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公开(公告)号：KR101695708B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/473 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在衬底上的有源区; 入口通道形成为隐藏在所述基板的一侧中的单个空腔; 出口通道形成为埋在基板的另一侧中的单个腔; 微通道阵列，其包括多个微通道，其中所述多个微通道形成为埋在所述衬底中的多个空腔，并且所述微通道阵列的一端连接到所述入口通道的一侧，而另一端 的微通道阵列连接到出口通道的一侧; 以及将微通道彼此分离的微型散热器阵列。
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公开(公告)号：KR101677297B1
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020100131434
申请日：2010-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L41/29 , H01L41/1136 , H01L41/31 , H01L41/316 , H01L41/317 , H01L41/318 , H02N2/188 , Y10T29/42
Abstract: 본발명은압전마이크로에너지수확기와이의제조방법에관한것으로, 기판; 상기기판내에기설정된깊이와폭을가지고형성되고, 상부가개방된구조를가지는열린공동; 상기기판상에형성되고, 포집된전기에너지를외부로전달하는제1 전극패드, 제2 전극패드; 일단이상기제1 전극패드에연결되고타단이상기열린공동의상부에부양되는중앙전극체와, 일단이상기제2 전극패드에연결되고타단이상기열린공동의상부에부양되는측면전극체를포함하고, 발생된전기에너지를포집하는전극체; 및상기중앙전극체및 상기측면전극체사이와상기전극체의상부면에형성되고, 기계적스트레인변화에상응하여전기에너지를발생하는압전막을포함하고, 각각임의의크기를갖는다수의소자로구성되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 公开了一种压电微能量收集器及其制造方法，该方法包括：在基板上形成绝缘膜; 图案化绝缘膜并形成电极焊盘图案，中心电极图案和侧面电极图案; 在所述基板的内部形成开放空腔，以悬浮所述中心电极图案和所述侧面电极图案; 在电极焊盘图形，中心电极图案和侧面电极图案上设置导电膜，形成电极焊盘，中心电极和侧面电极; 以及形成压电膜以覆盖中心电极和侧电极之间的空间以及中心电极和侧电极的上表面。
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公开(公告)号：KR1020150077737A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020130166516
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/66 , H01L29/47 , H01L21/02 , H01L21/283 , H01L21/321 , H01L29/20 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/3212 , H01L21/0254 , H01L21/283 , H01L21/28575 , H01L21/28581 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/452 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/475 , H01L29/778
Abstract: 본발명의질화물반도체소자의제조방법에관한것으로제 1 및제 2 질화물반도체층들이차례로적층된성장기판상에복수의전극들을형성하는것, 상기각각의전극들상에상부금속층들을형성하는것, 상기성장기판을제거하여상기제 1 질화물반도체층의하면을노출하는것 및상기노출된제 1 질화물반도체층의하면상에제 3 질화물반도체층및 하부금속층을차례로형성하는것을포함하는질화물반도체소자의제조방법이제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造氮化物半导体器件的方法。 提供了一种制造氮化物半导体器件的方法，其包括在生长衬底上形成电极，其中连续堆叠第一和第二氮化物半导体层，在每个电极上形成上部金属层，将第一氮化物半导体层的下表面暴露于第一氮化物半导体层的下表面 去除生长衬底，以及在暴露的第一氮化物半导体层的下表面上形成第三氮化物半导体层和下金属层。
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公开(公告)号：KR1020130055867A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121523
申请日：2011-11-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H02N2/18
CPC classification number: H02N2/188 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , H01L41/1134
Abstract: PURPOSE: A piezoelectric micro-generator and a manufacturing method thereof are provided to facilitate mass production with a simple structure to use various kinds of materials as a proof mass and to easily combine a piezoelectric structure of a micro-generator with a package. CONSTITUTION: A piezoelectric micro-generator(100) includes a silicone base(180), a lower electrode(120), a piezoelectric film(130), an upper electrode(160), a proof mass(200), and a frame(220). The lower electrode is formed on the silicone base. The piezoelectric film is formed on the lower electrode and generates electric energy by responding to changes in mechanical strain. The upper electrode is formed on the piezoelectric film. The proof mass is combined with a part of the bottom surface of the silicone base and controls sensing frequency characteristics. The frame includes an open cavity of a certain size, and is combined with a part of the bottom surface of the silicone base in order to allow the proof mass to be located in the cavity, thereby enabling the piezoelectric structure to be suspended.
