Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a thin film solar cell and a method for crystallizing amorphous silicon for the same are provided to uniformly crystallize an amorphous silicon layer by scanning a laser beam on a seed layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer is formed on a glass substrate. A p-type amorphous silicon layer is formed on the transparent electrode layer. An i-type amorphous silicon layer is formed on the p-type layer. A seed layer is formed on the i-type layer. A laser beam is scanned on the seed layer to crystallize the i-type layer. An n-type amorphous silicon layer is formed on the crystallized i-type layer. An electrode layer is formed on the n-type layer.
Abstract:
PURPOSE: A charge storage device and a method for manufacturing the same are provided to reduce the manufacturing cost of a memory device by forming a charge storage layer and a blocking insulation layer using an identical mixing gas. CONSTITUTION: A tunneling insulation layer(13) is formed on a substrate(11). A charge storage layer(15) is formed on the tunneling insulation layer and includes a first band gap energy. A blocking insulation layer(17) including a second band gap energy is formed on the charge storage layer. A control gate(19) is formed on the blocking insulation layer. The composition ratio of a mixing gas for the charge storage layer is different from the composition ratio for the blocking insulation layer.
Abstract:
RF 플라즈마 반응관 내에서 반응가스를 혼합하고 RF 입력파워의 조절을 통하여 플라즈마를 발생시켜 반응성 이온 에칭 방법으로 실리콘 웨이퍼를 건식 식각하여 실리콘 웨이퍼 표면에 나노 피라미드 형태의 구조를 형성하고, 형성된 나노 피라미드 형태의 구조를 통하여 플로팅 게이트 메모리의 양자점과의 접촉면을 증가시켜 플래시 메모리의 데이터 저장 용량을 증대시키기 위한 실리콘 건식식각을 이용한 웨이퍼 표면의 나노 피라미드 구조 형성방법이 개시된다. 본 발명은, 진공 상태의 RF 플라즈마 반응관내부의 전극에 실리콘 웨이퍼를 투입하는 웨이퍼 투입 단계; RF 플라즈마 반응관 내부에 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스를 주입하는 가스 주입 단계; 가스가 주입된 RF 플라즈마 반응관 내부에 RF 전력을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 단계; 투입되는 불화유황(SF6)과 산소(O2)가스의 유량이 상기 불화유황(SF6) : 산소(O2)가 20~25sccm : 10~15sccm의 가스 분압을 가지도록 조정하고, RF 플라즈마 반응관 내부에 인가되는 RF 전력을 90~110W로 조정함으로서 조정된 플라즈마를 통하여 상기 실리콘 웨이퍼를 나노 피라미드 형태로 건식 식각하는 실리콘 웨이퍼 표면 식각 단계를 포함하는 것이다.
Abstract:
본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.
Abstract:
태양전지용 유리 기판 제조방법이 개시된다. 태양전지용 유리 기판 제조방법은 유리 기판 상에 제1 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크층을 패터닝하여 상기 제1 마스크층에 규칙적으로 배열되고 상기 유리 기판을 노출시키는 복수의 제1 원형 개구를 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 상기 제1 마스크층을 마스크로 이용하여 상기 유리 기판의 표면을 식각하는 단계를 포함한다.
Abstract:
Disclosed is a solar cell with the layers of organic and inorganic hybrid units on its top. The solar cell with organic and inorganic hybrid units arranged in layers comprises a first inorganic solar cell unit, a second inorganic solar cell unit, intermediate electrode layer, and an organic solar cell unit. A first p-type semiconductor layer of the first inorganic solar cell unit comprises a first thin film composed of a p-type dopant doped amorphous hydrogenated silicon, and a second thin film composed of a p-type dopant doped amorphous hydrogenated silicon oxide. The solar cell with organic and inorganic hybrid units arranged in layers can increase an open circuit voltage (Voc).
Abstract:
태양전지용 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 챔버 내에 위치한 타겟 지지부 상에 산화 금속물을 타겟으로 장착하고, 상기 챔버 내에 위한 서셉터 상에 기판을 장착한다. 상기 기판 및 상기 타겟 간의 타겟 각도를 조절한 후, 상기 기판 상에 상기 타겟 물질을 증착시켜 텍스쳐가 형성된 산화 금속막을 형성한다. 여기서, 상기 타겟 각도는 상기 타겟 표면의 법선과 상기 기판간에 이루는 각으로 정의된다.
Abstract:
본 발명은 표면에 텍스처가 다수 형성된 결정질 실리콘 기판 상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 에미터층 상기 에미터층의 상면에 형성된 패시베이션층 상기 패시베이션층의 상면에 형성된 비정질 박막 적층체 상기 비정질 박막 적층체의 상면에 형성된 전면전극 및 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 이종접합 실리콘 태양전지는 표면 텍스처링된 결정질 실리콘 기판 상에 비정질 박막 적층체를 형성함으로써 기존의 평면구조의 태양전지에 비해 면적을 향상시키고 단락전류의 일치를 통해 초고효율을 나타낼 수 있다.