주파오화

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 본 발명은 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 복수의 사이클을 행하여, 실리콘 질화막을 피처리 기판 상에 형성한다. 각 사이클은 제1 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제2 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제1 공급 공정과, 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편 제1 처리 가스의 공급의 차단을 유지하는 제2 공급 공정을 구비한다. 이 방법은 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 여기 기간을 구비하는 제1 사이클 세트와, 제2 공급 공정이 제2 처리 가스를 여기하는 기간을 구비하지 않는 제2 사이클 세트를 복수회 반복한다.
성막 장치, 웨이퍼 보트, 처리 가스 공급계, 퍼지 가스 공급계, 반도체 웨이퍼

公开(公告)号：KR101077695B1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：KR1020080101792

申请日：2008-10-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  마쯔나가마사노부 ,  하세베가즈히데 ,  이노우에히사시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 복수매의피처리기판에대해함께플라즈마처리를실시하는반도체처리용종형플라즈마처리장치는, 처리가스의적어도일부를플라즈마화하는여기기구를구비한다. 여기기구는플라즈마발생영역을사이에두고대향하도록플라즈마생성박스에배치된제1 및제2 전극과, 제1 및제2 전극에플라즈마발생용고주파전력을공급하는고주파전원과, 고주파전원은제1 및제2 출력단자를구비하고, 제1 및제2 출력단자는각각접지및 비접지단자이다. 절환기구가배치되어, 제1 전원과제1 출력단자가접속되고또한제2 전극과제2 출력단자가접속된제1 상태와, 제1 전극과제2 출력단자가접속되고또한제2 전극과제1 출력단자가접속된제2 상태를절환한다.

公开(公告)号：KR100983452B1

公开(公告)日：2010-09-20

申请号：KR1020080135449

申请日：2008-12-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

Abstract: 실리콘 질화막의 형성 방법은, 우선 반응 용기의 처리 영역 내에서 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 질화막을 퇴적한다. 여기서, 제1 시간에 걸쳐 처리 영역 내에 실란계 가스를 포함하는 제1 처리 가스와 질화 가스를 포함하는 제2 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다. 다음에, 처리 영역 내에서 실리콘 질화막의 표면을 질화한다. 여기서, 제1 시간보다 짧은 제2 시간에 걸쳐, 처리 영역 내에 제1 처리 가스를 공급하지 않고 질화 가스를 포함하는 표면 처리 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 제2 온도 및 제2 압력으로 설정한다.
처리 용기, 웨이퍼 보트, 매니폴드, 가스 노즐, 승강 기구

Abstract translation: 在形成氮化硅膜的方法中，首先通过CVD在反应容器的处理区域中将氮化硅膜沉积在待处理的衬底上。 在此，第一次向处理区域供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并将处理区域设定为第一温度和第一压力。 接下来，氮化硅膜的表面在处理区域中被氮化。 这里，在比第一次短的第二时间内，供给含有硝化气体的表面处理气体而不向处理区供给第一处理气体，并且处理区设定为第二温度和第二压力 。

公开(公告)号：KR100940391B1

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：KR1020050077917

申请日：2005-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부타케 ,  엔도아츠시 ,  우메키마코토 ,  니시무라가츠미 ,  미나미마사카즈 ,  요시다마코토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 반도체 처리용의 성막장치는 클리닝 가스 공급계(17)와, 농도 측정부(27)와, 정보 처리부(102)를 포함한다. 클리닝 가스 공급계(17)는 반응실내에, 성막 가스로부터 유래하는 부생성물막을 반응실(2)의 내면으로부터 제거하는 클리닝을 실행하기 위한 클리닝 가스를 공급한다. 농도 측정부(27)는 반응실(2)내로부터 배출되는 배기 가스에 포함되는 소정의 성분의 농도를 모니터하기 위해서, 배기계(GE)에 설치된다. 정보 처리부(102)는 농도 측정부(27)에서 얻어진 측정치와, 사전 설정치를 비교하여, 클리닝의 종료 시점을 결정한다.

公开(公告)号：KR1020090084737A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：KR1020090007354

申请日：2009-01-30

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  나까지마시게루 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/452 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31612

Abstract: A film forming apparatus and a media which is readable by a computer is provided to form an insulating layer containing the silicon with the predetermined thickness by piling up the thin film per every cycle. The first process gas comprises the diisopropyl amino silane gas. The second process gas comprises the combustion gas or the nitrous gas. A film forming apparatus(1) has a reaction tube(2) of the cylindrical shape. The film forming apparatus comprises a controller(100) performing the equipment angle negative control. A gas outlet(4) is formed in the upper part of the reaction tube. The supply of the first process gas about the process area(2a) is performed.

Abstract translation: 提供可由计算机读取的成膜装置和介质，以通过每个循环堆叠薄膜来形成含有预定厚度的硅的绝缘层。 第一工艺气体包括二异丙基氨基硅烷气体。 第二工艺气体包括燃烧气体或亚硝气。 成膜装置（1）具有筒状的反应管（2）。 成膜装置包括执行设备角度负控制的控制器（100）。 气体出口（4）形成在反应管的上部。 围绕处理区域（2a）供应第一工艺气体。

公开(公告)号：KR1020090042159A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：KR1020080102110

申请日：2008-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 김선정 ,  최한메 ,  이명범 ,  오자끼데쯔시 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

Abstract: An apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to obtain an alumina film having thickness uniformity by supplying a raw material gas and an oxidation gas to each wafer with each gas injector. An opening part(21) formed in a bottom part of a reaction vessel(2) is integrally formed with a flange(22). A wafer boat(25) includes four support pillars(26). A first gas injector(31) and a second gas injector(34) are installed inside the reaction vessel. The first gas injector supplies a processing gas. The second gas injector supplies an oxidation gas and an inert gas. The first gas injector is connected to a raw material gas supply path(32) and a raw material supply source(33) in a top side. The second gas injector is branched to two, and is connected to an oxidation gas supply path(35) and an inert gas supply path(39) in a top side.

Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的装置和方法，以通过每个气体注射器向每个晶片供应原料气体和氧化气体来获得具有厚度均匀性的氧化铝膜。 形成在反应容器（2）的底部的开口部（21）与凸缘（22）一体形成。 晶片舟（25）包括四个支撑柱（26）。 第一气体喷射器（31）和第二气体喷射器（34）安装在反应容器的内部。 第一个气体注入器供应处理气体。 第二气体喷射器供应氧化气体和惰性气体。 第一气体喷射器与顶部的原料气体供给路径（32）和原料供给源（33）连接。 第二气体喷射器分支为两个，并且连接到顶部的氧化气体供给路径（35）和惰性气体供给路径（39）。