公开(公告)号：DE102017110508A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：DE102017110508

申请日：2017-05-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  KUECK DANIEL ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF ,  ZIPPELIUS BERND

IPC: H01L21/822 ,  G06F17/50 ,  H01L21/18 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Indem man eine Prozessorvorrichtung und/oder Modell-Transistorzellen nutzt, wird ein Satz von Auslegungsparametern für zumindest eine einer Transistorzelle und einer Driftstruktur einer Halbleitervorrichtung mit breiter Bandlücke bestimmt, wobei eine Einschaltzustand-Ausfallrate und eine Ausschaltzustand-Ausfallrate eines Gatedielektrikums der Transistorzelle innerhalb einer gleichen Größenordnung für eine vordefinierte Gate-Source-Spannung im Einschaltzustand, eine vordefinierte Gate-Source-Spannung im Ausschaltzustand und eine vordefinierte Drain-Source-Spannung im Ausschaltzustand liegen.

公开(公告)号：DE102015113493B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102015113493

申请日：2015-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AICHINGER THOMAS ,  ZIPPELIUS BERND ,  ELPELT RUDOLF ,  BERGNER WOLFGANG ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H03K17/687

Abstract: Eine Schaltung (700) zum Steuern eines Feldeffekttransistors eines Halbleiterbauelements, die Schaltung umfassend:ein Steuerungsmodul (731), das ausgebildet ist, um ein Gate-Steuerungssignal (732) zum Steuern von zumindest einem Gate der Feldeffekttransistorstruktur zu erzeugen,wobei das Steuerungsmodul (731) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer ersten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine Abschirmungskanalregion zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und einer Drift-Region der Feldeffekttransistorstruktur in einem Aus-Zustand des Feldeffekttransistors erzeugt wird, wobei die Abschirmungskanalregion einen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyp als den Leitfähigkeitstyp der Drift-Region aufweist, undwobei das Steuerungsmodul (732) ausgebildet ist, um das Gate-Steuerungssignal (732) mit einer zweiten Gate-Spannung derart zu erzeugen, dass eine leitende Kanalregion an der Schnittstelle zwischen zumindest einer Gate-Isolationsschicht und der Body-Region in einem Ein-Zustand des Feldeffekttransistors gebildet wird, wobei die leitende Kanalregion denselben Leitfähigkeitstyp aufweist wie der Leitfähigkeitstyp der Drift-Region.

公开(公告)号：DE102014117780B4

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102014117780

申请日：2014-12-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BERGNER WOLFGANG ,  ESTEVE ROMAIN ,  PETERS DETHARD ,  SIEMIENIEC RALF

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiterbauelement, das einen Halbleiterkörper und wenigstens eine Bauelementzelle (10, 10), die in dem Halbleiterkörper integriert sind, aufweist, wobei die wenigstens eine Bauelementzelle aufweist:ein Driftgebiet (11), ein Sourcegebiet (12) und ein Bodygebiet (13), das zwischen dem Sourcegebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist; ein Diodengebiet (30) und einen pn-Übergang zwischen dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11);einen Graben mit einer ersten Seitenwand (110), einer zweiten Seitenwand (110) gegenüber der ersten Seitenwand (110) und einen Boden (110), wobei das Bodygebiet (13) an die erste Seitenwand angrenzt, das Diodengebiet (30) an die zweite Seitenwand (110) angrenzt und der pn-Übergang an den Boden (110) des Grabens (110) angrenzt;eine Gateelektrode (21), die in dem Graben angeordnet ist und die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Sourcegebiet (12), Bodygebiet (13), dem Diodengebiet (30) und dem Driftgebiet (11) isoliert ist;einen weiteren Graben, der sich von einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörpers (100) in den Halbleiterkörper (100) erstreckt;eine Sourceelektrode (41) die in dem weiteren Graben angeordnet ist und die an das Sourcegebiet (12) und das Diodengebiet (30) in dem weiteren Graben angrenzt;wobei das Diodengebiet (30) ein unteres Diodengebiet, das unterhalb des Bodens (110) des Grabens angeordnet ist, aufweist; undwobei das untere Diodengebiet ein Maximum der Dotierungskonzentration beabstandet zu dem Boden des Grabens aufweist.