Abstract translation: 目的：提供一种压电微发电机及其制造方法，以便于以简单的结构进行批量生产，以使用各种材料作为检验质量，并且容易地将微型发电机的压电结构与封装结合。 构造：压电微发电机（100）包括硅基（180），下电极（120），压电薄膜（130），上电极（160），检验质量块（200）和框架 220）。 下电极形成在硅树脂基底上。 压电薄膜形成在下电极上，通过响应机械应变的变化产生电能。 上电极形成在压电膜上。 检测质量与硅酮底座的一部分底面结合，并控制感应频率特性。 该框架包括一定尺寸的开放空腔，并且与硅氧烷基底的一部分底面组合以便允许将检验物质定位在空腔中，从而使压电结构能够被悬挂。
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公开(公告)号：KR1020090054169A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020070120900
申请日：2007-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 광화학 합성 장치를 제공한다. 이 장치는 기판이 로딩되고 원료 물질들을 구성하는 반응 분자들이 공급되는 반응 챔버, 기판 상부에 배치되어 반응광을 제공하는 광원 및 광원과 기판 사이에 배치되어 반응광이 기판으로 투과될 수 있는 영역을 가변적으로 조절하는 투과 영역 제어 장치를 포함한다. 이때, 반응광은 높은 결맞음 정도를 갖는 레이저일 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100880044B1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：KR1020070084718
申请日：2007-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 유비쿼터스 센스 네트워크(Ubiquitous Sensor Network, USN) 응용을 위한 다기능 MEMS 센서의 일괄 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 다기능 MEMS 센서의 제조방법은 기판 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극을 포함하는 결과물 전면에 제1희생층을 형성하는 단계; 상기 제1전극 상부 영역의 상기 제1희생층에 불순물도핑층을 형성하는 단계; 상기 불순물도핑층을 포함하는 결과물의 전면에 제2희생층을 형성하는 단계; 상기 제2희생층 상부에 정전력형 물리량 감지센서의 제2전극을 포함하는 부양구조물을 형성하는 단계; 상기 제2희생층 및 제1희생층을 선택적으로 식각하여 상기 불순물도핑층의 측벽이 노출되도록 식각홀을 형성하는 단계 및 상기 불순물도핑층과 상기 불순물도핑층과 접하는 제1희생층 및 제2희생층을 선택적으로 습식식각하여, 상기 제1전극과 제2전극 사이에 공기간극을 형성하는 단계를 포함하고 있으며, 이를 통하여 유비쿼터스 센서 네트워크를 보다 효과적으로 구현할 수 있는 효과가 있다.
미세기전집적시스템, MEMS, 센서, 희생층-
公开(公告)号：KR100856391B1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：KR1020060123293
申请日：2006-12-06
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81C2201/0133 , B81C2201/0136
Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 미세기전집적시스템(MicroElectroMechanical System)에 소자의 부양 구조물 제조방법에 있어서 상기 희생층 식각공정시 식각용액에 의해 부양 구조물이 손상되는 것을 방지하여 안정적으로 부양 구조물을 형성할 수 있는 미세기전집적시스템 소자의 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은 기판 상에 불순물이 도핑된 박막 패턴을 포함하는 희생층을 형성하는 단계와, 상기 희생층 상에 지지막을 형성하는 단계와, 상기 지지막 상에 후속 공정을 통해 부양될 구조물을 형성하는 단계와, 상기 박막 패턴의 양측부가 노출되는 식각 구멍을 형성하는 단계와, 상기 식각 구멍을 매개로 상기 희생층을 제거하여 상기 지지막과 상기 기판 사이에 공기 간극을 형성하는 단계를 포함하는 미소기전집적시스템 소자의 부양 구조물 제조방법을 제공한다.
