公开(公告)号：KR101603771B1

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：KR1020090100307

申请日：2009-10-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우윤성 ,  서순애 ,  김동철 ,  정현종

IPC: C01B31/00 ,  C01B31/04 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684

Abstract: 전자소자및 그제조방법이개시된다. 개시된전자소자는, 2차원시트물질로형성된제1 내지제3요소를구비한다. 제1 내지제3요소는순차로또는그 반대순서로적층되어, 제2요소는제1요소와제3요소사이에위치한다. 제2요소는절연성을가지며, 제1 및제3요소는각각금속성및 반도체특성중 어느하나를가지도록형성될수 있다.

公开(公告)号：KR101480082B1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020080099353

申请日：2008-10-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신재광 ,  서순애 ,  김종섭 ,  홍기하 ,  정현종

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7613 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66977

Abstract: 그라핀을 이용한 양자 간섭 트랜지스터와 그 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 그라핀을 이용한 양자 간섭 트랜지스터는 소오스, 드레인 및 채널이 모두 그라핀 시트이고, 채널은 경로차를 갖는 복수 경로를 포함하고, 상기 복수 경로 중 어느 하나 이상에 게이트가 마련되어 있다. 상기 경로차는 상기 복수 경로를 경유하는 전자의 파동들이 상기 드레인에서 상쇄간섭 또는 보강간섭을 일으키는 경로차일 수 있다

公开(公告)号：KR1020140121197A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：KR1020130037664

申请日：2013-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종 ,  서형석 ,  박성준 ,  변경은 ,  송현재 ,  양희준 ,  허진성

IPC: H01L29/872 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L29/47 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/74 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7839 ,  C01B32/182

Abstract: 그래핀 소자 및 이의 제조 방법이 개시된다. 개시된 그래핀 소자는 반도체 기판와, 반도체 기판 상의 일 영역에 배치된 그래핀층와, 그래핀층 상의 제1 영역에 형성된 제1 전극과, 그래핀층 상의 제2 영역에 형성된 제2 전극과, 그래핀층과 상기 제2 전극의 사이에 개재되는 절연층과, 반도체 기판 상의 그래핀층이 형성되지 않은 제3 영역에 형성된 제3 전극을 포함하며, 반도체 기판은 제1 전극, 그래핀층, 및 반도체 기판의 접합에 의해 제2 전극에 전압이 인가될 때보다 인가되지 않을 때 더 큰 쇼트키 배리어를 갖는다.

Abstract translation: 公开了一种石墨烯装置及其制造方法。 所公开的石墨烯装置包括半导体衬底，布置在半导体衬底的一个区域上的石墨烯层，形成在石墨烯层的第一区域上的第一电极，形成在第二区域上的第二电极， 石墨烯层，介于石墨烯层和第二电极之间的绝缘层，以及形成在半导体衬底上的没有石墨烯层的第三区域上的第三电极。 与通过第一电极，石墨烯层和半导体衬底的接合不施加到第二电极的电压相比，半导体衬底包括施加电压到第二电极的大的肖特基势垒。

公开(公告)号：KR1020140077230A

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：KR1020120132603

申请日：2012-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동욱 ,  신현진 ,  박성준 ,  변경은 ,  서형석 ,  송현재 ,  우윤성 ,  이재호 ,  정현종 ,  허진성

IPC: C01B31/02 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01L21/02527 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  C01B32/184 ,  H01B13/00

Abstract: The present invention relates to a method for preparing graphene and a graphene applied device comprising the same. The method for preparing graphene comprises: a step of forming a silicon carbide thin film on a substrate; a step of forming a metal thin film on the silicon carbide thin film; and a step of treating the silicon carbide thin film and the metal thin with heat to form a metal composite layer and graphene on the substrate.

Abstract translation: 本发明涉及一种制备石墨烯的方法和包括该石墨烯的石墨烯施加装置。 制备石墨烯的方法包括：在基材上形成碳化硅薄膜的步骤; 在碳化硅薄膜上形成金属薄膜的步骤; 以及通过热处理碳化硅薄膜和金属薄层以在基板上形成金属复合层和石墨烯的步骤。

公开(公告)号：KR101392451B1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：KR1020070058575

申请日：2007-06-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  이장원 ,  정현종

IPC: H01L33/02

Abstract: 그래핀을이용한적외선발광소자를개시한다. 개시된적외선발광소자는, 소스영역및 드레인영역과, 그사이의발광영역을포함하며상기소스영역, 드레인영역및 발광영역이일체형으로형성된발광층; 상기발광영역에형성된게이트전극; 및상기발광층으로부터상기게이트전극을이격시키는절연층;을구비하며, 상기소스영역으로부터상기드레인영역으로의제1방향과직교하는제2방향에서상기소스영역및 드레인영역의폭이상기발광영역보다더 넓은것을특징으로한다.

公开(公告)号：KR101327788B1

公开(公告)日：2013-11-11

申请号：KR1020070071285

申请日：2007-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정현종 ,  정란주 ,  서순애 ,  김동철 ,  이장원 ,  김언정

IPC: G01R33/00

Abstract: 자기장 센서 및 그를 이용한 자기장 측정 방법을 개시한다. 본 발명의 자기장 센서는 적어도 하나의 도전성 라인 및 상기 도전성 라인에 연결된 적어도 하나의 도전성 루프를 갖는 소자를 포함하고, 상기 도전성 라인과 상기 도전성 루프는 2차원 고체를 포함하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020130077405A

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020110146099

申请日：2011-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 유원종 ,  이대영 ,  장강 ,  라창호 ,  임영대 ,  정현종 ,  최재영

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833

Abstract: PURPOSE: A memory device consisting of one graphene transistor and a method for manufacturing and operating the same are provided to perform a high speed operation by using a graphene channel. CONSTITUTION: A first, a second, and a third electrode are separated from each other. A graphene layer (34) is in contact with the second and the third electrode. The graphene layer is insulated from the first electrode. The graphene layer is a memory layer. The graphene layer has the density of charge trap sites.

