公开(公告)号：KR1020040013223A

公开(公告)日：2004-02-14

申请号：KR1020020046060

申请日：2002-08-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임광신 ,  전필권 ,  이헌정 ,  박상오 ,  고용균

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67313 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68707

Abstract: PURPOSE: An apparatus for fabricating an integrated circuit is provided to prevent wafers from being tilted and meeting each other and avoid a water spot in a dry process by making a wafer guide include a stopper rod. CONSTITUTION: Fluid is received in a chamber. A plurality of substrates are placed in a guide located inside the chamber. The guide includes at least one support rod and the stopper rod. The support rod supports the substrates. The stopper rod prevents adjacent substrates supported by the support rod from being tilted and meeting each other.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造集成电路的装置，以防止晶片倾斜并彼此相遇，并且通过制造晶片导向器包括止动杆来避免在干燥过程中的水斑。 构成：流体被接收在腔室中。 将多个基板放置在位于室内的引导件中。 引导件包括至少一个支撑杆和止动杆。 支撑杆支撑基板。 止动杆防止由支撑杆支撑的相邻基板倾斜并彼此相遇。

公开(公告)号：KR1020030048573A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：KR1020010078513

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  김경대 ,  박상오 ,  이보용 ,  이기석 ,  전필권

IPC: G01N9/00

Abstract: PURPOSE: A gas detector is provided to precisely detect uniformity of gas in equipment by detecting density of gas in each position of equipment. CONSTITUTION: A housing(20) is installed at an inner wall of equipment(10) filled up with gas. The housing(20) includes a light emitting section(16) and a gas detecting section(18) for detecting density of gas by measuring wavelengths of reflection light. A supporter(12) extends into an inner portion of equipment(10) from the housing(20). A reflection mirror(14) is mounted on an end of the supporter(12) in order to reflect light, which is radiated from the light emitting section(16), to a light detecting section. The supporter(12) allows gas molecules to flow into a space formed between the reflection mirror(14) and the housing(20). The supporter(12) has a plurality of supporting parts(12a) having cylindrical shapes and a fixing frame(12b).

Abstract translation: 目的：提供气体检测器，通过检测设备各个位置的气体密度，精确检测设备中气体的均匀性。 构成：在充满气体的设备（10）的内壁上安装一个外壳（20）。 壳体（20）包括通过测量反射光的波长来检测气体密度的发光部分（16）和气体检测部分（18）。 支撑件（12）从壳体（20）延伸到设备（10）的内部。 反射镜（14）安装在支撑体（12）的一端，以将从发光部分（16）辐射的光反射到光检测部分。 支撑体（12）允许气体分子流入形成在反射镜（14）和壳体（20）之间的空间。 支撑件（12）具有多个具有圆柱形状的支撑部分（12a）和固定框架（12b）。

公开(公告)号：KR1020030038018A

公开(公告)日：2003-05-16

申请号：KR1020010069422

申请日：2001-11-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  전필권 ,  이기석 ,  김우일

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L21/67253 ,  H01J37/32935

Abstract: PURPOSE: An end point detector in semiconductor fabrication equipment and method therefore are provided to obtain the real-time detection of the etching termination time point and to improve the sensitivity of the detection by using a plurality of optical wavelength. CONSTITUTION: Plasma light beam generated in a chamber(100) is divided into a plurality of optical signals having a different wavelength by using an optical device(220). A photoelectric conversion device(230) is used for transforming the optical signals to electric signals corresponding to the intensity of the optical signal, wherein the photoelectric conversion device(230) is provided with a plurality of unit conversion devices having a peculiar address, respectively. An A/D converter(240) is used for transforming the electric signals to luminous intensity data as digital data. A signal operation unit(300) is used for supplying accumulated luminous intensity data to a control system(400) in real time. Then, an etching termination time point of a plasma etching equipment is controlled by the control system(400) using the accumulated luminous intensity data.

Abstract translation: 目的：提供半导体制造装置中的端点检测器和方法，以获得蚀刻终止时间点的实时检测，并通过使用多个光波长来提高检测的灵敏度。 构成：通过使用光学装置（220）将在室（100）中产生的等离子体光束分成具有不同波长的多个光信号。 光电转换装置（230）用于将光信号变换为对应于光信号的强度的电信号，其中光电转换装置（230）分别具有多个具有特殊地址的单位转换装置。 A / D转换器（240）用于将电信号转换为作为数字数据的发光强度数据。 信号操作单元（300）用于将累计的发光强度数据实时地提供给控制系统（400）。 然后，使用累积的发光强度数据由控制系统（400）控制等离子体蚀刻设备的蚀刻终止时间点。

公开(公告)号：KR1020030015716A

公开(公告)日：2003-02-25

申请号：KR1020010049601

申请日：2001-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박동진 ,  김경대 ,  전상문 ,  황진호 ,  손일현 ,  박상오 ,  전필권

