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公开(公告)号：KR100988390B1
公开(公告)日：2010-10-18
申请号：KR1020080012330
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: C23C16/455 , C23C16/00
CPC classification number: H01L21/3141 , C23C16/44 , C23C16/45536 , H01J2237/0041 , H01J2237/08 , H01J2237/3142 , H01L21/31604
Abstract: 본 발명은 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 이용하여, ALD 또는 ALD-LIKE-CVD 공정에서 평탄막 또는 트랜치 사이를 채우는 산화막을 심(Seam) 또는 보이드(Void) 없이 고르게 증착시켜 균일성 및 밀도를 높일 수 있으며, 이에 따라 ALD 및 ALD - LIKE CVD 장치에 따른 산화막을 실시간으로 처리함으로써, 고밀도의 평탄막 또는 65nm 이하의 얕은 트랜치(Shallow Trench) 형성에 따른 보이드(Void), 심(Seam) 문제 또는 저밀도 문제를 해결할 수 있고, 차세대 반도체 산화막 분리 공정을 향상시킬 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하기 위한 것이다.
그 기술적 구성은 반도체 기판 내 패턴을 형성하기 위하여, 산화막을 증착시키는 ALCVD 장치와 상기 패턴 간에 증착되는 산화막의 심(Seam) 또는 보이드(Void)를 제거하기 위하여, 이온빔을 중성빔으로 변환하고, 상기 중성빔을 상기 패턴을 위해 증착되는 산화막에 조사하여 표면처리하는 중성빔 발생부를 포함하는 것을 그 특징으로 한다.
이온, 소스, 중성빔, 갭-필, ALD, CVD, 산화막, 반도체, 트랜치Abstract translation: 使用由所述中性束发生装置产生的中性束，由氧化物均匀地沉积本发明的平膜或在ALD或ALD-LIKE-CVD过程中没有接缝（接缝）的沟槽或空隙（空隙）的均匀性和之间填 可以增加密度，使ALD和ALD - 通过处理按照实时LIKE CVD装置的氧化膜的，根据平膜或65纳米或更小的高密度的（浅沟槽）形成的空隙（空隙），芯的浅沟槽（接缝） 并且提供能够解决问题或低密度问题并且能够改善下一代半导体氧化物膜分离工艺的衬底处理设备和衬底处理方法。
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公开(公告)号：KR1020090067553A
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：KR1020070135247
申请日：2007-12-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265
Abstract: A substrate surface composition incorporation apparatus using a neutral beam and a method thereof are provided to enhance performance of a next-generation semiconductor device by improving characteristics of an oxide layer applied to the next-generation semiconductor device. A substrate surface composition incorporation apparatus using a neutral beam and a method thereof includes an ion beam generating gas injector, an ion source unit, a grid assembly, a reflector, and a stage. The substrate surface composition incorporation apparatus is installed in the inside of a plasma generating chamber. The ion beam generating gas injector injects a gas for generating an ion beam. The ion source unit generates the ion beam having the polarity from the gas introduced through the ion beam generating gas injector. The grid assembly is installed at one end of the ion source unit. The reflector is formed to convert the ion beam to a neutral beam. The stage is formed to position a processing target substrate on a traveling path of the neutral beam. The neutral beam is incorporated with surface compositions generated from the processing target substrate in order to change characteristics of a processing layer of the processing target substrate.
