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公开(公告)号：KR1020160015037A
公开(公告)日：2016-02-12
申请号：KR1020140097453
申请日：2014-07-30
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는란탄족금속전구체에관한것으로, 상기란탄족금속전구체는열적으로안정하므로양질의란탄족금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은란탄족금속이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R은 H이거나, C1-C4의선형또는분지형알킬기, 플루오르화알킬기이고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的镧系元素金属前体，其由热稳定化并可形成高质量的镧系元素金属薄膜。 在化学式1中，M是镧系金属; R_1和R_2分别表示C1至C10的直链或支链烷基和分别为烷基氟的基团; R_3是H，C1至C10的直链或支链烷基或烷基氟基; 且R_4和4_5各自表示C1至C10的直链或支链型烷基。 根据本发明，可以在低温下获得镧系元素金属薄膜的优良品质。
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公开(公告)号：KR1020150106858A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020150034669
申请日：2015-03-12
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L51/42 , H01L31/0256
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , C04B2235/768 , H01L2031/0344
Abstract: 본 발명은 복합 페로브스카이트계 소재 및 이를 포함하는 전자 소자에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 복합 페로브스카이트계 소재는 유기 양이온, 2종 이상의 금속 양이온 및 할로겐 음이온을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种复合钙钛矿材料及其电子设备。 更具体地，根据本发明的复合钙钛矿材料包括有机阳离子，两种或更多种金属阳离子和卤素阴离子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150105021A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：KR1020140027158
申请日：2014-03-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
CPC classification number: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R
1 은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R
2 , R
3 은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R
4 및 R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1表示的IV族过渡金属前体。第IV族过渡金属前体是热稳定的并且具有优异的挥发性以形成具有良好质量的IV族过渡金属前体。 在化学式1中，M是Ti，Zr或Hf，R1是C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C10的直链氟代烷基或支链氟代烷基或C6的芳族烃 -C12，R2和R3分别表示H或C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C19的直链氟代烷基或支链氟代烷基，R4和R5分别表示直链烷基或 C1-C10的支链烷基。
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公开(公告)号：KR101530042B1
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：KR1020130046344
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는인듐전구체에관한것으로, 상기인듐전구체는황을포함하고있는전구체로서박막제조중에별도의황을첨가시키지않아도되는장점이있고열적안정성이향상되어양질의황을포함하는인듐박막을형성할수 있다.[화학식 1](상기식에서, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이고, R, R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형의알킬기또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오르화알킬기이며, Y는 SeCN 또는 SCN이고, n은 1 내지 3 범위의정수에서선택된다.)
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公开(公告)号：KR1020150054201A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136364
申请日：2013-11-11
Applicant: 한국화학연구원 , 공주대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은하기화학식 1 내지화학식 3 중어느하나로표시되는안티몬-텔루륨단일전구체에관한것으로, 상기안티몬-텔루륨단일전구체는열적안정성과휘발성이향상되고, 박막제조중에별도의텔루륨을첨가시키지않아도되는장점이있어양질의안티몬-텔루륨이포함된박막을형성할수 있다. [화학식 1][화학식 2][화학식 3](상기식에서, R, R, R, R는각각독립적으로 C1-C10인선형또는분지형알킬기, 또는 C6-C16인방향족고리이다.)
Abstract translation: 本发明涉及以化学式1〜化学式3表示的锑 - 碲单一前体。锑 - 碲单一前体可以形成含有高质量锑 - 碲的薄膜，因为它具有改善的热稳定性和挥发性 在制造过程中不需要添加额外的碲。 在化学式中，R 1，R 2，R 3和R 4独立地是独立的直链或支链C 1 -C 10烷基或C 6 -C 16芳环。
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公开(公告)号：KR1020150054200A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136363
申请日：2013-11-11
Applicant: 한국화학연구원 , 공주대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는게르마늄-텔루륨단일전구체에관한것으로, 상기게르마늄-텔루륨단일전구체는열적안정성과휘발성이향상되고, 박막제조중에별도의텔루륨을첨가시키지않아도되는장점을가지고있어양질의게르마늄-텔루륨이포함된박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的锗碲单一前体，其具有改善的热稳定性和挥发性，并且在制造薄膜时不需要添加碲的方法，从而形成包括优质锗碲的薄膜，其中R 1和R 2为 化学式1中碳数为1〜10的独立的直链型或支链型烷基。
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公开(公告)号：KR101503032B1
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：KR1020130046347
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/06 , C23C16/448
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 주석 전구체에 관한 것으로, 상기 주석 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성이 향상되어 양질의 황을 포함하는 주석 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 , R
2 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이고, R
3 , R
4 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오르화 알킬기이며, E는 S, Se 또는 Te이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
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