IPC: G03F7/32

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: PURPOSE: Provided is a composition which has excellent capability to remove an etching byproduct such as a polymer, an organic metallic polymer and a metal oxide, as well as a resist, and does not damage a lower film, and which does not leave the remnant or residue after rinsing. CONSTITUTION: The composition comprises an alkoxy N-hydroxyalkyl alkaneamide, and a swelling agent. The alkoxy N-hydroxyalkyl alkaneamide is represented by formula: R4-O-R3-CO-N-R1R2OH(wherein R1 is hydrogen atom, or hydrocarbon of C1-C5, R2, R3 and R4 are hydrocarbon of C1-C5 respectively). The content of the alkoxy N-hydroxyalkyl alkaneamide is 10-70 wt% based on total weight of the composition. The swelling agent is hydroxyamine salt. The hydroxyamine salt is hydroxyamine sulfate, hydroxyamine hydrochloride, hydroxyamine nitrate, hydroxyamine phosphate, hydroxyamine oxalate, hydroxyamine citrate, or mixture thereof.

Abstract translation: 目的：提供除去聚合物，有机金属聚合物和金属氧化物等蚀刻副产物以及抗蚀剂的优异能力的组合物，并且不会损伤下膜，并且不会留下残余物 或漂洗后的残留物。 构成：组合物包含烷氧基N-羟基烷基烷酰胺和溶胀剂。 烷氧基N-羟基烷基烷酰胺由下式表示：R4-O-R3-CO-N-R1R2OH（其中R1是氢原子，或C1-C5，R2，R3和R4分别是C1-C5的烃）。 烷氧基N-羟基烷基烷酰胺的含量为组合物总重量的10-70重量％。 溶胀剂是羟胺盐。 羟胺盐是羟胺硫酸盐，羟胺盐酸盐，硝酸羟胺，羟基胺磷酸盐，羟胺草酸盐，羟胺柠檬酸盐，或其混合物。

公开(公告)号：KR1019990074458A

公开(公告)日：1999-10-05

申请号：KR1019980008061

申请日：1998-03-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이진희 ,  이성재 ,  이석호 ,  전필권

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 반도체장치 제조공정에 사용되는 텅스텐플루라이드(WF
6 )가스 내부에 포함된 불화수소(HF)의 양을 분석할 수 있는 반도체장치 제조용 가스분석설비에 관한 것이다.
본 발명은, 공급되는 가스에 적외선(Infrared)을 주사함으로서 얻어지는 스펙트럼을 분석함으로서 상기 가스에 포함된 액체불순물의 양을 분석할 수 있는 푸리에 변환 적외 분광 광도계(Fourier transform infrared spectrophotometer), 상기 푸리에 변환 적외 분광 광도계 내부에 표준용 불화수소를 공급할 수 있는 불화수소 공급수단 및 상기 푸리에 변환 적외 분광 광도계 내부에 분석용 텅스텐플루라이드가스를 공급할 수 있는 텅스텐플루라이드가스 공급수단을 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
따라서, 반도체장치 제조공정에 사용되는 텅스텐플루라이드가스 내부에 존재하는 불화수소의 양을 분석할 수 있으므로 상기 불화수소에 의해서 공정불량이 발생하는 것을 미연에 방지할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980022379A

公开(公告)日：1998-07-06

申请号：KR1019960041507

申请日：1996-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상문 ,  이부섭 ,  김성일 ,  길준잉 ,  전필권 ,  전미숙

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 마스크로서 사용되는 포토레지스트층 중의 불필요한 에지부분의 포토레지스트 및 웨이퍼의 이면의 포토레지스트를 제거하는데 사용될 수 있는 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 반도체 제조공정의 포토레지스트 세정용 시너 조성물은, 에틸락테이트(EL)와 에틸-3-에톡시프로피오네이트(EEP)를 혼합하여 이루어질 수 있으며, 바람직하게는 에틸락테이트와 에틸-3-에톡시프로피오네이트의 혼합물에 감마-부티로락톤(GBL)을 더 혼합하여 이루어질 수 있다.
따라서, 웨이퍼의 에지나 이면 포토레지스트를 충분히 빠른 속도로 효과적으로 제거할 수 있도록 하여 반도체 장치의 수율을 향상시킬 수 있으며, 또한 표면에 부착되어 있는 잔여 포토레지스트를 완벽하게 제거하여 웨이퍼를 재사용할 수 있도록 하여 웨이퍼의 재사용 및 경제적인 사용을 가능하게 하는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR101742176B1

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：KR1020110009334

申请日：2011-01-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김국주 ,  김진호 ,  채승기 ,  전필권 ,  박선희 ,  변경은

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/522 ,  H01L21/76829 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 반도체소자및 그제조방법에서, 기판상에제1 층간절연막을형성한다. 상기제1 층간절연막을관통하여제1 연결배선을형성한다. 상기제1 층간절연막상에식각저지막및 제2 층간절연막을형성한다. 또한, 상기제2 층간절연막및 식각저지막을관통하여, 상기제1 연결배선과전기적으로접촉하는제2 연결배선과, 상기제2 연결배선들사이에배치되고전기적으로고립된더미패턴을형성한다.

