박막 태양전지 제조방법
    41.
    发明公开
    박막 태양전지 제조방법 失效
    制造薄膜太阳能电池的方法和方法中使用的非晶硅的结晶方法

    公开(公告)号:KR1020100027896A

    公开(公告)日:2010-03-11

    申请号:KR1020080086990

    申请日:2008-09-03

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film solar cell and a method for crystallizing amorphous silicon for the same are provided to uniformly crystallize an amorphous silicon layer by scanning a laser beam on a seed layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer is formed on a glass substrate. A p-type amorphous silicon layer is formed on the transparent electrode layer. An i-type amorphous silicon layer is formed on the p-type layer. A seed layer is formed on the i-type layer. A laser beam is scanned on the seed layer to crystallize the i-type layer. An n-type amorphous silicon layer is formed on the crystallized i-type layer. An electrode layer is formed on the n-type layer.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造薄膜太阳能电池的方法和用于使非晶硅结晶的方法,用于通过在种子层上扫描激光来均匀地结晶非晶硅层。 构成:在玻璃基板上形成透明电极层。 在透明电极层上形成p型非晶硅层。 在p型层上形成i型非晶硅层。 种子层形成在i型层上。 在种子层上扫描激光束以使i型层结晶。 在结晶的i型层上形成n型非晶硅层。 在n型层上形成电极层。

    전하저장 소자 및 그의 제조방법
    42.
    发明公开
    전하저장 소자 및 그의 제조방법 失效
    充电储存装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100026639A

    公开(公告)日:2010-03-10

    申请号:KR1020080085716

    申请日:2008-09-01

    Abstract: PURPOSE: A charge storage device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the manufacturing cost of a memory device by forming a charge storage layer and a blocking insulation layer using an identical mixing gas. CONSTITUTION: A tunneling insulation layer(13) is formed on a substrate(11). A charge storage layer(15) is formed on the tunneling insulation layer and includes a first band gap energy. A blocking insulation layer(17) including a second band gap energy is formed on the charge storage layer. A control gate(19) is formed on the blocking insulation layer. The composition ratio of a mixing gas for the charge storage layer is different from the composition ratio for the blocking insulation layer.

    Abstract translation: 目的:提供电荷存储装置及其制造方法,以通过使用相同的混合气体形成电荷存储层和阻挡绝缘层来降低存储器件的制造成本。 构成:在衬底(11)上形成隧道绝缘层(13)。 电荷存储层(15)形成在隧道绝缘层上并且包括第一带隙能量。 在电荷存储层上形成包括第二带隙能量的阻挡绝缘层(17)。 在阻挡绝缘层上形成控制栅极(19)。 用于电荷存储层的混合气体的组成比不同于阻挡绝缘层的组成比。

    실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법 및 이 구조를 이용한 게이트 메모리
    43.
    发明授权
    실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법 및 이 구조를 이용한 게이트 메모리 失效
    使用硅干法蚀刻的晶圆上的纳米金字塔型结构的方法和使用该结构的栅极存储器

    公开(公告)号:KR100789987B1

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:KR1020050043406

    申请日:2005-05-24

    Abstract: RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법이 개시된다. 본 발명은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계; RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계; 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.

    패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법
    46.
    发明授权
    패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법 有权
    制造太阳能电池图案的玻璃基板的方法及其使用的太阳能电池的方法

    公开(公告)号:KR101506116B1

    公开(公告)日:2015-03-26

    申请号:KR1020140062175

    申请日:2014-05-23

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/046 H01L21/027 H01L31/04 H01L31/18

    Abstract: 본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
    본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池用图案化玻璃基板的制造方法及使用太阳能电池用图案化玻璃基板的太阳能电池的制造方法。 根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的图案化玻璃基板的方法包括以下步骤:制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积掩模层; 在掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有图案的掩模并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂; 通过使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模来图案化掩模层; 通过使用图案化的掩模层蚀刻玻璃基板的表面,去除图案化的光致抗蚀剂并且在玻璃基板的表面上进行纹理化; 并去除掩模层。

