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公开(公告)号：KR1020060085178A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020060004421
申请日：2006-01-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/67276 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/67754 , B05C9/02 , B05D3/02
Abstract: A coating and developing apparatus comprises a process block which forms a resist film on a wafer, then transfers the wafer to an exposure apparatus, and performs a developing process on the wafer after exposure, and an interface transfer mechanism provided between the process block and the exposure apparatus. The process block includes unit blocks for coating-film formation and unit blocks for development laid out in a stacked manner. When an abnormality occurs in the interface transfer mechanism, an ordinary process in the unit block for coating-film formation is performed on those substrates which are present in that unit block for coating-film formation, after which processed wafers are retreated to a retaining unit and transfer of any wafer into the unit block for coating-film formation is inhibited.
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公开(公告)号：KR100600924B1
公开(公告)日：2006-07-13
申请号：KR1020000076997
申请日：2000-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: 본 발명은 토출노즐로부터 기판상에 도포액을 공급하여 이 기판상에 막을 형성하는 막형성장치로서, 상기 토출노즐을 이동시키는 이동수단을 구비하여, 상기 이동수단, 상기 토출노즐을 지지하는 지지부재와, 상기 지지부재를 이동시키는 이동부재와, 상기 지지부재에 형성된 축받이부를 지나는 가이드축과 상기 축받이부와 상기 가이드축의 틈에, 기체를 공급하는 기체공급기구를 구비하고 있다.
토출노즐은 가이드축으로 따라 이동하면서 도포액을 토출한다. 기판상에서는, 토출노즐의 이동궤적에 따른 도포액의 도포가 행하여진다. 축받이부와 가이드축의 틈에, 기체공급기구로부터 기체가 공급되기 때문에, 가이드축으로 대하여 지지부재를 중공부상시킨 상태로 할 수 있다. 따라서, 축받이부와 가이드축에 기계적인 접촉이 없으므로, 접동저항이 거의 생기지 않는다. 그 결과, 토출노즐을 고속으로 이동시키더라도, 접동저항에 의한 진동을 억제할 수 있고, 토출노즐의 미동에 의해 도포액 토출이 흐트러지는 것은 없고, 소정의 도포액의 도포가 정확히 행하여진다.-
公开(公告)号：KR100493989B1
公开(公告)日：2005-09-12
申请号：KR1019970045939
申请日：1997-09-05
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/027
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
레지스트 처리시스템 및 레지스트 처리방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
장치의 점유 스페이스가 적고 높은 수율로 파티클발생량이 적은, 레지스트 처리시스템을 제공함
3. 발명의 해결방법의 요지
레지스트 처리시스템은 상하 다단으로 쌓아 올린 복수의 콤파트먼트(31∼36, 41∼46, 51∼56)를 각각이 가지는 복수의 처리유니트(30,40,50)와, 이 처리유니트의 하부에 위치하는 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 회전시키면서 처리액을 기판에 뿌리는 액처리장치(31,41,51)와, 상기 처리유니트의 상부에 위치하는 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 가열하는 가열처리장치(34,35,36,44,45,46,54,55,
56)와, 이 가열처리장치의 콤파트먼트와 상기 액처리장치의 콤파트먼트와의 사이에 위치하는 중간의 콤파트먼트 내에 설치되고, 기판 W를 냉각시키는 냉각처리장치(32,33,42,43,52,53)와, 상기 처리유니트마다에 각각 설치되고, 그 처리유니트에 속하는 각 콤파트먼트를 향해서 전진후퇴가 자유로우며, 또한 Z축방향으로 승강이 자유롭고, 또한, Z축둘레로 θ 회전이 자유로우며, 각 콤파트먼트에 대하여 기판 W를 출입시키기 위한 복수의 홀더(37a,37b,37c,47a,47b,47c,57a,57b,57c)를 가지는 주아암기구(37,47,57)를 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체웨이퍼와 같은 기판을 레지스트처리하기 위한, 레지스트 처리시스템에 사용됨.-
公开(公告)号：KR100489594B1
公开(公告)日：2005-08-05
申请号：KR1019970045568
申请日：1997-09-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/312
Abstract: 본 발명은 기설정된 제 1 위치에서 액체-공급 부재로부터 피처리체에 코팅액을 공급하여 피처리체상에 막을 형성하는 장치 및 방법을 제공한다. 제 1 위치에서 코팅액을 공급하기 전에 기설정된 제 2 위치에서 코팅액이 공급된다. 불순물-검출 장치는 제 2 위치에서 공급된 코팅액내에 함유된 불순물을 검출한다. 입자-카운팅 장치가 공급되며, 스위칭 장치가 코팅액의 소스로부터 액체-공급 부재로 연장되는 액체-공급 파이프상에 제공된다. 이 스위칭 장치는 액체-공급 부재와 불순물-검출 장치 사이에서 코팅액의 공급을 스위칭한다. 이와 같이 하여 코팅액내의 불순물이 모니터될 수 있다.
