公开(公告)号：DE102016101046B4

公开(公告)日：2024-09-26

申请号：DE102016101046

申请日：2016-01-21

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： FREY ALEXANDER ,  DRAGO MASSIMO ,  HERTKORN JOACHIM

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: Optoelektronischer Halbleiterchip (10), mit- einem p-Typ-Halbleiterbereich (4),- einem n-Typ-Halbleiterbereich (6),- einer zwischen dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) und dem n-Typ-Halbleiterbereich (6) angeordneten aktiven Zone (5), die als Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) ausgebildet ist, wobei- die Mehrfach-Quantentopfstruktur (51, 52) einen ersten Bereich (51) mit abwechselnden ersten Quantentopfschichten (51A) und ersten Barriereschichten (51B) und einen zweiten Bereich (52) mit mindestens einer zweiten Quantentopfschicht (52A) und mindestens einer zweiten Barriereschicht (52B) aufweist,- die ersten Quantentopfschichten (52A) erste elektronische Bandlücken (EQW1) aufweisen,- die mindestens eine zweite Quantentopfschicht (52A) eine zweite elektronische Bandlücke (EQW2) aufweist,- die zweite elektronische Bandlücke (EQW2) der mindestens einen zweiten Quantentopfschicht (52A) größer als die ersten elektronischen Bandlücken (EQW1) der ersten Quantentopfschichten (51A) ist,- der zweite Bereich (52) näher an dem p-Typ-Halbleiterbereich (4) als der erste Bereich (51) angeordnet ist,- die zweite Quantentopfschicht (52A) die aktive Zone (5) in Richtung vom n-Typ-Halbleiterbereich (6) zum p-Typ-Halbleiterbereich (4) des optoelektronischen Halbleiterchips (10) zum p-Typ-Halbleiterbereich (4) hin abschließt,- der zweite Bereich (52) direkt an den p-Typ-Halbleiterbereich (4) grenzt, und- eine elektronische Bandlücke (EB2) im Bereich der zweiten Barriereschicht (52B) größer ist als eine elektronische Bandlücke (EB1) im Bereich aller ersten Barriereschichten (51B).

公开(公告)号：DE102017104370A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：DE102017104370

申请日：2017-03-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  EICHFELDER MARCUS

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14

Abstract: Es wird ein Halbleiterkörper (10) angegeben mit:- einem p-dotierten Bereich (20),- einem aktiven Bereich (30),- einer Zwischenschicht (40), und- einem Schichtenstapel (41), der Indium enthält, wobei sich die Indium-Konzentration im Schichtenstapel (41) entlang einer Stapelrichtung (z) ändert, und der Schichtenstapel (41) abgesehen von Dotierstoffen mit genau einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei- die Zwischenschicht (40) nominell frei von Indium ist, zwischen dem Schichtenstapel (41) und dem aktiven Bereich (30) angeordnet ist und direkt an den Schichtenstapel (41) angrenzt, und- die Zwischenschicht (40) und/oder der Schichtenstapel (41) zumindest stellenweise n-dotiert sind.

公开(公告)号：DE102016117477A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117477

申请日：2016-09-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BERGBAUER WERNER ,  HERTKORN JOACHIM

IPC: H01L33/04 ,  H01L33/30 ,  H01S5/00

Abstract: In einer Ausführungsform basiert die Halbleiterschichtenfolge (2) auf AlInGaN und ist für einen optoelektronischen Halbleiterchip (1) vorgesehen und weist die folgenden Schichten in der angegebenen Reihenfolge auf, von einer n-leitenden n-Seite (20) her gesehen: – eine Vorbarriereschicht (21) aus AlGaN, – einen Vorquantentopf (23) aus InGaN mit einer ersten Bandlücke, der nicht zur Strahlungserzeugung eingerichtet ist, – eine Multiquantentopfstruktur (3) mit mehreren sich abwechselnden Hauptquantentöpfen (32) aus InGaN mit einer zweiten Bandlücke und Hauptbarriereschichten (31) aus AlGaN oder AlInGaN, wobei die zweite Bandlücke größer als die erste Bandlücke ist und die Hauptquantentöpfe (32) zur Erzeugung einer Strahlung mit einer Wellenlänge maximaler Intensität zwischen einschließlich 365 nm und 490 nm eingerichtet sind, und – eine Elektronenblockierschicht (29) aus AlGaN, wobei ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Vorbarriereschicht (21) um mindestens einen Faktor 1,3 größer ist als ein Produkt aus einem Aluminiumgehalt und einer Dicke der Hauptbarriereschichten (31).

公开(公告)号：DE112015001767A5

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：DE112015001767

申请日：2015-03-05

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  FREY ALEXANDER ,  WEIMAR ANDREAS ,  HIRMER MARIKA ,  LAUX HARALD ,  BAUER ADAM ,  WALTER ALEXANDER

IPC: H01L21/268 ,  H01L33/00

公开(公告)号：DE102015107661A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：DE102015107661

申请日：2015-05-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  ZINI LORENZO ,  FREY ALEXANDER

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, umfassend die Schritte: – Aufwachsen einer ersten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (1) auf ein Aufwachssubstrat (10), – Abscheiden einer Maskenschicht (11), – Aufwachsen einer zweiten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (2) über der Maskenschicht (11), – Aufwachsen einer dritten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (3) derart, dass sie nicht-planare Strukturen (3a) aufweist, – Aufwachsen einer vierten Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (4) derart, dass sie eine im Wesentlichen planare Oberfläche aufweist, – Aufwachsen einer funktionellen Schichtenfolge (8) des Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements, – Verbinden der funktionellen Schichtenfolge (8) mit einem Träger (13), – Ablösen des Aufwachssubstrats (10), und – Erzeugen von Auskoppelstrukturen (14) durch einen Ätzprozess, bei dem die erste, zweite und dritte Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (1, 2, 3) zumindest teilweise abgetragen werden.

公开(公告)号：DE112015000824A5

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：DE112015000824

申请日：2015-02-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： LEHNHARDT THOMAS ,  OFF JÜRGEN ,  BERGBAUER WERNER ,  HERTKORN JOACHIM

IPC: H01L33/22 ,  H01L21/02 ,  H01L33/00 ,  H01L33/12

公开(公告)号：DE102014105208A1

公开(公告)日：2015-10-29

申请号：DE102014105208

申请日：2014-04-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HERTKORN JOACHIM ,  LEHNHARDT THOMAS

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, umfassend die Schritte: – Bereitstellen eines strukturierten Aufwachssubstrats (3), das eine Oberflächenstruktur aufweist, wobei die Oberflächenstruktur Erhebungen (31) aufweist, die nicht aneinander angrenzen, und wobei das Aufwachsubstrat in Zwischenräumen (32) zwischen den Erhebungen (31) eine ebene Oberfläche aufweist, – Aufwachsen einer ersten Schicht (1), welche GaN aufweist und die Oberflächenstruktur nicht vollständig überdeckt, – Aufwachsen einer zweiten Schicht (2), welche AlxGa1-xN mit 0

公开(公告)号：DE102009037416A1

公开(公告)日：2011-02-17

申请号：DE102009037416

申请日：2009-08-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  MEYER TOBIAS ,  OFF JUERGEN ,  TAKI TETSUYA ,  HERTKORN JOACHIM ,  SABATHIL MATTHIAS ,  LAUBSCH ANSGAR ,  BIEBERSDORF ANDREAS

IPC: H01S5/34 ,  H01L33/06

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.