Abstract translation: 在半导体器件及其制造方法中，第一层间绝缘膜形成在基板上。 并且穿过第一层间绝缘膜形成第一连接布线。 蚀刻停止膜和第二层间绝缘膜形成在第一层间绝缘膜上。 第二连接布线，其贯穿第二层间绝缘膜和蚀刻停止膜并且与第一连接布线电接触;以及电绝缘虚设图案，其设置在第二连接布线之间。

公开(公告)号：KR1020140139842A

公开(公告)日：2014-12-08

申请号：KR1020130060464

申请日：2013-05-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고용균 ,  김세연 ,  정경환 ,  김종수 ,  전필권

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3065 ,  F04B37/14 ,  H01J37/241 ,  H05H1/46

Abstract: 본 발명은 반도체 제조설비 및 그의 세라믹 박막 코팅 방법을 개시한다. 그의 세라믹 박막 코팅 방법은, 세라믹 파우더를 제공하는 단계와, 상기 세라믹 파우더에 불순물을 주입하는 단계와, 상기 불순물이 주입된 상기 세라믹 파우더를 챔버의 내에 분사하여 상기 챔버의 내벽을 세라믹 박막으로 코팅하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 세라믹 파우더는 이리듐 산화막을 포함할 수 있다.

Abstract translation: 本发明公开了一种半导体制造设备和涂覆陶瓷薄层的方法。 涂覆陶瓷薄层的方法包括：提供陶瓷粉末; 向陶瓷粉末注入杂质; 并将其中注入杂质的陶瓷粉末喷射到室中以在室的内壁上涂覆陶瓷薄层。 在这种情况下，陶瓷粉末包括氧化铱层。

公开(公告)号：KR1020100007461A

公开(公告)日：2010-01-22

申请号：KR1020080068104

申请日：2008-07-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박정대 ,  전필권 ,  이보용 ,  최태효 ,  이다희 ,  채승기

IPC: C11D11/00 ,  C11D7/08 ,  C11D7/28 ,  C11D7/32 ,  C11D7/26 ,  C11D1/66

CPC classification number: C11D11/0052 ,  C11D7/08 ,  C11D7/28 ,  C11D7/3209 ,  C11D1/66 ,  C11D7/265

Abstract: PURPOSE: A cleaning solution for quartz parts is provided to effectively remove an impurity thin film and particle remaining on the surface of quartz parts applied to a semiconductor manufacturing apparatus without excessive damage to the quartz parts. CONSTITUTION: A cleaning solution for removing thin film and particle remaining on the surface of quartz parts applied to a semiconductor manufacturing apparatus comprises an ammonium compound 5-20 weight%, acidic oxidizer 10-55 weight%, fluorine compound 5-30 weight% and extra water. A method for cleaning the quartz parts comprises the steps of: (S120) providing the cleaning solution for quartz parts to the quartz parts with remaining impurity thin film; and (S130) removing the impurity thin film by a cleaning process.

Abstract translation: 目的：提供用于石英部件的清洁溶液，以有效地除去残留在施加到半导体制造装置的石英部件的表面上的杂质薄膜和颗粒，而不会对石英部件造成过度损害。 构成：用于除去保留在半导体制造装置上的石英部件表面残留的薄膜和颗粒的清洗液包括5-20重量％的铵化合物，10-55重量％的酸性氧化剂，5-30重量％的氟化合物和5-30重量％的氟化合物， 额外的水。 一种用于清洗石英部件的方法包括以下步骤：（S120）向具有剩余杂质薄膜的石英部件提供用于石英部件的清洁溶液; 和（S130）通过清洗处理去除杂质薄膜。

公开(公告)号：KR100696379B1

公开(公告)日：2007-03-19

申请号：KR1020050034666

申请日：2005-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이헌정 ,  이양구 ,  전필권 ,  박상오 ,  우재영

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/04 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67126

Abstract: 본 발명은 나노 파티클의 역흡착이 없는 세정 장치 및 세정 방법을 개시한다. 본 발명은 피처리물을 세정하기 위한 처리액이 채워지는 세정조와, 상기 세정조의 상부에 배치되어 상기 피처리물을 건조시키기 위한 유체가 상단부에서 제공되는 건조실을 포함한다. 또한, 상기 세정조와 상기 건조실 사이를 이동하며 상기 피처리물을 이송하는 이송 수단을 포함한다. 여기서, 상기 건조실이 밀폐되도록 상기 건조실 하단부에 활주 가능하게 배치되며 상기 건조실 내로 제공된 상기 건조용 유체를 배기시키는 배기판을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하면, 웨이퍼 간격이 조밀함으로써 생기는 웨이퍼 센터 부위에서의 유체 흐름에 대한 저항 증가가 상쇄됨으로써 건조용 유체의 흐름이 균일한 층류가 된다.
반도체 웨이퍼, 세정 장치, 세정조, 건조실, 이소프로필알코올(IPA)