절연막의 제조방법
    42.
    发明公开
    절연막의 제조방법 无效
    制造绝缘层的方法

    公开(公告)号:KR1020150019949A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:KR1020130097456

    申请日:2013-08-16

    CPC classification number: H01L21/3122

    Abstract: 수소화 폴리실록사잔 또는 수소화 폴리실라잔; 및 용매를 포함하는 조성물을 기판에 도포하고, 상기 조성물을 UV 조사한 후 얻어진 막을 항온항습 조건에서 처리하고, 상기 결과물을 200℃ 내지 700℃의 온도에서 열처리하는 공정을 포함하는 절연막의 제조방법을 제공한다.

    Abstract translation: 提供一种制造绝缘层的方法,其包括以下步骤:将包含聚硅氧氮硅烷氢氧化物或聚硅氮烷氢氧化物和溶剂的组合物喷涂在基材上; 在恒温恒湿条件下处理在组合物上发射紫外线后获得的层; 并将结果热处理在200至700摄氏度。

    포지티브형 감광성 수지 조성물
    44.
    发明授权
    포지티브형 감광성 수지 조성물 有权
    正型感光树脂组合物

    公开(公告)号:KR101354640B1

    公开(公告)日:2014-01-27

    申请号:KR1020110147877

    申请日:2011-12-30

    CPC classification number: G03C1/61 G03F7/0226 G03F7/0233 G03F7/0751 G03F7/105

    Abstract: (A) 폴리벤조옥사졸 전구체, 폴리이미드 전구체 및 이들의 조합에서 선택되는 알칼리 가용성 수지, (B) 감광성 디아조퀴아논 화합물, (C) 페놀화합물, (D) 유기 염료 및 (E) 용매를 포함하는 포지티브형 감광성 수지 조성물을 제공하며, 상기 유기 염료(D)는 흡광 파장이 590 내지 700 nm인 적어도 하나의 적색 염료, 흡광 파장이 550 내지 590 nm인 적어도 하나의 황색 염료 및 흡광 파장이 450 내지 500 nm인 적어도 하나의 청색 염료이다.

    Abstract translation: (A)包括聚苯并恶唑前体,所述聚酰亚胺前体和碱溶性树脂被从组合中选择,(B)感光性直径jokwi匿名化合物,(C)的酚化合物,(d)的有机染料和(E)溶剂 正提供了一种光敏树脂组合物,其中所述有机染料(d),其是590至700nm的至少一种红色染料,至少一种黄色染料和550〜590nm的450到吸收波长的吸收波长的吸收波长 500nm。

    포지티브형 감광성 수지 조성물
    46.
    发明公开
    포지티브형 감광성 수지 조성물 有权
    正型型感光树脂组合物

    公开(公告)号:KR1020130078760A

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:KR1020110147877

    申请日:2011-12-30

    CPC classification number: G03C1/61 G03F7/0226 G03F7/0233 G03F7/0751 G03F7/105

    Abstract: PURPOSE: A positive photosensitive resin composition is provided to have an excellent light shielding without inhibiting the intrinsic physical property of an insulating layer by preventing the degradation of the insulation property, pattern development and residual removal rate. CONSTITUTION: A positive photosensitive resin composition comprises (A) alkali soluble resin selected from a polybenzoxazole precursor, a polyimide precursor and their combination; (B) a photosensitive diazoquinone compound; (C) a phenol compound; (D) organic dye; and (E) a solvent. The organic dye (D) includes at least one red dye with light absorption wavelengths of 590-700 nm, at least one yellow dye with light absorption wavelengths of 550-590 nm, and at least blue dye with light absorption wavelengths of 450-500 nm.

    Abstract translation: 目的:提供正型感光性树脂组合物,通过防止绝缘性,图案形成和残留除去率的劣化,具有优异的遮光性而不会妨碍绝缘层的固有物性。 构成:正型感光性树脂组合物包含(A)选自聚苯并恶唑前体,聚酰亚胺前体及其组合的碱溶性树脂; (B)光敏重氮醌化合物; (C)酚化合物; (D)有机染料; 和(E)溶剂。 有机染料(D)包括至少一种具有590-700nm光吸收波长的红色染料,至少一种具有550-590nm光吸收波长的黄色染料,至少蓝色染料的光吸收波长为450-500 纳米。

    수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법
    47.
    发明公开
    수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 有权
    用于聚硅氧烷类薄膜的溶液及其使用聚甲基硅氧烷薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130051759A