미소기전집적시스템, MEMS, 공동, 공기 간극, 희생층, 불순물 박막-
公开(公告)号：KR1020080052249A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020070060954
申请日：2007-06-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A metal-oxide-semiconductor chemical sensor and a fabrication method thereof are provided to make a sensing membrane of a sensor substrate with metal oxide nano-particles to lower the drive temperature. A metal-oxide-semiconductor chemical sensor comprises a sensor substrate(10), a measuring chamber(30) and a light source(20), wherein the sensor substrate includes an insulating substrate, a sensing electrode insulating substrate and a sensing membrane of metal oxide nano-particles deposited on the sensing electrode, so that the metal-oxide-semiconductor chemical sensor is adapted to sense a sample at low temperature below 100°C.
Abstract translation: 提供了一种金属氧化物半导体化学传感器及其制造方法，以使传感器基板的感测膜具有金属氧化物纳米颗粒以降低驱动温度。 金属氧化物半导体化学传感器包括传感器基板（10），测量室（30）和光源（20），其中传感器基板包括绝缘基板，感测电极绝缘基板和金属感测膜 氧化物纳米颗粒沉积在感测电极上，使得金属氧化物半导体化学传感器适于在低于100℃的低温下感测样品。
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公开(公告)号：KR1020080050990A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070084718
申请日：2007-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: A method of manufacturing a MEMS(Micro Electro Mechanical System) sensor is provided to mount sensors having different functions on one chip in batch by using MEMS technology. A first electrode(102) of a physical quantity detecting sensor is formed on a substrate(100), and then a first sacrificial layer(106) is formed on the entire surface of the substrate comprising the first electrode. An impurity doped layer is formed on the first sacrificial layer over the first electrode, and a second sacrificial layer(108) is formed on the entire surface of the substrate comprising the impurity doped layer. A floating structure having a second electrode(110) is formed on the second sacrificial layer, and then the second and first sacrificial layers are selectively etched to form an etching hole. The first and second sacrificial layers are selectively etched to form an air gap(121) between the first and second electrodes.
Abstract translation: 提供了一种制造MEMS（微机电系统）传感器的方法，通过使用MEMS技术批量安装具有不同功能的传感器。 物理量检测传感器的第一电极（102）形成在基板（100）上，然后在包括第一电极的基板的整个表面上形成第一牺牲层（106）。 在第一电极上的第一牺牲层上形成杂质掺杂层，并且在包含杂质掺杂层的衬底的整个表面上形成第二牺牲层（108）。 在第二牺牲层上形成具有第二电极（110）的浮动结构，然后选择性地蚀刻第二和第一牺牲层以形成蚀刻孔。 选择性地蚀刻第一和第二牺牲层以在第一和第二电极之间形成气隙（121）。
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公开(公告)号：KR100744556B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060046522
申请日：2006-05-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: B81B3/00
Abstract: 본 발명은 유체의 유동 및 그의 유량을 제어할 수 있는 열공압 마이크로 밸브에 관한 것이다. 상기 본 발명에 따른 열공압 마이크로밸브는 유체를 유동시키기 위한 채널들; 상기 채널들을 연결하는 유동 제어 챔버; 온도 변화에 따라 부피가 팽창하는 매질을 포함하는 압력 제어 챔버; 상기 압력 제어 챔버의 매질의 온도를 제어하기 위한 온도 제어부; 및 상기 유동 제어 챔버 및 압력 제어 챔버를 분할하고 상기 압력 제어 챔버의 압력이 증가하는 경우 탄성 변형되어 상기 유동 제어 챔버를 차지함으로써 상기 채널들의 유체 유동을 제어하는 멤브레인을 포함한다.
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