公开(公告)号：DE10126578A1

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：DE10126578

申请日：2001-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER

IPC: G11C13/02

Abstract: The device has a first electrically conducting layer (2), a second layer (4) with a first chemical compound reversibly changeable from reduced to oxidized form in electrical contact with the first layer, a third layer (6) with a second chemical compound reversibly changeable from oxidized to reduced form and an electrically conducting fourth layer (10) on the third layer. Independent claims are also included for the following: a memory array and a chip card with at least one memory array.

公开(公告)号：DE102016121683B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102016121683

申请日：2016-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER ,  ZOGAL KAROLINA ,  MEIER ROLAND ,  OLDSEN MARTEN ,  KÄMMER KERSTIN

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  G01N27/00

Abstract: Sensorvorrichtung, umfassend:eine Sensoreinheit (200), die für eine Eigenschaft eines gasförmigen Mediums sensitiv ist, wobei die Sensoreinheit (200) auf einer ersten Oberfläche (101) eines Sensorsubstrats (100) und auf einer aufgehängten Masse (160) des Sensorsubstrats (100) ausgebildet ist, die durch mindestens einen Federbalken (108) mit einem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) verbunden ist;eine Rahmenstruktur (300) auf der ersten Oberfläche (101), wobei die Rahmenstruktur (300) einen ersten Schleifenbereich (310) aufweist, der einen ersten Bereich (110) mit der Sensoreinheit (200) lateral umgibt;einen kommunizierenden Kanal (150), der durch einen Basisanschluss (812) im Sensorsubstrat (100) einen Zugang zum ersten Bereich (110) hat, wobei der Basisanschluss (812) eine Federrille (107) aufweist, die einen Federbalken (108) von der aufgehängten Masse (160) oder dem weiteren Teil des Sensorsubstrats (100) trennt; undeine Deckelstruktur (400), die die Rahmenstruktur (300) und den ersten Bereich (110) vollständig bedeckt.

公开(公告)号：DE102018118724A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118724

申请日：2018-08-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LIEBL WOLFGANG ,  ALMSTAETTER STEFAN ,  ARKENAU JENS ,  BOECK JOSEF ,  LEUSCHNER RAINER ,  MACKH GUNTHER

IPC: H01L27/118

Abstract: Es wird ein Verfahren (100) zum Programmieren einer einmalig programmierbaren Struktur (220) vorgeschlagen. Das Verfahren (100) umfasst ein Herstellen (110) einer elektrischen Schaltung (210) mit der einmalig programmierbaren Struktur (220). Das Verfahren (100) umfasst ferner ein Durchtrennen (120) der einmalig programmierbaren Struktur (220) durch Ätzen der einmalig programmierbaren Struktur (220) in einem Trennbereich (230).

公开(公告)号：DE102013108353A8

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102013108353

申请日：2013-08-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  THEUSS HORST ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R19/04

公开(公告)号：DE102014117594A1

公开(公告)日：2016-06-02

申请号：DE102014117594

申请日：2014-12-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STÜCKJÜRGEN ANDREAS ,  PORWOL DANIEL ,  LEUSCHNER RAINER

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/485

Abstract: Ein Halbleiter-Package kann einen Halbleiterchip, der eine erste Hauptfläche und Seitenflächen umfasst, eine Verkapselung, die zumindest die Seitenflächen des Halbleiterchips abdeckt, und eine elektrische Umverdrahtungsstruktur umfassen, die über der ersten Hauptfläche des Halbleiterchips angeordnet ist, wobei eine erste Hauptfläche des Halbleiter-Package eine Fläche der elektrischen Umverdrahtungsstruktur und eine Fläche der Verkapselung umfasst.

公开(公告)号：DE102013111192A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111192

申请日：2013-10-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CAMPIDELL JOSEF ,  LEUSCHNER RAINER ,  SEEBACHER GOTTFRIED

IPC: G03F9/00 ,  G03F1/38

Abstract: Eine Fotolithografiemaske (201) gemäß einer Ausführungsform kann Folgendes enthalten: ein Maskensubstrat (202), wobei das Maskensubstrat (202) ein dreidimensionales Muster aufweist, das so positioniert und dimensioniert ist, um ein invertiertes dreidimensionales Muster eines mittels der Fotolithografiemaske (201) zu belichtenden Wafers zumindest teilweise aufzunehmen.

公开(公告)号：DE102011078937A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：DE102011078937

申请日：2011-07-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER ,  THEUSS HORST ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/00 ,  H01L29/84

Abstract: Ausführungsbeispiele beziehen sich auf Integrierte-Schaltung-(IC-)Sensoren und Erfassungssysteme und -verfahren. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst ein IC-Sensorbauelement zumindest ein Erfassungselement; ein Rahmenelement, das auf einer Waferebene um das zumindest eine Erfassungselement herum angeordnet ist; und ein Gehäuse mit zumindest einer Öffnung, die durch das Rahmenelement auf der Waferebene vordefiniert ist, wobei die zumindest eine Öffnung konfiguriert ist, um zumindest einen Teil des zumindest einen Erfassungselements gegenüber einer Umgebung freizulegen.

公开(公告)号：DE102010037339A1

公开(公告)日：2011-04-07

申请号：DE102010037339

申请日：2010-09-06

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER ,  MACKH GUNTHER ,  SEIDEL UWE

IPC: H01L27/08

Abstract: Es werden Durchsubstratmerkmale in Halbleitersubstraten beschrieben. Bei einer Ausführungsform enthält das Halbleiterbauelement ein in einem ersten Gebiet (20) eines Halbleitersubstrats angeordnetes Durchsubstratvia (70). Eine Durchsubstratleiterspule (50) ist in einem zweiten Gebiet (10) des Halbleitersubstrats angeordnet.

公开(公告)号：DE4226464B4

公开(公告)日：2005-06-02

申请号：DE4226464

申请日：1992-08-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEUSCHNER RAINER ,  HAMMERSCHMIDT ALBERT ,  KUEHN EBERHARD ,  SEZI RECAI ,  SEBALD MICHAEL

IPC: C08K5/00 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38