플렉시블 태양전지 모듈의 제조방법 및 그에 의해 제조된 플렉시블 태양전지 모듈

    公开(公告)号:KR101775977B1

    公开(公告)日:2017-09-20

    申请号:KR1020160038667

    申请日:2016-03-30

    Abstract: 본발명은플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈에관한것으로서, 벌크기판상부에반도체층을형성하는제1단계와, 상기반도체층상부에후면전극층을형성하는제2단계와, 상기후면전극층상부에전도성플렉시블기판을형성시키는제3단계와, 상기벌크기판을제거하여상기의전도성플렉시블기판, 후면전극층및 반도체층으로이루어진반도체셀을분리하고, 상기반도체셀을임시기판상에상기전도성플렉시블기판이접하도록형성하는제4단계와, 상기임시기판상에형성된상기반도체층상부의일부영역에전면전극및 반사방지막을형성하고, 에칭공정을이용하여복수개의태양전지셀을제조하는제5단계와, 이송수단을이용하여상기복수개의태양전지셀을상기임시기판으로부터분리하는제6단계와, 후면전극회로가인쇄된밀봉재필름또는후면전극회로가인쇄된백시트필름상에상기복수개의태양전지셀의후면(전도성플렉시블기판측)을부착하는제7단계와, 전면전극회로가인쇄된밀봉재필름, 또는 (전면전극회로가인쇄되지않은) 전면밀봉재필름을상기복수개의태양전지셀의전면(전면전극측)에부착하여플렉시블태양전지모듈구조체를형성하는제8단계및 상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용한경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상부에전면시트필름을위치시키고, (상기후면전극회로가인쇄된백시트필름을사용하지않고) 상기후면전극회로가인쇄된밀봉재필름을사용하는경우에는상기플렉시블태양전지모듈구조체상하부에각각전면시트필름및 백시트필름을위치시킨후, 라미네이팅공정을수행하여플렉시블태양전지모듈을형성하는제9단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는플렉시블태양전지모듈의제조방법및 이에의해제조된플렉시블태양전지모듈을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은전도성플렉시블기판을적용하여기존의플렉시블태양전지셀에서의전기적및 열적특성을개선시키고, 전극연결구조를개선하며, 특히전극회로가인쇄된필름을이용하여라미네이팅공정을적용함으로써, 금속전극선본딩공정이배제되고태양전지셀의직렬및 병렬연결구조가단순화되어플렉시블태양전지모듈의제조가용이한이점이있다.

    메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법
    53.
    发明授权
    메타-광경화 임프린팅 공정과 완전경화 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법 有权
    - 使用meta-UV印迹和光刻法制备金属氧化物复合结构的方法

    公开(公告)号:KR101673971B1

    公开(公告)日:2016-11-09

    申请号:KR1020150001431

    申请日:2015-01-06

    Abstract: 본발명은금속산화물복합구조체제조방법에관한것으로서, 기판또는박막의상부에감광성금속-유기물전구체층을형성하는단계와, 상기감광성금속-유기물전구체층을제1패턴이형성된임프린트용스탬프로가압하되, 상기감광성금속-유기물전구체층이완전경화되는도즈보다낮고임계경화되는도즈보다높은도즈로광경화를수행하는메타-광경화임프린팅단계와, 상기임프린트용스탬프를상기감광성금속-유기물전구체층으로부터제거하는단계와, 상기패턴된감광성금속-유기물전구체층상단에제2패턴이형성된포토마스크를위치시킨후, 완전경화도즈이상으로자외선또는열을조사하여금속산화박막패턴층을형성하는완전경화포토리소그래피단계와, 상기경화가완료된금속산화박막패턴층을현상(Developing)하여, 상기제1패턴과제2패턴이복합적으로구현된금속산화물복합구조체를형성하는단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는메타-광경화임프린팅공정과완전경화포토리소그래피공정에의한금속산화물복합구조체제조방법을기술적요지로한다. 이에의해이종(異種)의패턴이복합적으로구현된금속산화물구조체의제공이용이하며, 완전경화가되지않을정도의도즈에서임프린팅공정이진행되고, 그후 포토리소그래피공정에의해완전경화를수행하여, 식각공정이생략된중간경화공정을추가함으로써, 식각공정의횟수를줄일수 있어공정의단순화및 비용을절감시키는이점이있다.

