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公开(公告)号：KR1020110024802A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090082946
申请日：2009-09-03
Applicant: (주) 삼사원 , 국민대학교산학협력단
IPC: F16K31/60 , F16K31/528 , F16K1/32 , F16K1/36
Abstract: PURPOSE: A bellows valve having a lever type steering wheel, capable of immediately distinguishing the opening and closing state of a valve without additional operation, is provided to perform the opening and closing of a valve using a reduced amount of power from an operator by handle manipulation. CONSTITUTION: A bellows valve having a lever type steering wheel comprises a body(11), a tube member, a stem(12), a stem bed(13), a bellows(14), a pin member(15) and a handle(16). The flow path is formed inside the body. An influx passage, in which the fluid of a flow path flows, is formed on the lower-part of the tube member. An exhaust path discharging the fluid flowing in into the influx passage is formed on the side of the tube member. The stem can ascend and descend corresponding to the tube member. The stem bed opens and closes the flow path by ascending and descending the stem. The bellows is formed in the outer circumference of the stem. The pin member is combined to on the top of the stem in a direction crossing with the longitudinal direction of the stem at a right angle. The handle is pivotally connected to the body. The guide unit guiding the pin member to slide is formed on the handle. The handle moves up and down the stem according to the rotation of the body.
Abstract translation: 目的：提供具有杠杆式方向盘的波纹管阀，其能够立即区分阀的打开和关闭状态而不需要额外的操作，以便使用来自操作者的手柄减少的功率来执行阀的打开和关闭 操纵。 构造：具有杠杆式方向盘的波纹管阀包括主体（11），管构件，杆（12），杆床（13），波纹管（14），销构件（15）和手柄 （16）。 流路形成在体内。 在管构件的下部形成有流路的流体流入的流入通道。 排出流入流入通道的流体的排气路径形成在管构件的侧面上。 杆可以对应于管构件上升和下降。 杆床通过杆上升和下降来打开和关闭流路。 波纹管形成在杆的外周。 销构件以与杆的纵向方向成直角的方向组合在杆的顶部上。 手柄可枢转地连接到身体。 引导销引导件滑动的引导单元形成在手柄上。 手柄根据身体的旋转上下移动杆。
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公开(公告)号：KR1020100120940A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090039825
申请日：2009-05-07
Applicant: 국민대학교산학협력단 , 한양대학교 산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/66742
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a thin film transistor is provided to easily manufacture a thin film transistor with low costs by forming a source/drain electrode by using a self-assembled monolayer without an additional mask process. CONSTITUTION: A gate is formed on a substrate(100). A gate insulating layer(110), which covers the gate, is formed in the top of the substrate. An oxide semiconductor active layer(120) is formed on the gate insulating layer. A hydrophobicity self-assembled monolayer(210) is formed on the oxide semiconductor active layer by irradiating a ultraviolet ray to the oxide semiconductor active layer. A source/drain electrode is formed on the oxide semiconductor active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管的制造方法，通过使用自组装单层形成源/漏电极，而不需要额外的掩模工艺，便于以低成本制造薄膜晶体管。 构成：在基板（100）上形成栅极。 覆盖栅极的栅极绝缘层（110）形成在基板的顶部。 在栅极绝缘层上形成氧化物半导体活性层（120）。 通过向氧化物半导体活性层照射紫外线，在氧化物半导体活性层上形成疏水性自组装单层（210）。 源极/漏电极形成在氧化物半导体有源层上。
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53.发明公开
公开(公告)号：KR1020090111588A
公开(公告)日：2009-10-27
申请号：KR1020080037274
申请日：2008-04-22
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L27/11521 , B82Y10/00 , H01L21/0226 , H01L21/265 , H01L21/28273
Abstract: PURPOSE: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device are provided to secure the thermal stability of the metal nano crystal by the chemical vapor deposition. CONSTITUTION: A floating gate, method of forming floating gate, method of fabricating non-volatile memory device using the same and non-volatile memory device comprises as follows. The tunneling oxide film(12) is formed on the semiconductor substrate(10). A binder is provided that is bonded with the metal nano crystal and ionic bond in the tunneling oxide film. The seed layer(14) for preventing the diffusion of tunneling oxide film is formed on the metal nano crystal(16). The metal nano crystal for storing the electric charge is formed.