公开(公告)号：DE102015109545A1

公开(公告)日：2016-12-15

申请号：DE102015109545

申请日：2015-06-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HIRLER FRANZ ,  KAMPEN CHRISTIAN ,  BACH KARL HEINZ ,  SIEMIENIEC RALF ,  SCHUSTEREDER WERNER ,  ZUNDEL MARKUS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung offenbart. Eine Ausgestaltung des Halbleiterbauelements weist zumindest eine Transistorzelle auf, wobei die zumindest eine Transistorzelle aufweist: in dem Halbleiterkörper ein Driftgebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Sourcegebiet von einem ersten Dotierungstyp, ein Bodygebiet von einem zweiten Dotierungstyp, und ein Draingebiet vom ersten Dotierungstyp, wobei das Bodygebiet zwischen dem Sourcegebiet und dem Driftgebiet angeordnet ist, und wobei das Driftgebiet zwischen dem Bodygebiet und dem Draingebiet angeordnet ist; eine Gateelektrode, die zu dem Bodygebiet benachbart und durch ein Gatedielektrikum dielektrisch gegenüber dem Bodygebiet isoliert ist; eine Feldelektrode, die durch ein Feldelektrodendielektrikum gegenüber dem Driftgebiet dielektrisch isoliert ist; wobei das Driftgebiet ein Lawinengebiet aufweist, wobei das Lawinengebiet eine höhere Dotierungskonzentration aufweist als zu dem Lawinengebiet benachbarte Abschnitte des Driftgebiets und von dem Feldelektrodendielektrikum in einer Richtung senkrecht zu einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements beabstandet ist, wobei die Feldelektrode in einem Graben angeordnet ist, der in einer Bodenebene des Halbleiterkörpers einen Boden aufweist, und wobei das Lawinengebiet zumindest einen Abschnitt aufweist, der sich näher an der Bodenebene befindet als an einer durch das Sourcegebiet definierten Oberfläche des Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102015103510A1

公开(公告)日：2015-09-17

申请号：DE102015103510

申请日：2015-03-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： KONRATH JENS PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SIEMIENIEC RALF ,  OUVRARD CEDRIC

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

Abstract: Ein JFET hat einen Halbleiterkörper (20) mit einer ersten Oberfläche (15) und zweiten Oberfläche (16) im Wesentlichen parallel zur ersten Oberfläche (15). Eine Source-Metallisierung (8) und Gate-Metallisierung (10) sind auf der ersten Oberfläche (15) angeordnet. Eine Drain-Metallisierung (9) ist auf der zweiten Oberfläche (16) angeordnet. In einer Schnittebene im Wesentlichen senkrecht zur ersten Oberfläche (15) enthält der Halbleiterkörper (20): ein erstes Halbleitergebiet (1) in ohmschem Kontakt mit der Source- und Drain-Metallisierung (9)s, zumindest zwei zweite Halbleitergebiete (2) in ohmschem Kontakt mit der Gate-Metallisierung (10), die voneinander beabstandet sind und entsprechende erste pn-Übergänge (11) mit dem ersten Halbleitergebiet (1) bilden, und zumindest ein Body-Gebiet, das einen zweiten pn-Übergang mit dem ersten Halbleitergebiet (1) bildet. Das zumindest eine Body-Gebiet ist in ohmschem Kontakt mit der Source-Metallisierung (8). Zumindest ein Teil des zumindest einen Body-Gebiets ist, in einer Projektion auf die erste Oberfläche (15), zwischen den zwei zweiten Halbleitergebieten (2) angeordnet.

公开(公告)号：DE102005011873B4

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：DE102005011873

申请日：2005-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SIEMIENIEC RALF ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

公开(公告)号：DE102005011873A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：DE102005011873

申请日：2005-03-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ-JOSEF ,  SIEMIENIEC RALF ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: The method involves producing space agglomerates within a semiconductor body (2) e.g. silicon wafer, of a power transistor, while the wafer is irradiated with silicon ions or helium ions. Diffusion processes are accomplished in order to store heavy metal e.g. gold, in the agglomerate. The zone of increased ion recombination is produced in a body zone of the power transistor.