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公开(公告)号：KR100458647B1
公开(公告)日：2005-06-13
申请号：KR1019970043252
申请日：1997-08-29
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: F24F3/161 , H01L21/67017 , H01L21/67178
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 웨이퍼나 LCD기판과 같은 기판의 처리분위기를 제어하기 위한 공조기능을 구비한 기판 처리시스템에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
케미칼 필터를 이용하지 않고, 공기중에 포함되어 있는 미량의 알칼리성분을 효율적으로 제거할 수 있는 수명이 긴 기판 처리시스템을 제공하는 데 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
공조된 분위기하에서 기판을 처리하는 기판 처리시스템은, 기판(W)을 처리액으로 처리하는 액처리계 유니트(G1,G2,171,172,241∼244) 및 기판(W)을 가열하고 냉각하는 열처리계 유니트(G3,G4,245∼248) 중 적어도 어느 한쪽을 구비한 프로세스부(11,220)와, 이 프로세스부로 공기를 공급하기 위하여 프로세스부 보다 위쪽에 형성된 상부공간(62,262)과, 이 상부공간으로 공급되어야 할 공기로 부터 알칼리성분을 제거하여 공기를 정화하는 정화부(80,281,281A)와, 이 정화부 및 상기 상부공간의 각각으로 연이어 통하고, 상기 정화부를 통과한 공기의 온도 및 습도를 동시에 조정하는 온도습도 조정(140,301)부와,
이 온도습도 조정부로 부터 상기 상부공간으로 공기를 보내고, 상기 상부공간으로 부터 프로세스부 내로 공기를 하강시키며, 또 프로세스부 내를 하강하여 흐른 공기 중 적어도 일부를 상기 온도습도 조정부로 보내는 팬(151,152,263,307)을 구비하고 있다.
정화부(80,281,281A)는 시스템 외부로 연이어 통하는 챔버(81,282)와,
이 챔버 내에 시스템 외부로 부터 보충공기를 도입하는 공기보충수단(152)과, 이 챔버 내로 불순물 제거액을 분무하는 노즐(92,102,285)과,
이 분무된 순수한 물을 도입공기에 접촉시키기 위하여 챔버 내에 형성된 기액접촉부(90,100,298,299)와, 이 기액접촉부의 하류측에 배치되어, 기액접촉부를 통과한 기류중의 미스트형태의 순수한 물을 포착하는 미스트 트랩기구(91,94,101,104,291)를 구비하고 있다.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 웨이퍼나 LCD기판의 처리시스템으로서 이용한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100437290B1
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：KR1019980032057
申请日：1998-08-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: G03F7/16
CPC classification number: H01L21/67178 , Y10S414/14
Abstract: A coating and developing apparatus comprises a processing unit group having a plurality of processing units including a complex unit in which a first mounting stand mounting a substrate and a second mounting stand mounting and cooling the substrate are stacked. A plurality of processing units individually perform processes necessary for coating and developing the substrate. A plurality of processing units are multi-tiered. First, a substrate is carried from a substrate storing member which stores a plurality of substrates to the first mounting stand. Next, the substrate is carried out from the first mounting stand to be coated and developed. Thereafter, the coated and developed substrate is carried to the second mounting stand, from which the substrate is carried into the substrate storing member.
Abstract translation: 一种涂覆和显影设备包括处理单元组，所述处理单元组具有多个处理单元，所述多个处理单元包括其中安装基板的第一安装台和安装并冷却所述基板的第二安装台堆叠的复合单元。 多个处理单元分别执行涂敷和显影基板所需的处理。 多个处理单元是多层的。 首先，将基板从收纳有多个基板的基板收纳部件搬运至第一安装台。 接下来，从第一安装台上搬出基板进行涂敷，显影。 之后，涂覆和显影的基板被运送到第二安装台，基板从该第二安装台被运送到基板存储构件中。
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公开(公告)号：KR1020010067387A
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1020000077532
申请日：2000-12-16
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715 , B05B15/55 , B05C11/08 , G03F7/16 , G03F7/162 , H01L21/67051
Abstract: PURPOSE: A film forming device is provided to effectively clean a discharge port, even if the discharge port of a nozzle for discharging a coating liquid is fine and to form an uniform coating layer on a substrate by maintaining discharging pressure constantly. CONSTITUTION: A supply port for a cleaning liquid is provided open in a discharge path, communicating to a discharge port of a discharge nozzle. A supply path, communicating to the supply port, is provided in a body of the discharge nozzle. In addition, the supply path is formed inclined downwardly and cleans the discharge port, while making the supply rate of the cleaning liquid maintained.