    패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체
    54.
    发明公开
    패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체의 제조방법 및 이에 의해 제조된 패턴화된 금속산화물 나노입자 구조체 有权
    金属氧化物纳米颗粒图和金属氧化物纳米颗粒的制造方法

    公开(公告)号:KR1020160110742A

    公开(公告)日:2016-09-22

    申请号:KR1020150033954

    申请日:2015-03-11

    Abstract: 본발명은금속산화물나노입자구조체에관한것으로서, 기판상에금속레지스트를코팅하여, 금속레지스트층을형성하는제1단계와, 상기금속레지스트층을패턴화하여, 상기기판의일부영역을노출시키고, 일정주기(c), 폭(a) 및높이(b)를갖는금속레지스트패턴을형성하는제2단계및 상기금속레지스트패턴에에너지를가하여, 상기금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따른상기금속레지스트패턴의주기(c), 폭(a) 및높이에대응하여일정주기(e),(f), 크기(d)를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하는제3단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는패턴화된금속산화물나노입자구조체의제조방법및 이에의해제조된패턴화된금속산화물나노입자구조체를기술적요지로한다. 이에의해본 발명은, 기판상에금속레지스트를코팅하여패턴을형성하고, 에너지를가하여금속레지스트에포함된유기물의분해및 금속분자간 응집에따라소정의주기및 크기를갖는패턴화된금속산화물나노입자구조체를형성하여, 간단한방법으로나노입자의위치와크기및 배열주기의제어가용이하여미세패턴의제작이용이한이점이있다.

    Abstract translation: 本发明涉及金属氧化物纳米颗粒结构,本发明的技术要点在于制造图案化的金属氧化物纳米颗粒结构的方法和由其制造的图案化的金属氧化物纳米颗粒结构,其中该方法包括:第一 在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成金属抗蚀剂层的步骤; 用于图案化金属抗蚀剂层的第二步骤,暴露基底的区域并形成在该区域上具有特定间隔(c),宽度(a)和高度(b)的金属抗蚀剂图案; 以及第三步骤,用于激励金属抗蚀剂图案以形成具有间隔(e),(f)和尺寸(d)的金属氧化物纳米颗粒结构,所述区间(c),宽度(a)和高度 金属抗蚀剂图案由于有机物的降解和金属抗蚀剂中所含的金属分子的聚集而引起。 因此,通过在基板上涂覆金属抗蚀剂以形成图案并激发图案,以形成由于有机物的降解和包含在金属抗蚀剂中的金属分子的聚集而具有一定间隔和尺寸的图案化金属氧化物纳米颗粒结构, 本发明提供了制造微图案的有利方法,其中可以容易地控制纳米颗粒的位置,尺寸和排列间隔。

    파장변환소자 및 이의 제조방법
    55.
    发明授权
    파장변환소자 및 이의 제조방법 有权
    波长转换装置及其制造方法

    公开(公告)号:KR101656206B1

    公开(公告)日:2016-09-09

    申请号:KR1020140152376

    申请日:2014-11-04

    Abstract: 본발명은파장변환소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따르면 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 제1방향으로분극(polarization)이형성된제1종질화물반도체블럭(block); 및 Ga, N를포함하는 4종류의원소를포함하여이루어진질화물반도체로서, 상기제1종질화물반도체블럭에접하며, 상기제1종질화물반도체블럭에형성된분극과반대방향인제2방향으로분극이형성된제2종질화물반도체블럭;를포함하고, 상기제1종질화물반도체블럭의측면에상기제2종질화물반도체블럭이접하여분극교차구조를이루며, 일측에서상기제1종질화물반도체블럭으로입사되어상기제1종질화물반도체블럭및 상기제2종질화물반도체블럭을투과하는입사광으로부터 2차조화파(second harmony generation)를발생시키는것을특징으로하기때문에광의진행방향에대한수직방향으로분극이교차로변하는구조(분극교차구조)를 InAlGaN을기반으로하는질화물반도체를통해구현해냄으로써준위상정합(Quasi Phase Matching)을실현해낼 수있게되었으며, 보다넓은파장영역대에서 2차조화파발생을통한 UV 레이저를제조할수 있는기술이개시된다.

    전압과 전류 밀도를 제어할 수 있는 전기 도금 장치 및 그 전기 도금 방법
    56.
    发明授权
    전압과 전류 밀도를 제어할 수 있는 전기 도금 장치 및 그 전기 도금 방법 有权
    用于控制电压和电流密度的电镀机以及电镀方法

    公开(公告)号:KR101564702B1

    公开(公告)日:2015-10-30

    申请号:KR1020130161597

    申请日:2013-12-23

    Abstract: 본발명은전기도금장치및 그방법에관한것으로서, 기판을수용하는도금조와, 상기기판의피도금면에대향되어위치하며, 도금금속이연결되는양극과, 상기양극과상기기판과의사이에소정의전기장이형성되도록상기기판과연결되는음극을포함하여구성된전기도금장치에있어서, 기판에전압을인가하는전원공급부와, 상기전원공급부에직렬연결된가변저항부와, 상기가변저항부및 상기기판에병렬연결된바이패스부와, 상기전원공급부, 가변저항부및 바이패스부와연결되어상기기판에인가되는전압및 전류밀도를제어하는제어부를포함하여이루어진것을특징으로하는전압과전류밀도를제어할수 있는전기도금장치및 그전기도금방법을기술적요지로한다. 이에의해전기도금공정을진행함에있어, 최적도금공정이가능한전압과전류밀도를동시에제어할수 있어고품질의도금공정의수행이가능한이점이있다.

