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公开(公告)号：KR101305381B1
公开(公告)日：2013-09-06
申请号：KR1020110126210
申请日：2011-11-29
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: G02B3/08 , F24S23/00 , F24S23/31 , F24S40/52 , F24S50/80 , H01L31/054 , H01L31/0543 , Y02E10/43 , Y02E10/44 , Y02E10/52
Abstract: 태양광 시뮬레이터 하부에 개방된 면적을 제어할 수 있는 조절부가 결합된 집광비 제어장치를 장착하여 조절부를 조절함에 따라서 개방 면적이 조절되고, 그 결과 조절부 하부에 놓인 프레넬 렌즈를 통해 입사되는 광량을 변화시켜서 집광기 아래에 놓인 태양전지 표면에 조사되는 광량 즉, 집광비를 조절할 수 있는 집광형 태양전지용 집광비 제어장치를 제공한다. 본 발명의 실시예에 따른 집광형 태양전지용 집광비 제어장치는 광원으로부터 조사되는 광량을 1차적으로 집광하는 제1 집광부, 제1 집광부의 하부와 태양전지 사이에 배치되어 제1 집광부를 통과한 광량을 2차적으로 집광하여 태양전지로 조사하는 제2 집광부, 광원과 제1 집광부 사이에 배치되어 외력에 따라 제1 집광부의 집광 면적을 조절하여 제1 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부, 및 입력되는 신호를 분석하여 조절부로 해당되는 구동 제어신호를 공급하는 제어부를 포함한다. 집광부로 집광되는 광량을 조절하는 조절부의 개방면 형상은 사각형, 원형 또는 다각형일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020100091773A
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：KR1020090011125
申请日：2009-02-11
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: PURPOSE: The manufacturing method of the self assembling half - quantum structure water diversifies the temperature of substrate and injection amount of non-metal. In that way the size of the half - quantum structure water and form and density can be controlled easily. CONSTITUTION: The half - quantum structure water having the band gap bigger in the top of the substrate than the band gap of substrate is formed. Metal and the non-metal comprising the compound semiconductor having the band gap biging than the band gap of substrate are respectively selected. The metal selected in pressure less than 1×10-9torr is injected into substrate and the metal droplet is formed.
Abstract translation: 目的：自组装半量子结构水的制造方法使基体的温度和非金属的注入量多样化。 以这种方式，可以容易地控制半量子结构水的尺寸和形状和密度。 构成：形成具有衬底顶部带隙大于衬底带隙的半量子结构水。 分别选择包含具有比基板的带隙大的带隙的化合物半导体的金属和非金属。 将压力小于1×10-9torr的金属注入衬底中，形成金属液滴。
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公开(公告)号：KR1020090041062A
公开(公告)日：2009-04-28
申请号：KR1020070106577
申请日：2007-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02439 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L29/205
Abstract: A method for manufacturing In(As)Sb semiconductor on a lattice mismatched substrate and a semiconductor device using the same are provided to reduce the defect due to the lattice mismatch between the semiconductor layer and the semiconductor substrate by using a quantum dot layer. An oxide film formed in a surface of the semiconductor substrate(10) for preventing the oxidation is removed. The semiconductor substrate removing the oxide film is provided to a vacuum chamber. The semiconductor substrate is fixed in a holder inside the vacuum chamber. Before forming the quantum dot layer on the semiconductor substrate, a buffer layer(20) made of the same material as the semiconductor substrate is formed on the semiconductor substrate. The temperature of a semiconductor substrate maintains the optimum growth temperature of each semiconductor substrate material in forming a buffer layer. The quantum dot layer(30) is formed on the semiconductor substrate.
