公开(公告)号：KR101533846B1

公开(公告)日：2015-07-03

申请号：KR1020080102110

申请日：2008-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 김선정 ,  최한메 ,  이명범 ,  오자끼데쯔시 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

Abstract: 반도체디바이스를제조하기위한기판(W)에α-알루미나를포함하는알루미나막을성막하는반도체디바이스제조장치는, 가열계(44)에의해반응용기(2) 내의처리분위기를 800 ℃이상, 1,000 ℃이하의범위내의온도로가열하는동시에, 제1 가스공급계(31)의가스공급구멍(311) 및제2 가스공급계(34)의가스공급구멍(341)으로부터반응용기(2) 내에원료가스와산화가스를동시에공급하여반응시킴으로써각 기판(W)의표면에알루미나막을성막한다. 제1 가스공급계(31) 및제2 가스공급계(34)의각각의가스공급구멍(311, 341)은, 반응용기(2) 내에서기판보유지지구(25)에보유지지되어있는각 기판(W)에대응하는높이위치에설치된다.

公开(公告)号：KR1020090042159A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：KR1020080102110

申请日：2008-10-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 김선정 ,  최한메 ,  이명범 ,  오자끼데쯔시 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

Abstract: An apparatus and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to obtain an alumina film having thickness uniformity by supplying a raw material gas and an oxidation gas to each wafer with each gas injector. An opening part(21) formed in a bottom part of a reaction vessel(2) is integrally formed with a flange(22). A wafer boat(25) includes four support pillars(26). A first gas injector(31) and a second gas injector(34) are installed inside the reaction vessel. The first gas injector supplies a processing gas. The second gas injector supplies an oxidation gas and an inert gas. The first gas injector is connected to a raw material gas supply path(32) and a raw material supply source(33) in a top side. The second gas injector is branched to two, and is connected to an oxidation gas supply path(35) and an inert gas supply path(39) in a top side.

Abstract translation: 提供一种用于制造半导体器件的装置和方法，以通过每个气体注射器向每个晶片供应原料气体和氧化气体来获得具有厚度均匀性的氧化铝膜。 形成在反应容器（2）的底部的开口部（21）与凸缘（22）一体形成。 晶片舟（25）包括四个支撑柱（26）。 第一气体喷射器（31）和第二气体喷射器（34）安装在反应容器的内部。 第一个气体注入器供应处理气体。 第二气体喷射器供应氧化气体和惰性气体。 第一气体喷射器与顶部的原料气体供给路径（32）和原料供给源（33）连接。 第二气体喷射器分支为两个，并且连接到顶部的氧化气体供给路径（35）和惰性气体供给路径（39）。

公开(公告)号：KR101201652B1

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：KR1020080012970

申请日：2008-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 처리용 열처리 방법은 처리 용기의 처리 영역 내에 간격을 두고 적층된 상태에서 복수의 피처리 기판을 수납한다. 피처리 기판은 처리 대상층을 표면에 갖는다. 다음에, 처리 영역에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 가열함으로써 산화성 가스 및 환원성 가스를 반응시켜 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시키고, 산소 활성종과 수산기 활성종을 사용하여 피처리 기판 상의 처리 대상층에 대해 산화를 행한다. 다음에, 산화 후의 처리 대상층을 오존 또는 산화성 활성종으로 이루어지는 어닐 가스의 분위기 중에서 가열함으로써 처리 대상층에 대해 어닐을 행한다.
반도체 처리용 열처리 장치, 피처리 기판, 산화성 가스, 환원성 가스, 어닐 가스

公开(公告)号：KR1020070122153A

公开(公告)日：2007-12-28

申请号：KR1020070061319

申请日：2007-06-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 안바이가쯔히꼬 ,  오이까와마사유끼 ,  시바따데쯔야 ,  다니유우이찌

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/22 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/324

Abstract: A quartz product and a heat treatment apparatus are provided to suppress copper contamination of a semiconductor substrate by improving a profile of the copper contamination in a depth direction of the copper contamination through baking of the quartz product. A quartz product is placed in a reaction vessel(2) for receiving a substrate and performing heat treatment to the substrate. At least a portion of the quartz product is located in a heating atmosphere in the reaction vessel. After the quartz product to be subjected to heat treatment is placed in the reaction vessel, baking gases including a hydrogen chloride gas and a gas for enhancing reactivity of the hydrogen chloride gas are supplied into the reaction vessel, while heating the reaction vessel. Copper contaminated during the manufacturing process of the quartz product is removed through a baking process, for copper concentration in a region from a surface to 30 micrometers depth of the quartz product to be controlled below 20 ppb.