Abstract translation: 提供使用中性光束的衬底表面组合物并入装置及其方法，以通过改善施加到下一代半导体器件的氧化物层的特性来提高下一代半导体器件的性能。 使用中性光束的基板表面组合物并入装置及其方法包括离子束产生气体注入器，离子源单元，栅格组件，反射器和台。 基板表面组合物结合装置安装在等离子体发生室的内部。 离子束产生气体注入器注入用于产生离子束的气体。 离子源单元从通过离子束发生气体注入器引入的气体产生具有极性的离子束。 电网组件安装在离子源单元的一端。 反射器被形成为将离子束转换成中性光束。 台阶形成为将处理目标基板定位在中性梁的行进路径上。 为了改变处理对象基板的处理层的特性，将中性光束与由处理对象基板生成的表面组成结合。
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公开(公告)号：KR100775509B1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060087073
申请日：2006-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05B33/22
CPC classification number: H01L51/5253 , H01L51/5218 , H01L51/5275 , H01L51/56 , H01L2251/5315
Abstract: A top emission organic light emitting display device using an organic protection layer and a method for manufacturing the same are provided to implement an efficient electronic injection by having a barium having a low work function of 2.7eV as a transparent protection layer. A top emission organic light emitting display device using layers protecting organic layers includes an organic protection layer(100). The organic light emitting display device of an active type and a passive type is composed of a transparent conducting electrode. When the transparent conducting electrode is manufactured, the organic protection layer prevents a damage of an organic material which is located on a lower layer from a generated energy. The organic protection layer is manufactured by forming at least one or two layers sequentially. A single layer or a plurality of layers are doped on at least one layer with metal or non-metal.
Abstract translation: 提供了使用有机保护层的顶部发射有机发光显示装置及其制造方法，通过具有作为透明保护层的2.7eV的低功函的钡来实现有效的电子注入。 使用保护有机层的层的顶部发射有机发光显示装置包括有机保护层（100）。 有源类型和无源型的有机发光显示装置由透明导电电极组成。 当制造透明导电电极时，有机保护层可防止位于下层的有机材料受到发生的能量的损害。 通过依次形成至少一层或两层来制造有机保护层。 在金属或非金属的至少一层上掺杂单层或多层。
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公开(公告)号：KR100756227B1
公开(公告)日：2007-09-06
申请号：KR1020040003917
申请日：2004-01-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/32
Abstract: 본 발명은 TFT-LCD와 같은 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 장치이다. 본 발명에 의하면, 식각 공정이 다른 공정과 인라인으로 진행될 수 있도록 기판이송부가 제공되며, 상압에서 플라즈마가 안정하고 균일하게 발생될 수 있도록 글로우 방전을 유도하기 위해 상부전극의 아래에 절연판이 제공되고, 공정진행시 가스의 온도를 낮추기 위해 비반응성 가스가 공급된다.
플라즈마, 식각, TFT-LCD, FPD, 절연판, 비반응성 가스-
公开(公告)号：KR100748392B1
公开(公告)日：2007-08-10
申请号：KR1020060060244
申请日：2006-06-30
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 이중 주파수를 이용한 초대면적 플라스마 발생장치에 관한 것으로서, 식각 또는 증착공정을 수행할 기판이 장착되는 스테이지, 스테이지와 분리 가능하고, 플라스마 처리장치 영역을 갖는 반응챔버, 반응챔버를 덮는 덮개, 반응챔버와 덮개를 결합하는 조립 프레임, 플라스마 처리장치 영역 내에서 배치되어 있으며, 일 측은 전원에 접속되고, 타 측은 접지되어 있는 다수의 안테나 조립체가 각각 병렬로 구성되는 제1 및 제2의 안테나 소스 및 각각의 안테나 조립체를 중심으로 양쪽에 각각 배치되는 다수의 자성체 조립체를 포함하며, 제1의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m개의 안테나 조립체를 구비하고, 제2의 안테나 소스는 각각 동일 전력이 인가되는 m-1개의 안테나 조립체를 구비하며, 제1의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체와 제2의 안테나 소스의 각각의 안테나 조립체는 교대로 배치되고, 제1의 안테나 소스에 인가된 입력전력과 제2의 안테나 소스에 인가된 입력전력은 서로 다른 크기이고 동시에 인가되는 구성을 마련한다.
이와 같은 초대면적 플라스마 발생장치를 이용하는 것에 의해 플라스마의 균일도를 최대한 향상시킴으로써, 좀 더 나은 고밀도의 플라스마를 얻을 수 있다.