    公开(公告)日:2013-05-21

    申请号:KR1020110117090

    申请日:2011-11-10

    Abstract: PURPOSE: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane is provided to sharply peel the interference of the polyhydrosiloxazane thin film. CONSTITUTION: A rinse solution for a polyhydrosiloxazane comprises an alcohol-based solvent, an ester-based solvent, a silanol-based solvent, an alkoxysilane-based solvent, an alkylsilazane-based solvent, and a combination thereof. The additives are selected from n-butanol, octanol, trimethylsilanol, triethylsilanol, hexamethyldisilazane, hexaethyldisilazane, tetraethoxysilane, tetraethoxysilane, tetramthoxysilane, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Residual film observation; (BB) Film thickness: 500nm; (CC) About 3mm; (DD) About 10mm

    Abstract translation: 目的:提供多羟基硅氮烷的漂洗溶液,以便清除多羟基硅氮烷薄膜的干扰。 构成:多羟基硅氮烷的漂洗溶液包括醇系溶剂,酯系溶剂,硅烷醇系溶剂,烷氧基硅烷系溶剂,烷基硅烷系溶剂及其组合。 添加剂选自正丁醇,辛醇,三甲基硅烷醇,三乙基硅烷醇,六甲基二硅氮烷,六乙基二硅氮烷,四乙氧基硅烷,四乙氧基硅烷,四甲氧基硅烷及其组合。 (附图标记)(AA)残留膜观察; (BB)膜厚:500nm; (CC)约3mm; (DD)约10mm

    수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법
    48.
    发明公开
    수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 有权
    用于聚硅氧烷类薄膜的溶液及其使用聚甲基硅氧烷薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020130028587A

    公开(公告)日:2013-03-19

    申请号:KR1020110092241

    申请日:2011-09-09

    CPC classification number: C11D7/5022 C11D7/5009 C11D11/0047

    Abstract: PURPOSE: A rinse solution for a hydrogenated polysiloxazane thin film is provided to sharply separate the edge cutting portion of a hydrogenated polysiloxazane thin film. CONSTITUTION: A rinse solution for hydrogenated polysiloxazane thin film comprises a first solvent which is selected from a ketone-based solvent, ether-based solvent, ester-based solvent, and combination thereof; and a second solvent which is selected from a terpene-based solvent and combination thereof, and does not have an alcohol group. The first solvent is selected from propylene glycol monomethyl ether acetate, di-n-butylether, cyclohexanone, n-butyl acetate, methyl-i-butyl ketone, anisole, and a combination thereof. [Reference numerals] (AA) Residual film observation; (BB) Film thickness: 500nm; (CC) About 3mm; (DD) About 10mm

    Abstract translation: 目的:提供氢化聚硅氧烷氮化物薄膜的冲洗溶液,以锐化分离氢化聚硅氧氮烷薄膜的边缘切割部分。 构成:氢化聚硅氧烷氮化物薄膜的冲洗溶液包括选自酮系溶剂,醚系溶剂,酯系溶剂及其组合的第一溶剂; 和选自萜烯系溶剂及其组合的第二溶剂,不具有醇基。 第一溶剂选自丙二醇单甲醚乙酸酯,二正丁基醚,环己酮,乙酸正丁酯,甲基异丁基酮,苯甲醚及其组合。 (附图标记)(AA)残留膜观察; (BB)膜厚:500nm; (CC)约3mm; (DD)约10mm

    반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법
    49.
    发明授权
    반도체 캐패시터용 충전제 및 상기 충전제를 사용한 반도체 캐패시터의 제조 방법 有权
    用于半导体电容器的填料和使用该半导体电容器制造半导体电容器的方法

    公开(公告)号:KR101107004B1

    公开(公告)日:2012-01-25

    申请号:KR1020090100776

    申请日:2009-10-22

    Abstract: 말단에 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함하는 반도체 캐패시터용 충전제를 제공한다. 또한 반도체 기판 위에 갭(gap)을 가지는 몰드를 형성하는 단계, 상기 반도체 기판 및 상기 몰드 위에 도전층을 형성하는 단계, 상기 갭 및 상기 도전층 위에 충전제를 도포하여 충전층을 형성하는 단계, 상기 충전층을 열처리하는 단계, 상기 충전층의 일부를 현상하여 상기 갭에 채워진 충전 패턴을 형성하는 단계, 상기 도전층의 일부를 제거하여 복수의 제1 전극으로 분리하는 단계, 상기 몰드 및 상기 충전 패턴을 제거하는 단계, 상기 제1 전극 위에 유전체층을 형성하는 단계, 그리고 상기 유전체층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 캐패시터의 제조 방법을 제공한다. 여기서, 상기 충전제는 말단에 화학식 1로 표현되는 3차 알킬옥시카르보닐기(tertiary alkyloxycarbonyl)를 가지는 실리콘계 중합체를 포함한다.
    반도체 캐패시터, 충전제, 현상성, 충전성, 보관 안정성

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