Abstract translation: 提供了一种石英产品和热处理设备，以通过烧制石英产品来改善铜污染深度方向上的铜污染物的轮廓来抑制半导体衬底的铜污染。 将石英产品放置在反应容器（2）中，用于接收基材并对基材进行热处理。 至少一部分石英产品位于反应容器中的加热气氛中。 在将待加热处理的石英产品置于反应容器中之后，在加热反应容器的同时将包括氯化氢气体和用于提高氯化氢气体的反应性的气体的烘烤气体供给到反应容器中。 在石英产品的制造过程中被污染的铜通过烘烤过程被去除，从而将石英产物的表面至30微米深度的区域中的铜浓度控制在20ppb以下。

公开(公告)号：KR100964045B1

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：KR1020050122312

申请日：2005-12-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  다까하시유따까 ,  유메자와고따 ,  도미따마사히꼬

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0214 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/3144

Abstract: 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 반도체 처리용의 성막 방법은 피처리 기판을 로드하지 않은 상태에서 반응실 내의 부재에 예비 처리를 실시하는 공정과, 다음에 반응실 내에서 피처리 기판 상에 실리콘 산질화막을 형성하는 공정을 포함한다. 예비 처리는 반응실 내에 질화 가스 또는 산질화 가스를 포함하는 예비 처리 가스를 공급하는 동시에, 반응실 내를 제1 온도 및 제1 압력으로 설정한다.
열 처리 장치, 반응관, 정상부, 배기구, 배기관, 덮개

公开(公告)号：KR1020090016425A

公开(公告)日：2009-02-13

申请号：KR1020080077961

申请日：2008-08-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 와따나베마사히사 ,  이시이가쯔또시 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4405 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: A method for removing impurities from quartz component of batch type heat processing apparatus is provided to remove metallic impurity emitting the metallic impurity from the quartz component by performing a bake processing of the quartz inner surface of the treatment basin. In a method for removing impurities from quartz component of batch type heat processing apparatus, a plurality of processed substrates is received into the treatment basin(2) in a vertical direction by a certain intervals. The treatment basin has the quartz inner surface exposed to the thermal process. A heater(23) heats up the processing inside of container. An exhaust system(21) discharges exhaust gas of the processing inside of container. A processing gas supply system(4) supplies a process gas to the treatment basin. A gas including the chlorine and steam is supplied to the treatment basin. A bake processing to the quartz inner surface is preformed by heating the quartz inner surface of the treatment basin. Through the bake processing, the metallic impurity is emitted from the quartz inner surface and is adhered to the dummy substrate.

Abstract translation: 提供了一种从间歇式热处理装置的石英成分除去杂质的方法，通过对处理池的石英内表面进行烘烤处理，除去从石英成分发出金属杂质的金属杂质。 在从间歇式热处理装置的石英成分除去杂质的方法中，多个处理过的基板沿垂直方向一定间隔地被收纳到处理池（2）中。 处理池具有暴露于热过程的石英内表面。 加热器（23）加热容器内部的处理。 排气系统（21）排出容器内的处理废气。 处理气体供给系统（4）向处理池供给处理气体。 将包括氯气和蒸汽的气体供应到处理池。 通过加热处理池的石英内表面，对石英内表面进行烘烤加工。 通过烘烤处理，金属杂质从石英内表面发射并附着在虚设基板上。