플라스마, 이중주파수, 유도전력부, 안테나소스, 안테나조립체-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100687481B1
公开(公告)日：2007-02-27
申请号：KR1020060026720
申请日：2006-03-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/306
Abstract: A chemically assisted neutral beam etching system and an etching method are provided to easily obtain a neutral beam by installing a reflector between an ion source and a substrate to be etched. A chemically assisted neutral beam etching system comprises a neutral beam generating device and a reaction chamber(707). The neutral beam generating device has a ion beam generating gas inlet port(705) introducing a gas to generate an ion beam, an ion source(703) for generating the ion beam having polarity from the gas introduced from the ion beam generating gas inlet port, a grid assembly provided on the ion source, and a reflector(704) converting the ion beam into a neutral beam. The reaction chamber has a reactive gas inlet port(701), a stage(708) for positioning a substrate(702), and a reactive gas supply member.
Abstract translation: 提供化学辅助的中性束蚀刻系统和蚀刻方法以通过在离子源和待蚀刻的衬底之间安装反射器来容易地获得中性束。 化学辅助的中性束蚀刻系统包括中性束产生装置和反应室（707）。 中性束产生装置具有：引入气体以产生离子束的离子束产生气体入口端口（705）;用于从由离子束产生气体入口端口引入的气体产生具有极性的离子束的离子源（703） ，设置在离子源上的栅格组件以及将离子束转换成中性束的反射器（704）。 反应室具有反应气体入口端口（701），用于定位衬底（702）的台（708）以及反应气体供应部件。
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公开(公告)号：KR1020060062741A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101683
申请日：2004-12-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/203
CPC classification number: H01J37/32422 , H01J37/321
Abstract: 본 발명은, 고주파의 고전압을 인가하여 주입된 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생챔버와, 상기 플라즈마로부터 특정 극성을 갖는 이온빔을 추출하여 통과시키는 그리드홀이 각기 대응하는 위치에 적어도 하나 이상 형성되어 있으며, 이온빔 통과 방향으로 일정 간격을 유지하며 이격되는 복수의 그리드로 이루어지는 그리드 어셈블리를 구비하여 구성되는 이온빔 소오스에 있어서, 상기 플라즈마 발생챔버에 단속적으로 고주파의 고전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 이온빔 소오스를 제공한다.
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公开(公告)号：KR102245712B1
公开(公告)日：2021-04-28
申请号：KR1020190075038
申请日：2019-06-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 나노입자코팅장치가개시된다. 상기나노입자코팅장치는유전체; 상기유전체상에배치되는제1 전극; 상기제1 전극의반대편에서상기유전체를상기제1 전극과의사이에두고, 상기유전체와이격되게배치되는제2 전극; 상기제1 전극및 상기제2 전극에전압을인가하는전원공급장치; 및상기제1 전극및 상기제2 전극에전압이인가되면플라즈마가발생하는영역으로서, 상기유전체와상기제2 전극사이에위치하는플라즈마발생부를포함하고, 상기제2 전극의일부또는전체는상기플라즈마발생부에노출되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR102214673B1
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：KR1020190021745
申请日：2019-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/072 , H01L31/10
Abstract: 광전소자가개시된다. 광전소자는기판; 기판상에서제1 방향으로서로이격되게배치된제1 전극과제2 전극; 및 M+N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고제1 방향을따라연장된하나이상의제1 영역및 제1 영역의하부 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로부터연장된 N개의전이금속디칼코게나이드분자층으로이루어지고제1 영역과인접한위치에서제1 방향으로따라연장된하나이상의제2 영역을포함하고, 제1 및제2 영역들의상기제1 방향에따른양쪽단부영역들은제1 및제2 전극에각각전기적으로연결된전이금속디칼코게나이드박막을구비한다.
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公开(公告)号：KR102165039B1
公开(公告)日：2020-10-14
申请号：KR1020190137982
申请日：2019-10-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/324 , H01J37/32 , C23C16/448 , H01L21/67
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