    태양전지용 유리 기판 제조방법 및 그에 의해 제조된 태양전지용 기판
    47.
    发明授权
    태양전지용 유리 기판 제조방법 및 그에 의해 제조된 태양전지용 기판 有权
    用于制造太阳能电池的玻璃基板和太阳能电池的玻璃基板的方法

    公开(公告)号:KR101484442B1

    公开(公告)日:2015-01-28

    申请号:KR1020140012507

    申请日:2014-02-04

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 태양전지용 유리 기판 제조방법이 개시된다. 태양전지용 유리 기판 제조방법은 유리 기판 상에 제1 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크층을 패터닝하여 상기 제1 마스크층에 규칙적으로 배열되고 상기 유리 기판을 노출시키는 복수의 제1 원형 개구를 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 상기 제1 마스크층을 마스크로 이용하여 상기 유리 기판의 표면을 식각하는 단계를 포함한다.

    Abstract translation: 公开了一种太阳能电池用玻璃基板的制造方法。 该方法包括以下步骤:在玻璃基板上形成第一掩模层; 图案化第一掩模层以形成多个第一圆形开口,其规则地布置在第一掩模层上以暴露玻璃基板; 并通过使用图案化的第一掩模层作为掩模来蚀刻玻璃基板的表面。

    유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법
    48.
    发明授权
    유무기 하이브리드 적층형 태양전지의 제조방법 有权
    混合串联太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101420077B1

    公开(公告)日:2014-08-14

    申请号:KR1020140067616

    申请日:2014-06-03

    CPC classification number: Y02E10/549 H01L31/076 H01L31/042 H01L31/18 H01L51/42

    Abstract: Disclosed is a solar cell with the layers of organic and inorganic hybrid units on its top. The solar cell with organic and inorganic hybrid units arranged in layers comprises a first inorganic solar cell unit, a second inorganic solar cell unit, intermediate electrode layer, and an organic solar cell unit. A first p-type semiconductor layer of the first inorganic solar cell unit comprises a first thin film composed of a p-type dopant doped amorphous hydrogenated silicon, and a second thin film composed of a p-type dopant doped amorphous hydrogenated silicon oxide. The solar cell with organic and inorganic hybrid units arranged in layers can increase an open circuit voltage (Voc).

    Abstract translation: 公开了一种在其顶部具有有机和无机混合单元层的太阳能电池。 具有排列成层的有机和无机混合单元的太阳能电池包括第一无机太阳能电池单元,第二无机太阳能电池单元,中间电极层和有机太阳能电池单元。 第一无机太阳能电池单元的第一p型半导体层包括由p型掺杂剂掺杂的非晶氢化硅构成的第一薄膜和由p型掺杂剂掺杂的非晶形氢化氧化硅构成的第二薄膜。 具有分层排列的有机和无机混合单元的太阳能电池可以增加开路电压(Voc)。

    초고효율을 나타내는 이종접합 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법
    50.
    发明授权
    초고효율을 나타내는 이종접합 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법 有权
    具有超高效能的异质硅太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:KR101318326B1

    公开(公告)日:2013-10-15

    申请号:KR1020110122524

    申请日:2011-11-22

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 본 발명은 표면에 텍스처가 다수 형성된 결정질 실리콘 기판 상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 에미터층 상기 에미터층의 상면에 형성된 패시베이션층 상기 패시베이션층의 상면에 형성된 비정질 박막 적층체 상기 비정질 박막 적층체의 상면에 형성된 전면전극 및 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 이종접합 실리콘 태양전지는 표면 텍스처링된 결정질 실리콘 기판 상에 비정질 박막 적층체를 형성함으로써 기존의 평면구조의 태양전지에 비해 면적을 향상시키고 단락전류의 일치를 통해 초고효율을 나타낼 수 있다.

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