公开(公告)号：KR101242274B1

公开(公告)日：2013-03-12

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은, 실리콘 소스 가스와 금속 소스 가스가 선택적으로 공급 가능한 처리 용기의 처리 영역 내에서, 피처리 기판 상에 금속 도프된 실리콘 함유 절연막을 형성하는 성막 처리를 행한다. 성막 처리는 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 절연 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 실리콘 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 금속 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제1 금속 박층을 형성하는 공정과, 다음에 상기 금속 소스 가스의 공급의 차단을 유지하는 동시에, 상기 실리콘 소스 가스를 화학적으로 반응시켜 제2 절연 박층을 형성하는 공정을 구비한다.
절연 박층, 금속 박층, 실리콘 소스 가스, 금속 소스 가스, 성막 장치

公开(公告)号：KR1020090110786A

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：KR1020090032026

申请日：2009-04-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가도나가겐따로오 ,  도네가와야마또 ,  주파오화 ,  하세베가즈히데 ,  시바따데쯔야

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/02145 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31612 ,  H01L29/792

Abstract: PURPOSE: A film forming method for a semiconductor process is provided to control metal concentration in forming a metal doped insulation film including silicon. CONSTITUTION: While supply of a metal source gas is blocked, a first insulation film is formed by chemically reacting to a silicon source gas(S1). While supply of the silicon source gas is blocked, a first metal film is formed by chemically reacting to the metal source gas(S2). While supply of the metal source gas is blocked, a second insulation film is formed by chemically reacting to the silicon source gas(S3). The first insulation film, the first metal film, and the second insulation film are successively laminated.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体工艺的成膜方法，以在形成包括硅的金属掺杂绝缘膜的过程中控制金属浓度。 构成：当金属源气体的供给被阻塞时，通过与硅源气体（S1）发生化学反应形成第一绝缘膜。 当硅源气体的供给被阻塞时，通过与金属源气体化学反应形成第一金属膜（S2）。 当金属源气体的供给被阻挡时，通过与硅源气体化学反应形成第二绝缘膜（S3）。 第一绝缘膜，第一金属膜和第二绝缘膜依次层叠。

公开(公告)号：KR1020080076766A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080012970

申请日：2008-02-13

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554

Abstract: A heat processing method and apparatus for a semiconductor process, and a computer readable medium are provided to enable an oxide layer or an oxide nitride layer having excellent electric characteristics to be formed. A heat processing method for a semiconductor process includes receiving a plurality of processed substrates in a process region(5) of a process vessel(4); supplying oxidizing gas and reducing gas in the process region, heating the process region to react the oxidizing gas and the reducing gas in order to produce active oxygen species and active hydro-species; oxidizing a target layer to be processed on the substrates using the active oxygen species and active hydro-species; and heating the target layer under anneal gas atmosphere composed of active ozone or oxidizing species.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体处理的热处理方法和装置以及计算机可读介质，以能够形成具有优异电特性的氧化物层或氧化物氮化物层。 一种用于半导体工艺的热处理方法包括在处理容器（4）的处理区域（5）中接收多个经处理的衬底; 在工艺区域供应氧化气体和还原气体，加热工艺区域以使氧化气体和还原气体反应，以产生活性氧和活性水物; 使用活性氧和活性水族物质在底物上氧化待处理的靶层; 并在由活性臭氧或氧化物质组成的退火气体气氛下加热目标层。

公开(公告)号：KR101232970B1

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：KR1020120024990

申请日：2012-03-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시바따데쯔야 ,  우메자와고오따 ,  이께우찌도시유끼

IPC: H01L21/324

Abstract: 반도체 처리용 열처리 방법은 처리 용기의 처리 영역 내에 간격을 두고 적층된 상태에서 복수의 피처리 기판을 수납한다. 피처리 기판은 처리 대상층을 표면에 갖는다. 다음에, 처리 영역에 산화성 가스 및 환원성 가스를 공급하는 동시에, 처리 영역을 가열함으로써 산화성 가스 및 환원성 가스를 반응시켜 산소 활성종과 수산기 활성종을 발생시키고, 산소 활성종과 수산기 활성종을 사용하여 피처리 기판 상의 처리 대상층에 대해 산화를 행한다. 다음에, 산화 후의 처리 대상층을 오존 또는 산화성 활성종으로 이루어지는 어닐 가스의 분위기 중에서 가열함으로써 처리 대상층에 대해 어닐을 행한다.