Abstract translation: 目的：即使用于排出涂布液的喷嘴的排出口是细小的并且通过不断地保持排出压力在基板上形成均匀的涂层而设置成膜装置以有效地清洁排出口。 构成：用于清洗液的供给口在排出路径上开放，与排出喷嘴的排出口连通。 在排出喷嘴的主体中设置有与供给口连通的供给路径。 此外，供给路径形成为向下方倾斜并清洗排出口，同时保持清洗液的供给速度。
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公开(公告)号：KR1020010067381A
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1020000076972
申请日：2000-12-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/6715
Abstract: PURPOSE: A Film forming apparatus is provided to completely remove fine fouling adherent to the discharge opening of a coating liquid discharging nozzle even when the opening is minute. CONSTITUTION: A cleaning block is installed freely vertically movably in the moving range of the nozzle(85). A cleaning space is formed on the upper surface of the block. An opened ejection port for the coating liquid is formed in the inside surface of the space, and an opened suction port for sucking air around the discharge opening(94) of the nozzle(85) is formed in the bottom surface of the space. A projection part which comes into contact with the nozzle plate(95) of the nozzle(85) during cleaning is formed on the upper surface of the block. In cleaning, the lower surface of the nozzle(85) is brought into contact with the upper surface of the block.
Abstract translation: 目的：提供一种成膜装置，即使当开口很小时也能完全除去附着在涂液排出嘴的排出口上的细污垢。 构成：清洁块在喷嘴（85）的移动范围内可自由上下移动地安装。 在块的上表面上形成清洁空间。 在空间的内表面上形成用于涂布液体的打开的喷射口，并且在空间的底面形成有用于在喷嘴（85）的排出口（94）周围吸引空气的打开的吸入口。 在清洁过程中与喷嘴（85）的喷嘴板（95）接触的突起部分形成在块体的上表面上。 在清洁中，喷嘴（85）的下表面与块的上表面接触。
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公开(公告)号：KR1020010014866A
公开(公告)日：2001-02-26
申请号：KR1020000023940
申请日：2000-05-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 아키모토마사미
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67178 , G03F7/162 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67184 , H01L21/67225
Abstract: PURPOSE: To enhance the uniformity of a treatment of substrates and to raise the yield of the manufacture of the substrates by controlling the temperature of the substrates with high accuracy, in a coating and developing device of a structure wherein a resist, for example, is applied on the surfaces of the substrates and the substrates subsequent to an exposure of the surfaces of the substrates are subjected to a developing treatment. CONSTITUTION: A substrate treater is constituted into such a structure that a coating station S2 for coating a resist on the surfaces of wafers W and a developing station S3 for performing an application of a developing solution are connected with a cassette station S1 for carrying a wafer cassette 22. In the station S3, the wafers W are heated in a heating part, then the wafers W are cooled to a temperature lower than a first temperature in a first cooling part. Subsequently, the wafers W are cooled to a second temperature lower than the first temperature in a second cooling part, and after that, the application of the developing liquid is performed in a developing unit.
Abstract translation: 目的：为了提高基板的处理的均匀性，通过高精度地控制基板的温度，提高基板的制造成品率，例如在抗蚀剂的涂布和显影装置中，例如， 施加在基板的表面上并且在基板的表面暴露之后的基板被进行显影处理。 构成：将基板处理器构成为将用于在晶片W的表面上涂覆抗蚀剂的涂布台S2和用于进行显影液的涂布的显影台S3连接到用于承载晶片的盒式电台S1 在台S3中，晶片W在加热部分被加热，然后将晶片W冷却到低于第一冷却部分的第一温度的温度。 随后，在第二冷却部分中将晶片W冷却至低于第一温度的第二温度，之后在显影单元中进行显影液的施加。
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公开(公告)号：KR1020000071551A
公开(公告)日：2000-11-25
申请号：KR1020000017502
申请日：2000-04-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03D5/00
Abstract: 본발명은막 형성방법및 막형성장치에관한것으로, 웨이퍼를회전시키면서웨이퍼에대하여레지스트액을토출하는레지스트액토출노즐을웨이퍼의지름방향을따라등속이동시키고, 이동하는동안에레지스트액토출노즐로부터토출되는레지스트액의양을점차로감속시키면, 웨이퍼에토출된레지스트액은나선상의궤적을그리면서웨이퍼표면에도포되고, 또한웨이퍼주변부와중앙부에대한단위면적당레지스트액의도포량을등량으로하는것이가능하기때문에, 기판상에공급되는처리액의낭비를없애고, 균일한처리액의막을기판상에형성시킬수 있는기술이제시된다.
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