Abstract translation: 目的：提供浮动栅极，浮栅形成方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法，以通过化学气相沉积来确保金属纳米晶体的热稳定性。 构成：浮栅，形成浮栅的方法，使用相同和非易失性存储器件制造非易失性存储器件的方法包括如下。 隧道氧化膜（12）形成在半导体衬底（10）上。 提供了与隧道氧化膜中的金属纳米晶体和离子键结合的粘合剂。 用于防止隧道氧化膜扩散的种子层（14）形成在金属纳米晶体（16）上。 形成用于存储电荷的金属纳米晶体。
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54.发明授权다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및그 제조방법 有权具有多个电荷存储层的浮动栅极，用于制造浮动栅极的方法，非易失性存储器件以及使用其制造非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：KR100902313B1
公开(公告)日：2009-06-12
申请号：KR1020070097519
申请日：2007-09-27
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L29/42332 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L29/42348 , H01L29/513
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 금속 나노 크리스탈을 이용하는 다층 전하저장층을 형성하여 메모리 장치의 전하저장능력을 향상시킬 수 있는 다층의 전하저장층을 가지는 플로팅 게이트, 플로팅 게이트의 제조방법, 이를 이용한 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 플로팅 게이트는 터널 산화막 상에 적층되고, 전하를 띄고 있으며 각 단마다 각각 적어도 하나의 박막이 적층된 적어도 하나의 단으로 이루어진 고분자 전해질막과; 각각 상기 고분자 전해질막의 각단 상부면에 자기 조립되어 전하를 트랩하는 다수의 금속 나노 크리스탈이 부착된 적어도 하나의 금속 나노 크리스탈층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 플로팅 게이트는 고분자 전해질에 금속 나노 크리스탈을 자기 조립방법으로 형성하므로 고온의 열처리 공정 없이 제조될 수 있다.
비휘발성 메모리, 플로팅 게이트, 전하저장, 고분자 전해질, 금속 나노 크리스탈, 자기 조립-
公开(公告)号：KR100878028B1
公开(公告)日：2009-01-13
申请号：KR1020070027169
申请日：2007-03-20
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , H01L29/786
Abstract: 본 발명은 포토 리소그래피 공정을 사용하지 않고, 정밀한 패턴을 형성할 수 있는 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 자기조립단분자막을 이용한 패턴 형성방법은, 기판 상에 소수성을 가지는 소수성 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 중 상기 소수성 자기조립단분자막 패턴이 형성된 영역 이외의 영역에 친수성을 가지는 친수성 자기조립단분자막 패턴을 형성하는 단계; 상기 소수성 자기조립단분자막 패턴 및 친수성 자기조립단분자막 패턴이 형성된 기판 상에 촉매제막을 형성하는 단계; 상기 자기조립단분자막 상에 전도성 폴리머막을 형성하는 단계를 포함한다.-
Patent Agency Ranking56.发明公开저온 선택 증착기술을 이용한 비광학적 방식의 금속배선 형성방법, 이를 이용하여 제조된 ＴＦＴ의 제조방법, 및 ＴＦＴ 기판의 제조방법 失效使用低温选择性沉积的非光学工艺形成金属接线及其方法，使用其制造TFT和TFT基板的TFT和方法
公开(公告)号：KR1020060112375A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：KR1020050034695
申请日：2005-04-26
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/28562 , H01L21/76817 , H01L21/76867 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: A method for forming a metal interconnection is provided to guarantee a simplified process by forming a low-resistive multilayered thin film of a Cu/Co structure while using an ALD or MOCVD method of a Co thin film and a Cu thin film and a micro contact printing method. Metal is deposited on a substrate by a micro contact printing method wherein OTS(octadecyltrichlorosilane) of a second pattern made of a reverse pattern of a desired first pattern is formed. A Co thin film(24) is deposited on the front surface of the substrate. A Co thin film is selectively deposited only in a region where OTS(22a) is not formed, made of the same pattern as the first pattern. The substrate region of the first pattern in which the OTS is not formed is a hydrophilic region where a nucleus can easily be generated. The substrate region of the second pattern in which the OTS is formed is a hydrophobic region where a nucleus is difficult to generate.
Abstract translation: 提供一种用于形成金属互连的方法，以通过在使用Co薄膜和Cu薄膜和微触点的ALD或MOCVD方法的同时形成Cu / Co结构的低电阻多层薄膜来保证简化的工艺 打印方式。 金属通过微接触印刷法沉积在基底上，其中形成由所需第一图案的反向图案制成的第二图案的OTS（十八烷基三氯硅烷）。 Co基薄膜（24）沉积在衬底的前表面上。 仅在不形成OTS（22a）的区域中选择性地沉积Co薄膜，由与第一图案相同的图案制成。 不形成OTS的第一图案的基板区域是容易产生核的亲水区域。 其中形成OTS的第二图案的衬底区域是难以产生核的疏水区域。
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公开(公告)号：KR101716950B1
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020150046836
申请日：2015-04-02
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G01T1/20
Abstract: 엑스선검출기용섬광소자및 상기엑스선검출기용섬광소자의제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160136258A
公开(公告)日：2016-11-29
申请号：KR1020160151251
申请日：2016-11-14
Applicant: 국민대학교산학협력단
IPC: G02F1/1335 , F21V8/00 , G02B6/10
Abstract: 선형광원및 상기선형광원을포함하는백라이트유닛에관한것이다.
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