公开(公告)号：KR1020090038819A

公开(公告)日：2009-04-21

申请号：KR1020080100906

申请日：2008-10-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노데라노부따께 ,  사또오쥰 ,  야마모또가즈야 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32522

Abstract: A film formation apparatus for a semiconductor process and a using method thereof are provided to form a silicone nitride film by supplying two film formation gases without a plasma assist at the same time. A film formation apparatus(1) includes a reaction tube(2) which provides a process space(S). An exhaust space(21) is formed into a vertical direction according to the reaction tube. A partition(22) is arranged between the process space and the exhaust space. An exhaust pipe connects the process space to the exhaust space. An exhaust part(GE) is contacted with the exhaust space through an exhaust tube(4). A cover(5) is arranged on a bottom of the reaction tube. A wafer boat(6) is loaded on the cover. An insulation cover(71) including a heater(7) is arranged around the reaction tube. A gas dispersion nozzle(8,9) and a gas nozzle(10) are inserted in a side of a bottom part of the reaction tube, and are connected to a process gas supply part(GS) through a mass flow control. A plasma generating part(11) is arranged in a part of the side wall of the reaction tube. A radio frequency power source for generating plasma is connected to an electrode(12) through a feed line. A plurality of temperature sensors and a plurality of manometers are arranged inside the reaction tube. A control part(100) controls each part of the film formation apparatus.

Abstract translation: 提供了一种用于半导体工艺的成膜装置及其使用方法，以通过同时供给两种不产生等离子体辅助的成膜气体来形成氮化硅膜。 成膜装置（1）包括提供处理空间（S）的反应管（2）。 根据反应管，排气空间（21）形成为垂直方向。 在处理空间与排气空间之间配置隔板（22）。 排气管将过程空间连接到排气空间。 排气部（GE）通过排气管（4）与排气空间接触。 盖（5）布置在反应管的底部。 晶片舟（6）装载在盖上。 包括加热器（7）的绝缘盖（71）布置在反应管周围。 气体分散喷嘴（8,9）和气体喷嘴（10）插入在反应管的底部的一侧，并通过质量流量控制连接到处理气体供应部分（GS）。 等离子体产生部件（11）布置在反应管的侧壁的一部分中。 用于产生等离子体的射频电源通过馈电线连接到电极（12）。 反应管内设有多个温度传感器和多个压力计。 控制部（100）控制成膜装置的各部分。

公开(公告)号：KR100861851B1

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：KR1020050063650

申请日：2005-07-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/402 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608

Abstract: Si 함유 가스와 산화성 가스와 환원성 가스를 선택적으로 공급 가능한 처리 영역 내에서 금속 표면을 갖는 피처리 기판 상에 CVD에 의해 실리콘 산화막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 동시에 행하는 한편, 처리 영역에 대한 Si 함유 가스의 공급을 정지한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 Si 함유 가스, 산화성 가스 및 환원성 가스의 공급을 정지한다.
성막 장치, 처리 용기, 웨이퍼 보트, 덮개부, 밀봉부, 히터

公开(公告)号：KR1020080089327A

公开(公告)日：2008-10-06

申请号：KR1020080090861

申请日：2008-09-17

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 구로까와마사끼 ,  기무라노리후미 ,  후지따다께히꼬 ,  후루사와요시까즈 ,  고모리가쯔히꼬 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/0272 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/324 ,  H01L29/4966

Abstract: A film forming apparatus and a film forming method are provided to suppress silicon on a surface of a silicon germanium layer by supplying a silane-based gas. A silicon germanium layer is formed on a substrate by supplying a processing gas into an inside of a reaction chamber and setting temperature of processing atmosphere at a predetermined temperature level. An annealing process is performed to anneal the silicon germanium layer by supplying a hydrogen gas to the inside of the reaction chamber. A purge process using a purge gas is performed one more times by performing a vacuum exhaust process in the inside of the reaction chamber. The substrate is drawn from the inside of the reaction chamber.