Abstract translation: 提供了在晶格失配衬底上制造In（As）Sb半导体的方法和使用其的半导体器件，以通过使用量子点层来减少由于半导体层和半导体衬底之间的晶格失配引起的缺陷。 形成在用于防止氧化的半导体衬底（10）的表面中的氧化膜被去除。 去除氧化膜的半导体衬底被提供到真空室。 半导体衬底固定在真空室内的保持器中。 在半导体衬底上形成量子点层之前，在半导体衬底上形成由与半导体衬底相同材料制成的缓冲层（20）。 半导体衬底的温度在形成缓冲层时保持每个半导体衬底材料的最佳生长温度。 量子点层（30）形成在半导体衬底上。
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公开(公告)号：KR100721479B1
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020060000244
申请日：2006-01-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 양자점 구조를 가지는 반도체 장치 제작시, 저밀도 양자점 구조를 가지는 반도체 장치를 제작하기 위한 발명에 관한 것으로서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 화합물 반도체의 구성 원소들을 원소별로 증착하고, 소정의 시간 동안 증착을 멈추고 대기하는 단계; d) 원하는 두께의 양자점 구조가 생성될 때까지 소정의 회수만큼 상기 단계 c)를 반복하는 단계; 및 e) 상기 양자점 상에 덮개층을 형성하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 화합물 반도체 장치의 제작 방법을 제공함으로써 저밀도 양자점을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있다.
저밀도 양자점, 화합물 반도체, InAs, MBE, 단일 광자 광원Abstract translation: 本发明涉及在制造具有量子点结构的半导体器件中用于制造具有低密度量子点结构的半导体器件的发明，其包括以下步骤：a）准备衬底; b）在衬底上形成缓冲层; c）按元素沉积化合物半导体元件的组成元素，停止并等待沉积预定时间; d）重复步骤c）预定次数直至产生所需厚度的量子点结构; e）在量子点上形成盖层，通过提供一种制造具有量子点结构的化合物半导体器件的方法，可以实现具有低密度量子点的半导体器件。
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公开(公告)号：KR100644970B1
公开(公告)日：2006-11-14
申请号：KR1020050003016
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/00
Abstract: 본 발명은 양자점 성장시 생성되는 결함을 수소화 처리를 통하여 줄여서, 반도체 소자의 광특성 뿐만 아니라 전기적 특성을 향상시킬 수 있는, 양자점 구조를 가지는 광 소자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 광 소자 제조 방법은, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판 상에 제 1 도전층을 형성하는 단계; c) 상기 제 1 도전층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; e) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; f) 상기 양자점을 덮는 덮개층을 형성하는 단계; g) 상기 덮개층 상에 제 2 도전층을 형성하는 단계; 및 h) 수소화 처리를 실시하는 단계를 포함한다.
양자점, InAs, InGaAs, GaAs, 수소화 처리, 결함-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060082495A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：KR1020050002871
申请日：2005-01-12
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: H01S5/3408 , H01L29/0688 , H01S5/2228 , H01S5/34333
Abstract: 본 발명은 양자점의 상·하에 비대칭적 반도체층들을 형성하여 광통신에 이용되는 1.3 내지 1.5 ㎛ 대역의 장파장을 얻을 수 있는, 양자점 상하에 비대칭 반도체 양자우물층을 구비하는 광소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 기판과, 기판 위에 형성되는 제 1 양자우물층과, 제 1 양자우물층 위에 형성되는 다수의 양자점과, 다수의 양자점을 덮으며 상기 제 1 양자우물층과 비대칭을 이루는 제 2 양자우물층을 포함하는 광소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 양자점 상하에 비대칭 반도체층을 형성시킴으로써, 밴드갭 구조가 이상적인 0차원 양자점에 근접하게 된다. 또한 바람직한 구체적인 실시예로서, InAs 양자점 및 InGaAs 양자우물을 GaAs 기판에 성장시킨 경우, 본 발명은 InGaAs 양자우물층의 두께가 종래보다 얇게 되어 다층의 InAs 양자점을 성장시킬 수 있고, 이로 인해 광 이득이 증가되어 소자를 동작시키기 위한 전력을 감소시킬 수 있다. 또한 본 발명에 의하면, 광통신에 이용되는 1.3 ㎛ 대역 이상의 장파장을 GaAs 기판으로부터 얻을 수 있다.
