公开(公告)号：KR101181023B1

公开(公告)日：2012-09-07

申请号：KR1020080079816

申请日：2008-08-14

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠도다츠오 ,  히모리신지 ,  이마이노리아키 ,  오세다케시 ,  아베준 ,  가츠누마다카유키

IPC: H05H1/24 ,  H05H1/30 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32165

Abstract: 본 발명의 과제는, 플라즈마 처리 장치에 있어서, 차징 대미지의 발생을 대폭 개선하고, 플라즈마 처리의 안정성 및 신뢰성의 향상을 실현하는 것이다.
본 발명의 플라즈마 처리 장치에 따르면, 진공배기 가능한 처리용기(10)내에 상부 전극(38)과 하부 전극(12)과가 대향해서 평행으로 배치되어, 하부 전극(12)에는 제 1 고주파 전원(32)보다 제 1정합기(34)을 거쳐서 제 1 고주파가 인가된다. 제어부(68)은, 플라즈마 생성에 기여하는 제 1 고주파가, 플라즈마를 생성시키는 제 1의 진폭을 가지는 제 1의 기간과, 플라즈마를 실질적으로 생성시키지 않는 제 2의 진폭을 가지는 제 2의 기간을 소정의 주기로 교대로 반복되도록, 제 1 고주파 전원(32)을 제어한다.

公开(公告)号：KR101124811B1

公开(公告)日：2012-03-23

申请号：KR1020090025100

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  히모리신지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

Abstract: 플라즈마 밀도 분포의 용이 또한 자유로운 제어를 가능하게 하고, 플라즈마 프로세스의 균일성이나 양품률을 향상시킨다. 이 플라즈마 처리 장치는 서셉터(12)를 서셉터 중심 전극(12A)과 서셉터 주변 전극(12B)으로 반경 방향에서 2분할하고, 고주파 방전 또는 플라즈마 생성을 위해 고주파 전원(16)으로부터 출력되는 고주파를 서셉터 주변 전극(12B)상에 하부 급전 도체(18)를 거쳐서 우선적으로 공급하는 동시에, 서셉터 중심 전극(12A)상에도 가변 용량 결합부(28)를 거쳐서 가변의 분배비로 해당 고주파를 공급하도록 구성하고 있다.

公开(公告)号：KR1020110076815A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：KR1020100136159

申请日：2010-12-28

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  하야시다이스케 ,  시미즈아키타카

IPC: H05H1/46 ,  H05H1/34

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32577 ,  H01J37/32605 ,  H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H05H1/34

Abstract: PURPOSE: An apparatus for processing plasma and an electrode used therefor are provided to control the distribution of high frequency electric field strength by forming a plasma generation space. CONSTITUTION: A subject is processed by plasma in a processing container(100). A counter electrode and a supplying electrode face each other inside the processing container. The counter electrode and the supplying electrode form a plasma generation space. A high frequency power(150) is connected to the supplying electrode and outputs the high frequency power into the supplying electrode. At least one of the counter electrode(105) and the supplying electrode(110) includes the base material formed with metal and the dielectric substance inserted in the base material.

Abstract translation: 目的：提供一种用于处理等离子体的设备和用于其的电极，用于通过形成等离子体产生空间来控制高频电场强度的分布。 构成：受试者在处理容器（100）中由等离子体处理。 对置电极和供电电极在处理容器内部彼此面对。 对电极和供电电极形成等离子体产生空间。 高频功率（150）连接到供电电极，并将高频电力输出到供电电极。 相对电极（105）和供电电极（110）中的至少一个包括形成有金属的基材和插入基材中的电介质。

公开(公告)号：KR1020090102680A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：KR1020090025100

申请日：2009-03-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 고시미즈치시오 ,  히모리신지

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32577

Abstract: PURPOSE: A plasma processing apparatus is provided to control the distribution of plasma density and to improve the uniformity or the yield of the plasma process. CONSTITUTION: The plasma processing apparatus is the process chamber(10), and the lower center electrode(12A), the lower peripheral electrode(12B), the upper electrode, the processing gas supply part(68), the first radio frequency electric power supply(16), and the first lower part power supply conductor(18). The lower center electrode mounts the processed substrate within the process chamber. The lower peripheral electrode is electrically insulated from the lower part center electrode. The lower peripheral electrode surrounds the circumference of the lower part center electrode. The processing gas supply part supplies the process gas to the process space of the gap of the lower part center electrode and lower part peripheral electrode and upper electrode. The first radio frequency electric power supply outputs the first radio frequency by the microwave discharging.

