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公开(公告)号：CN104885185B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201380063410.4
申请日：2013-10-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 杰弗里·查尔斯·伯拉尼克 , 威廉·T·维弗
IPC: H01J27/04 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/02 , H01J37/302
CPC classification number: H01J27/024 , H01J27/08 , H01J37/08 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/043 , H01J2237/30472 , H01J2237/3171
Abstract: 离子植入机及具有挡帘组件的离子源。离子源包括界定电弧室的电弧室外壳，电弧室外壳在固定位置上具有提取板，提取板界定多个提取孔。离子源还包括挡帘组件，挡帘组件安装于电弧室外侧的靠近提取板处。挡帘组件经配置以于一时间间隔期间阻挡所述多个提取孔中的一者的至少一部分。以自离子源提取的离子束处理工件，并结合离子源与所述待处理工件的相对移动，使得仅用一种离子源即能在工件上形成二维离子植入图案。
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公开(公告)号：CN104124141B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201310561130.8
申请日：2013-09-23
Applicant: 普莱克斯技术有限公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/302 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01L21/26506 , H01L21/2658
Abstract: 在此提供了一种使用富集和高富集掺杂剂气体的新型工艺，由于能够实现与这种掺杂剂气体的离子注入相关的工艺优势，因此消除了终端使用者当前所遭遇的问题。对于在指定范围内的给定流速，与其相应非富集或较少富集掺杂剂气体相比，设计为在降低的离子源的总功率等级下运行以降低该富集掺杂剂气体的电离效率。还降低了源灯丝的温度，从而当利用含氟富集掺杂剂气体时减轻了氟刻蚀和离子源寿命缩短的不利效果。当有利地将射束电流维持在不用难以接受地背离原来限定的等级时，该降低的总功率等级与降低的电离效率和降低的离子源温度组合，能够相互协同作用以改善并延长离子源寿命。
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公开(公告)号：CN103477416B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280017078.3
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K5/02 , G21K5/04 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J2237/30483
Abstract: 一个实施例涉及离子注入器。该离子注入器包括：离子源，用于产生离子束，以及扫描仪，用于使离子束沿着第一轴在工件的表面上进行扫描。该离子注入器还包括：偏转滤波器，位于扫描仪的下游，用于使离子束沿着第二轴在工件的表面上抖动地扫描。
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公开(公告)号：CN103733300B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法及等离子体处理系统。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
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公开(公告)号：CN103733300A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280039634.7
申请日：2012-08-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/302
CPC classification number: H01J37/302 , H01J37/32082 , H01J2237/24528
Abstract: 一种处理工件(40)的方法。此方法包括引导第一离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第一离子束具有经由萃取板(14)的孔洞而萃取的第一离子的第一离子角轮廓(402，412或422)。此方法也包括引导第二离子束(204)朝向工件的第一区域，其中第二离子束具有经由萃取板的孔洞而萃取的第二离子的第二离子角轮廓(402，412或422)，其中第二离子角轮廓不同于第一离子角轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103477416A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201280017078.3
申请日：2012-03-29
Applicant: 艾克塞利斯科技公司
IPC: H01J37/302 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G21K5/02 , G21K5/04 , G21K5/10 , H01J37/302 , H01J2237/30483
Abstract: 一个实施例涉及离子注入器。该离子注入器包括：离子源，用于产生离子束，以及扫描仪，用于使离子束沿着第一轴在工件的表面上进行扫描。该离子注入器还包括：偏转滤波器，位于扫描仪的下游，用于使离子束沿着第二轴在工件的表面上抖动地扫描。
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公开(公告)号：CN103367087A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310104256.2
申请日：2013-03-28
Applicant: FEI公司
IPC: H01J37/305 , H01J37/30
CPC classification number: H01J37/08 , H01J37/045 , H01J37/243 , H01J37/302 , H01J2237/043 , H01J2237/0805 , H01J2237/0817 , H01J2237/30472 , H01J2237/31749
Abstract: 一种用于关闭和恢复离子束系统中的离子束的改进的方法和设备。优选实施例提供了一种用于改善对聚焦离子束源的功率控制的系统，其利用自动检测带电粒子射束系统何时空闲（即射束本身未在使用中），并且之后使射束电流自动降低至在离子柱中的任何孔径面处发生很少或不发生离子铣削的程度。优选实施例包括控制器，其可操作成在检测到带电粒子射束系统的离子源的空闲状态时修改施加到提取器电极的电压和/或降低施加到源电极的电压。
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公开(公告)号：CN101438368B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200680047932.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
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公开(公告)号：CN101346803B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200680049162.8
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实行为一种用于在离子注入机中减少光致抗蚀剂释气效应的设备。所述设备可包括位于终端站与上游束线组件之间的漂移管。所述设备还可包括位于漂移管与终端站之间的第一可变孔径。所述设备可进一步包括位于漂移管与上游束线组件之间的第二可变孔径。可调节第一可变孔径和第二可变孔径以促进差动抽吸。
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公开(公告)号：CN101461026A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200780020701.X
申请日：2007-04-26
Applicant: FEI公司
Inventor： J·A·H·W·G·珀素恩 , A·T·恩格伦 , S·利克特尼格 , P·H·J·范多伦
CPC classification number: H01J37/26 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/21 , H01J37/226 , H01J37/244 , H01J37/261 , H01J37/28 , H01J37/302 , H01J2237/1405 , H01J2237/162 , H01J2237/1825 , H01J2237/188 , H01J2237/2003 , H01J2237/2006
Abstract: 本发明涉及与包含真空室(11)的装置一起使用的滑动轴承，该滑动轴承包括：一侧与真空室接触的基板，该基板设有与所述真空室(11)连通的第一通孔(21)；第二板(30)，该第二板的一侧与基板20接触，该第二板设有第二通孔(31)；基板与第二板彼此面对的表面非常光滑以形成一个没有弹性的真空密封；基板(20)与第二板(30)能够在第一通孔与第二通孔没有重叠的第一相对位置及第一通孔与第二通孔重叠的第二相对位置之间滑动。其特征是：第二板(30)是柔性板，柔性板上在基板对面的表面用来密封杯体(50)，该杯体用于容纳标本(1)，基板上的第一通孔(21)具有一个面向柔性板(30)的带有可控制弯曲度的边缘，这个边缘弯曲度的形成使基板与柔性板之间的真空密封形成一个明确轮廓，及赫兹接触压力小于一个预定义的最大接触压力，选择所述预定义的最大接触压力可将粒子产生减至最低程度。
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