Abstract translation: 提供一种成膜装置和成膜方法，通过供给硅烷系气体来抑制硅锗层表面的硅。 通过将处理气体供应到反应室的内部并将处理气氛的设定温度设定在预定的温度水平，在基板上形成硅锗层。 执行退火处理以通过向反应室的内部供应氢气来退火硅锗层。 通过在反应室内部进行真空排气处理，再次进行使用吹扫气体的吹扫处理。 从反应室的内部抽出衬底。

公开(公告)号：KR1020080076828A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：KR1020080013866

申请日：2008-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/00

Abstract: A film forming method and a film forming apparatus are provided to improve controllability of the film thickness during cleaning and form an SiCN film that can function sufficiently as an etching stopper film or an interlayer insulating film by maintaining a relatively low etching rate during cleaning even when a film is formed at a relatively low temperature. An apparatus(2) for forming an SiCN film on a substrate to be treated comprises: a treatment vessel(4) having a treatment zone(5) for receiving the substrate to be treated; a supporting member for supporting the substrate to be treated within the treatment zone; a heater(72) for heating the substrate to be treated in the treatment zone; an exhaust system(73) for exhausting the inside of the treatment zone; a first treatment gas supply system(30) for supplying a first treatment gas comprising a silane-based gas to the treatment zone; a second treatment gas supply system(32) for supplying a second treatment gas comprising a nitriding gas to the treatment zone; a third treatment gas supply system(28) for supplying a third treatment gas comprising a hydrocarbon gas to the treatment zone; and a control part(74) for controlling the operation of the apparatus, the control part being set to carry out a method for forming an SiCN film with a predetermined thickness on the substrate to be treated by repeating a cycle several times, thereby laying up thin films formed per the cycle, wherein the cycle comprises: performing a first process of supplying a first treatment gas to the treatment zone, a second process of supplying a second treatment gas to the treatment zone, a third process of supplying a third treatment gas to the treatment zone, and a fourth process of cutting off the supply of the first treatment gas to the treatment zone; supplying the first to third treatment gases to the treatment zone without plasmarizing the treatment gases outside the treatment zone; and heating the treatment zone in the first to fourth processes to a first temperature at which the silane-based gas, the nitriding gas, and the hydrocarbon gas react with one another.

Abstract translation: 提供了一种成膜方法和成膜装置，以提高清洁期间的膜厚度的可控性，并形成可以充分发挥作为蚀刻停止膜或层间绝缘膜的SiCN膜的作用，即使在清洁期间保持相对较低的蚀刻速率， 在相对低的温度下形成膜。 一种用于在待处理的基底上形成SiCN膜的设备（2）包括：处理容器（4），具有用于接收待处理的基底的处理区（5） 支撑构件，用于在处理区域内支撑待处理的基底; 加热器（72），用于加热待处理区域中的待处理基底; 排气系统（73），用于排出处理区域的内部; 第一处理气体供给系统（30），用于向处理区域供应包含硅烷类气体的第一处理气体; 第二处理气体供给系统（32），用于将包含氮化气体的第二处理气体供给到所述处理区域; 第三处理气体供给系统（28），用于将包含烃气体的第三处理气体供给到所述处理区域; 以及用于控制装置的操作的控制部分（74），控制部分被设置为通过重复一次循环数次来在待处理的基板上执行用于形成具有预定厚度的SiCN膜的方法，由此布置 每个循环形成薄膜，其中循环包括：执行向处理区域供应第一处理气体的第一过程，向处理区域供应第二处理气体的第二过程，提供第三处理气体的第三过程 到处理区域，以及切断向处理区域供应第一处理气体的第四过程; 将第一至第三处理气体供应到处理区域，而不使处理区域外的处理气体等离子体化; 并且将第一至第四工序中的处理区域加热至硅烷系气体，氮化气体和烃气体彼此反应的第一温度。

公开(公告)号：KR1020070076478A

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：KR1020070004154

申请日：2007-01-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 주파오화 ,  하세베가즈히데

