-
公开(公告)号：CN104555891B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201410566267.7
申请日：2014-10-21
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 泷泽照夫
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C2203/0145 , H01L23/053 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供一种振子、振子的制造方法、电子装置、电子设备以及移动体。所述振子具备：基体；盖体；功能元件，其被收纳于通过所述基体与所述盖体而构成的空腔内；所述盖体具有密封孔，在所述密封孔中配置有密封部件，所述密封孔在所述空腔侧具有第一开口，所述功能元件具有形成有接收开口的扩散物遮蔽部，在俯视观察时，所述第一开口与所述接收开口至少有一部分重叠。
-
公开(公告)号：CN104163396B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410206716.7
申请日：2014-05-15
Applicant: 原子能和替代能源委员会
Inventor： 史蒂芬·尼古拉斯
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C1/00777 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , G01C21/16 , G01C25/00 , G01P15/0802 , G01P2015/088 , G01P2015/0882 , H01L21/50 , H01L21/52 , H01L21/54 , H01L23/10 , H01L23/28 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及通过可透材料注入惰性气体封装微电子装置的方法。用于封装微电子装置(102.1，102.2)的方法，所述方法包括以下步骤：将所述微电子装置制作到第一基体(104)上；在包括不可透环境大气和惰性气体的第二材料的第二基体(108)中制作一个不可透环境大气且可透惰性气体的第一材料部分(118.1，118.2)；将所述第二基体固定到所述第一基体，以便形成内部封装有所述微电子装置的至少一个腔(120.1，120.2)，使得所述第一材料部分形成所述腔的壁的至少一部分；通过所述第一材料部分将所述惰性气体注入到所述腔中；相对于环境大气和所述惰性气体气密性地密封所述腔。
-
公开(公告)号：CN107055457A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611139812.X
申请日：2016-12-12
Applicant: 北京自动化控制设备研究所
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81C1/00015 , B81C1/005 , G01C19/56
Abstract: 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种熔融石英微半球陀螺敏感结构；该结构包括半球型谐振子和底座；半球形谐振子包括半球壳体和中心支撑柱；中心支撑柱一端设置在半球壳体内弧面中心顶部，中心支撑柱支撑半球壳体倒扣在底座上方，半球壳体壳壁下沿与底座不接触；半球壳体内表面和其壳壁下沿以及中心支撑柱表面设置壳体电极；底座上表面均匀、分散设置多个离面驱动/检测电极以及与壳体电极相连的多个底座偏置电极；离面驱动/检测电极的设置位置与半球壳体壳壁下沿壳体电极相对应，并且离面驱动/检测电极与壳体电极之间存在间隙；本发明能量损失较低、角增益大、灵敏度高，同时具有较强的抗冲击振动能力。
-
公开(公告)号：CN106946220A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611114277.2
申请日：2016-12-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81B7/0041 , B81B2201/0292
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，该微机械构件具有衬底和与衬底连接的并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，‑在第一方法步骤中，在衬底或在罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，其中，‑在第二方法步骤中，调节在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，‑在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其特征在于，‑在第四方法步骤中中，为了与衬底或罩的在第三方法步骤中转变到液态聚集态的材料区域混合，在进入开口区域中在衬底或罩的表面上沉积或者生长一个层。
-
公开(公告)号：CN106946219A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611114288.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00277 , B81B7/0035 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , G01P15/0802 , B81B7/02
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，‑第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，‑第二方法步骤中，调节第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，‑第三方法步骤中，通过借助激光将能量或热量引入衬底或罩的吸收部分来封闭进入开口，其特征在于，‑第四方法步骤中，第一晶体层或第一无定型层或第一纳米晶体层或第一多晶体层在衬底或罩表面上沉积或生长，‑第五方法步骤中，提供包括第二晶体层和/或第二无定型层和/或纳米晶体层和/或第二多晶体层的衬底或者罩。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103221333B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201180055630.3
申请日：2011-09-16
Applicant: 快捷半导体公司
Inventor： J·布雷泽克 , 约翰·加德纳·布卢姆斯伯 , C·阿卡
CPC classification number: B81B7/008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/07 , B81C1/0023 , H01L23/481 , H01L2224/131 , H01L2924/1461 , H05K1/18 , H01L2924/014 , H01L2924/00
Abstract: 本文涉及多晶片微机电系统(MEMS)封装。在一示例中，多晶片MEMS封装可以包括：控制器集成电路(IC)，所述控制器集成电路配置成耦合到电路板；MEMS IC，所述MEMS IC安装到所述控制器IC的第一侧；硅通孔，所述硅通孔穿过所述控制器IC在所述第一侧和所述控制器IC的第二侧之间延伸，所述第二侧与所述第一侧相反；并且其中，所述MEMS IC耦合到所述硅通孔。
-
公开(公告)号：CN104169657B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380013497.4
申请日：2013-03-12
Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司
Inventor： A·J·霍利达
IPC: F24F7/00
CPC classification number: B81B7/0061 , B01D53/228 , B01D69/12 , B01D71/06 , B23B3/00 , B32B3/266 , B32B37/18 , B32B38/0004 , B81B7/0041 , B81B7/0058 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00293 , H04R1/28 , H04R25/456 , H04R2460/11 , Y10T156/1052 , Y10T428/24331
Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。
-
公开(公告)号：CN106335869A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610085669.4
申请日：2016-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00976 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81C1/00015
Abstract: 本发明提供了CMOS-MEMS器件结构。CMOS-MEMS器件结构包括感测衬底和CMOS衬底。感测衬底包括接合台面结构。CMOS衬底包括顶部介电层。感测衬底和CMOS衬底通过接合台面结构接合，并且接合台面结构限定CMOS衬底和感测衬底之间的接合间隙。本发明提供了一种用于接合第一半导体结构和第二半导体结构的接合台面结构。此外，本发明还提供了一种制造CMOS-MEMS器件结构的方法。
-
公开(公告)号：CN106276780A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610481536.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: G01D11/00 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81C1/00309 , B81C2201/0123 , B81C1/00182 , B81B3/0021 , B81B7/02
Abstract: 根据本发明涉及一种用于制造微机械元件的方法以及用此方法制造的微机械元件。所述微机械元件具有传感器衬底和安装在传感器衬底上的罩。为了制造该罩，在罩衬底的正面的表面上在一个被限制的区域设置多个开口，例如呈微孔的形式(直径几微米)。在制造这些开口时应注意，开口在罩衬底内终止，即不完全穿过罩衬底并具有较小的深度。然后将如此加工的罩衬底安装在传感器衬底上，其中，带有多个开口的罩衬底正面朝向传感器衬底。然后将罩衬底的一部分从背面去除，例如通过从背面减薄、磨削工艺或者其他适合于此的半导体工艺。通过从背面去除罩衬底材料来产生通向所述开口的进入口。
-
公开(公告)号：CN105940283A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580006372.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 亚科·罗希奥
IPC: G01C19/5684
CPC classification number: G01C19/5712 , B81B3/0043 , B81B2201/0242 , G01C19/5684 , G01C19/5719
Abstract: 一种具有中心弹簧结构的环形陀螺仪结构，其中，中心弹簧结构优选26‑模式并且使得它们在频率上较低。趋于与外部机械激发相耦合的弯曲谐振模式明显高于26‑模式。因此，所描述的结构相对于外部的机械冲击和振动是非常强健的。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
1716
records
(took 0.031 seconds)