반도체 양자점, InGaAs, InAs, 장파장, 양자우물, 비대칭, 격자 부정합-
47.发明授权양자점 무질서화 기술에서 유전체 덮개층 조합에 의한ＩｎＧａＡｓ/ＧａＡｓ 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법 失效通过介电吸收层在量子阱中的组合控制InGaAs / GaAs量子能量束带的方法
公开(公告)号：KR100502884B1
公开(公告)日：2005-07-25
申请号：KR1020010088867
申请日：2001-12-31
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/15
Abstract: 본 발명은 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭을 조정하는 방법에 관한 것으로서, InGaAs/GaAs 양자점 기판을 성장하는 단계와, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 2중 유전체 덮개층을 성장하는 단계와, 2중 유전체 덮개층이 성장된 InGaAs/GaAs 양자점 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 InGaAs/GaAs 양자점 에너지 밴드갭 조정 방법을 제공한다. InGaAs/GaAs 양자점 기판에 유전체 덮개층으로 SiN
x 와 SiO
2 를 성장하고, 700℃에서 1 내지 4분간 열처리한 결과, InGaAs/GaAs 양자점 기판에 국부적으로 다른 에너지 밴드갭이 형성되었고 공정 조건에 의존하여 에너지 밴드갭의 이동량이 변화하는 것을 관찰하며, 이와 함께 반치폭 값의 감소 현상과 스펙트럼 강도의 증가 현상을 관찰한다.-
公开(公告)号：KR1020050041121A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：KR1020030076161
申请日：2003-10-30
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01S5/34
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0654 , H01S5/1014 , H01S5/1017 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/3406 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S2304/04
Abstract: 본 발명은 스트레인 보상 다층양자우물을 이용하는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 다수의 압축 스트레인 우물층과 다수의 긴장 스트레인 장벽층으로 이루어진 스트레인 보상 다층양자우물을 갖는 에피 구조를 이용함으로써, 다층양자우물에서의 오제 재결합 발생 확률을 감소시키고, 다층양자우물의 온도 안정성을 더욱 향상시켜 양자 효율을 증가시키며, 최대 광출력 및 단일모드 광출력을 증가시킬 수 있는 단일모드형 레이저 다이오드 및 그 제조 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050039911A
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020030074986
申请日：2003-10-27
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L29/06
CPC classification number: H01L29/127 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02518 , H01L21/02617
Abstract: 본 발명은 ALE(Atomic Layer Epitaxy)를 사용하여 반도체 양자점들(semiconductor quantum dots)을 성장시키기 위한 방법에 관한 것이다. 이 방법은 a) 기판을 마련하는 단계와, b) 반도체 양자점을 성장시키기 위한 물질들을 적어도 하나의 시간 간격을 갖는 사전설정된 시퀀스(sequence)에 따라 상기 기판 상에 주입하는 단계와, c) 단계 b)를 사전설정된 횟수만큼 반복하여 반도체 양자점을 성장시키는 단계를 포함한다. 여기서, 단계 b)는 ALE(Atomin Layer Epitaxy) 법을 사용하여 수행되며, 주입 물질들은 금속 원자와 비금속 원자를 포함한다.
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公开(公告)号：KR100440731B1
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：KR1020010064353
申请日：2001-10-18
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L43/02
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a magnetoresistive thin film of a magnetoresistive spin valve by using a difference of coercive force is provided to form a spin valve structure that expresses high magnetoresistivity and high magnetic sensitivity in a low magnetic field, by controlling the spin of a CoFe layer and a NiFe layer while using a coercive force. CONSTITUTION: The CoFe layer is formed as the first ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 20-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-10 milliTorr so that the CoFe layer has high coercive force. The NiFe layer is formed as the second ferromagnetic layer by a thickness of 20-100 angstrom in a condition that sputtering power is 30-100 watt and the partial pressure of Ar is 1-15 milliTorr so that the NiFe layer has low coercive force.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用矫顽力差来制造磁阻自旋阀的磁阻薄膜的方法，以形成在低磁场中表现高磁阻率和高磁灵敏度的自旋阀结构，其通过控制 CoFe层和NiFe层，同时使用矫顽力。 构成：在溅射功率为20-100瓦，Ar分压为1-10毫乇的条件下，CoFe层形成为第一铁磁层，厚度为20-100埃，因此CoFe层具有高矫顽力 力。 在溅射功率为30-100瓦，Ar分压为1-15毫乇的条件下，NiFe层以20-100埃的厚度形成为第二铁磁层，使得NiFe层具有低矫顽力。
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