    투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지
    57.
    发明授权
    투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지 有权
    使用透明导电氧化物和化合物半导体溶胶电池的复合半导体溶胶电池的制造方法

    公开(公告)号:KR101486206B1

    公开(公告)日:2015-01-27

    申请号:KR1020140029590

    申请日:2014-03-13

    CPC classification number: Y02E10/50 H01L31/18 H01L31/04

    Abstract: 본 발명은 화합물반도체 태양광 전지에 관한 것으로서, 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서, 상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계와, 상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루 어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지를 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 갈바닉 효과를 억제하여 고품질의 화합물반도체 태양광 전지를 제공할 수 있으며, 투명전도성 산화물 박막을 윈도우층과 캡층의 보호층으로 사용함으로써, 윈도우층과 캡층의 손상으로 인한 화합물반도체 태양광 전지의 효율 저하를 방지하였으며, 캡층 형성 후 그리드전극 형성을 위한 시드금속층의 습식 식각 시에도 보호층으로 인해 윈도우층 및 캡층의 손상을 방지하여 화합물반도체 태양광 전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.

    Abstract translation: 化合物半导体太阳能电池本发明涉及化合物半导体太阳能电池。 一种化合物半导体太阳能电池的制造方法,其包括形成在基板上的光电转换单元,形成在所述光电转换单元的上部的窗口层,形成在所述窗口层的上部的盖层,以及 栅电极包括以下步骤:将第一感光膜作为掩模湿蚀刻在窗口层上以形成盖层; 在窗口层上形成用于n金属层图案化的第二感光膜,并在盖层上形成n金属层; 在所述窗口层和所述n金属层上形成包含透明导电氧化物的保护层; 在保护层的上层上沉积种子金属层; 以及在所述种子金属层上形成用于栅电极图案化的第三感光膜,在所述覆盖层的种子金属层上形成栅格电极,以及在包括所述窗口层和所述保护层的区域中除去所述种子金属层。 该方法能够:通过抑制电流效应提供高质量的化合物半导体太阳能电池; 通过使用透明导电氧化物膜作为窗口层和盖层的保护层,防止由于窗口层和盖层的损坏导致的化合物半导体太阳能电池的效率降低; 并且通过在形成盖层之后,当种子金属层被湿蚀刻以形成栅电极时,通过防止保护层对窗口层和盖层的损坏来提高复合半导体太阳能电池的效率。

    정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체
    58.
    发明授权
    정렬된 금속산화물 나노구조체에 금속나노입자가 결합된 하이브리드 나노구조체의 제조방법 및 그에 의한 하이브리드 나노구조체 有权
    金属纳米颗粒与对称金属氧化物纳米结构和混合纳米结构的混合纳米结构的制备方法

    公开(公告)号:KR101477038B1

    公开(公告)日:2014-12-29

    申请号:KR1020130159283

    申请日:2013-12-19

    CPC classification number: B82B3/0095 B82Y40/00

    Abstract: The present invention relates to hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on metal oxide nanostructures and, more specifically, to a manufacturing method for hybrid nanostructures in which metal nanoparticles are combined on aligned metal oxide nanostructures comprising: a first step of forming a metal-organic precursor layer on a substrate or a thin film; a second step of forming a metal oxide seed layer by an imprinting and hardening process by locating a stamp for imprinting on the metal-organic precursor layer; a third step of forming a metal oxide seed pattern layer by exposing a part of the substrate or thin film by removing a residual layer of the metal oxide seed layer; a fourth step of removing a solvent by performing heat treatment on the metal oxide seed pattern layer; a fifth step of forming aligned metal oxide nanostructures on the metal oxide seed pattern layer in which the solvent is removed by using a hydrothermal synthesis method; and a sixth step of forming hybrid nanostructures by combining metal nanoparticles on the aligned metal oxide nanostructures by using photodecomposition reaction, and to hybrid nanostructures manufactured thereby. The present invention is economical since hybrid nanostructures with metal nanoparticles on metal oxide nanostructures are easily manufactured by using a simple process requiring low production costs such as an imprinting process, a hydrothermal synthesis method, photodecomposition reaction and the like.