Abstract translation: 目的：提供等离子体处理装置来控制等离子体密度的分布并提高等离子体工艺的均匀性或产率。 构成：等离子体处理装置是处理室（10），下中央电极（12A），下周边电极（12B），上电极，处理气体供给部（68），第一射频电力 电源（16）和第一下部电源导体（18）。 下部中心电极将处理过的衬底安装在处理室内。 下部周边电极与下部中心电极电绝缘。 下周边电极围绕下部中心电极的周边。 处理气体供给部将处理气体供给到下部中心电极和下部周边电极和上部电极的间隙的处理空间。 第一射频电源通过微波放电输出第一射频。

公开(公告)号：KR100886272B1

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：KR1020060029690

申请日：2006-03-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 히모리신지 ,  마츠도다츠오

IPC: H01L21/3065

Abstract: 플라즈마 처리의 면내 균일성이 높고, 또한 차지업 손상이 발생하기 어려운 용량 결합 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것이다.
진공 분위기로 유지되는 챔버(1)와, 챔버(1) 내에 서로 평행하게 배치된 제 1 및 제 2 전극(2, 18)과, 제 1 및 제 2 전극(2, 18)의 사이에 고주파 전계를 형성하여 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성 기구(10)를 갖는 용량 결합형의 플라즈마 처리 장치(100)에 있어서, 제 2 전극(18)은, 그 적어도 제 1 전극(2)과의 대향 부분이, 도체로 이루어지고 플로팅 상태이거나 또는 접지되어 있는 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)으로 분할되어 있고, 제 1 분할편(18c1) 및 제 2 분할편(18c2)의 사이에 전압을 인가하는 가변 직류 전원을 더 갖는다.

公开(公告)号：KR1020080014671A

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：KR1020070080295

申请日：2007-08-09

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 마츠야마쇼이치로 ,  히모리신지 ,  마츠우라아츠시

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715

Abstract: A loading table and a plasma processing apparatus having the same are provided to improve the uniformity of electric field strength in a plasma and to enhance an in-plane uniformity of a plasma process to a substrate. A conductive member is connected to a high-frequency power source, and serves as an ion supply electrode. Dielectric layers(32,34) are formed to cover a center portion of an upper surface of the conductive member to make a high-frequency electric field, which is applied to plasma via a substrate, uniform. An electrostatic chuck(33) is laminated on the dielectric layer, and has an electrode film(35) satisfying specific conditions. The dielectric layer is formed in a columnar shape, and a thickness of a circumferential part of the dielectric layer is smaller than a thickness of a central part of the dielectric layer.

Abstract translation: 提供一种装载台和具有该装载台的等离子体处理装置，以提高等离子体中的电场强度的均匀性并提高等离子体处理对基板的面内均匀性。 导电部件与高频电源连接，作为离子供给电极。 形成电介质层（32,34）以覆盖导电构件的上表面的中心部分，以使得经由衬底施加到等离子体的高频电场是均匀的。 静电卡盘（33）层压在电介质层上，具有满足特定条件的电极膜（35）。 电介质层形成为柱状，并且电介质层的周向部分的厚度小于电介质层的中心部分的厚度。

公开(公告)号：KR100385532B1

公开(公告)日：2003-08-19

申请号：KR1019970016362

申请日：1997-04-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 토모야스마사유키 ,  히모리신지

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/3244

Abstract: In a plasma etching apparatus, an inactive gas and a reactive gas are supplied from a gas spouting surface of a shower head, and are turned into plasma by means of RF discharge, so that a semiconductor wafer placed on a susceptor is etched by the plasma. The inactive gas is continuously supplied from inactive gas spouting holes formed all over the gas spouting surface. The reactive gas is supplied from reactive gas spouting holes, which are formed all over the gas spouting surface and divided into a plurality of groups, by repeatedly scanning the groups in a time-sharing manner.

Abstract translation: 在等离子体蚀刻装置中，从喷头的气体喷出面供给惰性气体和反应气体，通过RF放电使其成为等离子体，载置在基座上的半导体晶片被等离子体蚀刻 。 惰性气体从形成在气体喷出面上的惰性气体喷出孔连续供给。 通过以分时方式反复扫描组从反应气体喷射孔供应反应气体，所述反应气体喷射孔形成在整个气体喷射表面上并被分成多个组。