Abstract translation: 目的：提供由一个石墨烯晶体管组成的存储器件及其制造和操作方法，以通过使用石墨烯通道来执行高速操作。 构成：第一，第二和第三电极彼此分离。 石墨烯层（34）与第二和第三电极接触。 石墨烯层与第一电极绝缘。 石墨烯层是记忆层。 石墨烯层具有电荷陷阱位置的密度。

公开(公告)号：KR1020130022854A

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：KR1020110085820

申请日：2011-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  정현종 ,  송현재 ,  박성준 ,  서형석 ,  양희준

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/1606 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684

Abstract: PURPOSE: A graphene switching device including a tunable barrier is provided to prevent a graphene defect by forming an energy gap between an electrode and a graphene current path using a semiconductor barrier. CONSTITUTION: A gate oxide layer(120) is formed on a substrate(110). The gate oxide layer is made of silicon oxide or silicon nitride. A graphene layer(130) is formed on the gate oxide layer. A semiconductor layer(140) and a first electrode(151) are successively laminated on a first region of the graphene layer. A second electrode(152) is formed on a second region which is separated from the first region of the graphene layer.

Abstract translation: 目的：提供包括可调屏障的石墨烯开关装置，以通过使用半导体屏障在电极和石墨烯电流路径之间形成能隙来防止石墨烯缺陷。 构成：在衬底（110）上形成栅氧化层（120）。 栅氧化层由氧化硅或氮化硅制成。 在栅极氧化物层上形成石墨烯层（130）。 半导体层（140）和第一电极（151）依次层叠在石墨烯层的第一区域上。 第二电极（152）形成在与石墨烯层的第一区域分离的第二区域上。

公开(公告)号：KR1020120076061A

公开(公告)日：2012-07-09

申请号：KR1020100138041

申请日：2010-12-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 정현종 ,  이재홍 ,  이재호 ,  신형철 ,  서순애 ,  이성훈 ,  허진성 ,  양희준

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/823412

Abstract: PURPOSE: A graphene electric component equipped with a plurality of graphene channel layers is provided to increase current transition speed between a drain electrode and a source electrode by forming the plurality of graphene channel layers into a double layer structure. CONSTITUTION: A gate electrode(120) is formed on a substrate(110). A first gate insulating layer(131) covering the gate electrode is formed on the substrate. A first graphene channel layer(141) is formed on the first gate insulating layer. A second gate insulating layer(132) is formed on the first graphene channel layer. A second graphene channel layer(142) is formed on the second gate insulating layer. A source electrode(150) and a drain electrode(160) are formed on the first graphene channel layer and the second graphene channel layer.

Abstract translation: 目的：提供装配有多个石墨烯通道层的石墨烯电气部件，以通过将多个石墨烯通道层形成双层结构来增加漏电极和源电极之间的电流转变速度。 构成：在基板（110）上形成栅电极（120）。 在基板上形成覆盖栅电极的第一栅极绝缘层（131）。 在第一栅绝缘层上形成第一石墨烯通道层（141）。 第一栅极绝缘层（132）形成在第一石墨烯沟道层上。 在第二栅绝缘层上形成第二石墨烯通道层（142）。 源电极（150）和漏电极（160）形成在第一石墨烯沟道层和第二石墨烯沟道层上。

公开(公告)号：KR1020120059022A

公开(公告)日：2012-06-08

申请号：KR1020100120614

申请日：2010-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허진성 ,  서순애 ,  이성훈 ,  정현종 ,  양희준

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66431

Abstract: PURPOSE: A graphene electric component is provided to improve mobility of a graphene channel layer by forming a plurality of nano-holes of a narrow interval on the graphene channel layer and to reduce depression of the graphene channel layer. CONSTITUTION: A gate oxide(120) is formed on a silicon substrate. A graphene channel layer(130) is formed on the gate oxide. A plurality of nano-holes(132) is arranged on the graphene channel layer in a lateral direction of the graphene channel layer. A source electrode(142) and a drain electrode(144) are formed on both ends of the graphene channel layer. A passivation layer covering the graphene channel layer is formed between the source electrode and the drain electrode. The diameter of each nano-hole is 1 to 20nm. The width of the graphene channel layer is 100nm to 5micrometers.

Abstract translation: 目的：提供石墨烯电气部件以通过在石墨烯通道层上形成窄间隔的多个纳米孔并减少石墨烯通道层的压下来改善石墨烯通道层的迁移率。 构成：在硅衬底上形成栅极氧化物（120）。 在栅极氧化物上形成石墨烯通道层（130）。 在石墨烯通道层的横向方向上的多个纳米孔（132）被布置在石墨烯通道层上。 源极电极（142）和漏电极（144）形成在石墨烯通道层的两端。 在源电极和漏电极之间形成覆盖石墨烯沟道层的钝化层。 每个纳米孔的直径为1〜20nm。 石墨烯通道层的宽度为100nm至5微米。