    Abstract translation: 本发明涉及其中金属纳米颗粒结合在金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构,更具体地说,涉及将金属纳米颗粒结合在对准的金属氧化物纳米结构上的混合纳米结构的制造方法,其包括:第一步骤, 有机前体层在基材或薄膜上; 通过定位用于印刷在金属 - 有机前体层上的印模的印刷和硬化工艺来形成金属氧化物种子层的第二步骤; 通过去除所述金属氧化物种子层的残留层而暴露所述基板或薄膜的一部分来形成金属氧化物种子图案层的第三步骤; 通过对所述金属氧化物种子图案层进行热处理来除去溶剂的第四步骤; 在通过水热合成法除去溶剂的金属氧化物种子图案层上形成排列的金属氧化物纳米结构的第五步骤; 以及通过使用光分解反应在排列的金属氧化物纳米结构上结合金属纳米颗粒以及由其制造的混合纳米结构来形成混合纳米结构的第六步骤。 本发明是经济的,因为使用金属纳米颗粒在金属氧化物纳米结构上的杂化纳米结构很容易通过使用需要低生产成本的简单工艺(诸如压印法,水热合成法,光分解反应等)来制造。

    나노패턴을 가지는 금속 필름의 제조방법
    59.
    发明公开
    나노패턴을 가지는 금속 필름의 제조방법 有权
    金属膜与纳米图案的制造方法

    公开(公告)号:KR1020140085968A

    公开(公告)日:2014-07-08

    申请号:KR1020120155896

    申请日:2012-12-28

    CPC classification number: H01L21/0273 B82B1/001 B82Y40/00

    Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing a metal film with nanopatterns. The method of manufacturing a metal film with nanopatterns comprises: a first step of forming a sacrificial layer on the upper surface of a substrate; a second step of forming a seed layer for plating on the upper surface of the sacrificial layer; a third step of forming a metal film on the seed layer through electroplating; a fourth step of forming a photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film and then forming a nanopattern made of the photosensitive resin layer on the upper surface of the metal film through exposure patterning and developing processes; and a fifth step of removing the sacrificial layer to separate the metal film with the nanopattern formed thereon from the substrate. According to the present invention, fine nanopatterns of equal to or less than 100 nm are uniformly formed while the present invention reduces process costs and time by simplifying processes, and the metal film with the nanopattern is simply manufactured.

    Abstract translation: 本发明涉及一种利用纳米图案制造金属膜的方法。 利用纳米图案制造金属膜的方法包括:在基板的上表面上形成牺牲层的第一步骤; 在牺牲层的上表面上形成用于电镀的种子层的第二步骤; 通过电镀在种子层上形成金属膜的第三步骤; 在金属膜的上表面上形成感光性树脂层,然后通过曝光图案化和显影工艺在金属膜的上表面上形成由感光性树脂层制成的纳米图案的第四步骤; 以及除去牺牲层以从金属膜与其上形成的纳米图案分离的第五步骤。 根据本发明,均匀地形成等于或小于100nm的细微纳米图案,而本发明通过简化工艺降低了工艺成本和时间,并且简单地制造了具有纳米图案的金属膜。

    임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체
    60.
    发明授权
    임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체 有权
    由此通过压印光刻和三维纳米结构制造三维纳米结构的方法

    公开(公告)号:KR101357087B1

    公开(公告)日:2014-02-04

    申请号:KR1020110135977

    申请日:2011-12-16

    Abstract: 본 발명은 임프린트 리소그래피를 이용한 3차원 나노구조체 제조방법 및 이에 의해 제조된 3차원 나노구조체에 관한 것으로, 본 발명의 3차원 나노구조체 제조방법은 기판 또는 박막의 상부에 임프린트 레진 층 또는 감광성 금속-유기물 전구체 층을 형성하는 단계와, 상기 임프린트 레진 층 또는 상기 감광성 금속-유기물 전구체 층을 제1 패턴이 형성된 제1 임프린트용 스탬프(Imprint Stamp)로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계와, 상기 1차 레진 패턴 층 또는 1차 금속 산화박막 패턴 층을 상기 제1 임프린트용 스탬프와 다른 제2 패턴을 가진 이종의 제2 임프린트용 스탬프로 가압하고, 가열 또는 빛 조사 방법 중 어느 하나 또는 이들이 혼용된 방법으로 2차 레진 패턴 층 또는 2차 금속 산화박막 패턴 층을 형성하는 단계를 포함하여, 이종의 선폭 및 패턴형태를 가진 레진 패턴 층 또는 금속 산화박막 패턴 층을 형성함으로써, 복수의 임프린트 스탬프를 사용하여 다양한 형태의 3차원 패턴형성이 가능하여 저가 및 대면적으로 나노점, 나노튜브, 나노원뿔 등과 같은 다양한 3차원 나노구조체 제조를 용이하게 할 수 있는 효과가 있다.

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