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: A layer deposition method and a layer deposition apparatus are provided to comparatively reduce an etching rate during a cleaning process, even if the layer deposition method is performed in a relatively low temperature, using an excited processing gas during a preset excitation period. A first process gas includes a silane based gas(30S). A second process gas includes a nitrification gas(32S). A third process gas includes a hydrocarbon gas(28S). The first to the third process gases are selectively supplied into a process region(5) so that a substrate(W) to be processed is provided with an dielectric film by a CVD. The steps of supplying the first to the third process gases into the processing region are repeated. In the step of supplying the third processing gas, an excitation mechanism(66) is used to excite the third process gas, so that the excited process gas is supplied into the process region during a preset excitation period.

Abstract translation: 提供层淀积方法和层淀积装置，即使在预设的激发期间使用激发的处理气体，在相对低的温度下进行层沉积方法，也可以在清洁过程中相对降低蚀刻速率。 第一工艺气体包括硅烷基气体（30S）。 第二工艺气体包括硝化气体（32S）。 第三工艺气体包括烃气体（28S）。 第一至第三工艺气体被选择性地供应到工艺区域（5）中，使得待处理的衬底（W）通过CVD提供介电膜。 重复将第一至第三处理气体供应到处理区域中的步骤。 在提供第三处理气体的步骤中，使用激励机构（66）来激励第三处理气体，使得在预设的激励期间将被激发的工艺气体供给到处理区域。

公开(公告)号：KR100737056B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020010014898

申请日：2001-03-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  모로즈미유이치로 ,  최동균 ,  스가와라다쿠야 ,  이누미야세이지 ,  쓰나시마요시타카

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02183 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/405 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/31604

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 용기 내에 산화제로서 수증기를 공급하여 각 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 수분을 흡착시키는 단계(P2-P3), 처리 용기(20) 내에 원료 가스인 PET 가스를 공급하여 200℃의 공정 온도에서 웨이퍼 위의 수분과 반응시켜 탄탈 산화물로 이루어진 계면층(50)을 형성하는 단계(P4-P5), 처리 용기 내에 PET 가스와 산소 가스를 동시에 공급하여 410℃의 공정 온도에서 두 가스를 반응시켜 계면층 상에 탄탈 산화물로 이루어진 본층(51)을 형성하는 단계(P6-P7)를 포함하는 탄탈 산화막을 형성하기 위한 금속 유기 화학적 증착(MOCVD) 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100680863B1

公开(公告)日：2007-02-09

申请号：KR1020057014229

申请日：2004-02-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세베가즈히데 ,  엔도아츠시 ,  오카다미츠히로 ,  오가와준 ,  야마모토아키히토 ,  나카오다카시 ,  가미무라마사키 ,  우시쿠유키히로

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/67109

Abstract: 본 발명에 따른 처리시스템은, 내부에 피처리기판이 올려 놓아지는 반응용기와, 기판처리시에 상기 반응용기 내로 처리가스를 공급하는 처리가스공급기구, 클리닝 시에 상기 반응용기 내로 부식성을 가진 클리닝가스를 공급하는 클리닝가스공급기구, 상기 반응용기에 접속된 배기로 부재, 상기 반응용기 및 상기 배기로 부재 중의 특정한 일부분을 가열하는 가열수단, 상기 특정한 일부분의 온도를 검출하는 온도검출수단, 이 온도검출수단에 의해 검출된 검출 값을 기초로 상기 특정한 일부분이 소정의 목표온도로 되도록 상기 가열부재를 제어하는 온도제어수단 및, 상기 목표온도를 기판처리 시와 클리닝 시로 변경하는 온도변경수단을 구비하고 있다. 상기 목표온도는 상기 온도변경수단에 의해, 기판처리 시에서는 당해 특정한 일부분에 반응 부생성물이 부착되는 것이 억제될 수 있는 온도로 되는 한편, 클리닝 시에는 당해 특정한 일부분의 부식이 억제될 수 있는 온도로 된다.

公开(公告)号：KR1020060050618A

公开(公告)日：2006-05-19

申请号：KR1020050077917

申请日：2005-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시키가이샤 호리바 세이사꾸쇼

Inventor： 하세베가즈히데 ,  노데라노부타케 ,  엔도아츠시 ,  우메키마코토 ,  니시무라가츠미 ,  미나미마사카즈 ,  요시다마코토

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  Y02C20/30 ,  Y02P70/605

Abstract: 반도체 처리용의 성막장치는 클리닝 가스 공급계(17)와, 농도 측정부(27)와, 정보 처리부(102)를 포함한다. 클리닝 가스 공급계(17)는 반응실내에 성막 가스로부터 유래하는 부생성물막을 반응실(2)의 내면으로부터 제거하는 클리닝을 실행하기 위한 클리닝 가스를 공급한다. 농도 측정부(27)는 반응실(2)내로부터 배출되는 배기 가스에 포함된 소정의 성분의 농도를 모니터하기 위해, 배기계(GE)에 설치된다. 정보처리부(102)는 농도 측정부(27)에서 얻어진 측정치와, 사전 설정치를 비교하여, 크리닝의 종료 시점을 결정한다.

公开(公告)号：KR1020060048541A

公开(公告)日：2006-05-18

申请号：KR1020050055543

申请日：2005-06-27

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  초우파오화

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45578 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 반도체 처리용 성막 방법은 처리 기판을 수납한 처리 영역 내에 성막용 제1 처리 가스와 제1 처리 가스와 반응하는 제2 처리 가스를 공급하고, CVD에 의해 피처리 기판 상에 박막을 형성한다. 이 성막 방법은 제1 내지 제4 공정을 교대로 구비한다. 제1 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제2 처리 가스의 공급을 행한다. 제2 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제2 처리 가스의 공급을 정지한다. 제3 공정에서는 처리 영역에 대한 제2 처리 가스의 공급을 행하는 한편, 처리 영역에 대한 제1 처리 가스의 공급을 정지한다. 제4 공정에서는 처리 영역에 대한 제1 및 제2 처리 가스의 공급을 정지한다.
반도체 처리용 성막 장치, 처리 가스, 매니폴드, 웨이퍼, 보트, 보온통, 회전축

Abstract translation: 用于半导体处理的膜形成方法被提供给第二处理气体以与膜形成所述第一处理气体和所述第一处理气体反应，到处理区容纳衬底和由CVD在目标基板上形成薄膜。 该成膜方法交替地包括第一至第四步骤。 在第一步骤中，第一和第二处理气体被供应到处理区域。 在第二步骤中，停止向处理区域供应第一和第二处理气体。 在第三步骤中，在停止向处理区域供应第一处理气体的同时执行向处理区域供应第二处理气体。 在第四步骤中，停止向处理区域供应第一和第二处理气体。

公开(公告)号：KR1020060002805A

公开(公告)日：2006-01-09

申请号：KR1020057016676

申请日：2004-04-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 하세베가즈히데 ,  오까다미쯔히로 ,  지바다까시 ,  오가와쥰

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116

Abstract: A method for removing a silicon oxide film is disclosed which enables to efficiently remove a silicon oxide film such as a natural oxide film or a chemical oxide film at a temperature considerably higher than room temperature. In the method for removing a silicon oxide film formed on the surface of an object (W) to be processed within an evacuatable process chamber (18), the silicon oxide film is removed by using a mixed gas of HF gas and NH3 gas. By using the mixed gas of HF gas and NH3 gas, the silicon oxide film formed on the surface of the object can be efficiently removed.

Abstract translation: 公开了一种去除氧化硅膜的方法，其能够在远高于室温的温度下有效地除去氧化硅膜，例如天然氧化物膜或化学氧化物膜。 在除去在可抽空处理室（18）内待处理物体（W）的表面上形成的氧化硅膜的方法中，通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体除去氧化硅膜。 通过使用HF气体和NH 3气体的混合气体，可以有效地除去形成在物体表面上的氧化硅膜。