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公开(公告)号：KR100776057B1
公开(公告)日：2007-11-15
申请号：KR1020060105843
申请日：2006-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.
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公开(公告)号：KR100749375B1
公开(公告)日：2007-08-14
申请号：KR1020077003974
申请日：2004-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명의 목적은 서셉터의 주연부에 국소적 전계를 발생시키지 않는 플라즈마 화학적 증착 방법과 이 방법을 실시하기 위한 장치를 제공하는 것이다. 성막 개시전에, 진공 배기된 챔버내로 가스를 도입하여 서셉터상에 설치된 기판 지지대 상에 기판을 지지하여 상승된 위치에 위치시킨다. 기판을 예열하기 전에, 가스 도입을 정지하고 챔버를 진공 배기시킨다. 서셉터상의 기판을 위치설정하도록 기판 지지 핀을 끌어내린다. 그 다음, 이 상태에서, 가스를 챔버내로 도입하고 기판을 더욱 예열한다. 그 후, 플라즈마가 챔버내에서 생성하고 성막 가스를 성막을 수행하기 위해 도입한다.
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公开(公告)号：KR100735938B1
公开(公告)日：2007-07-06
申请号：KR1020067007190
申请日：2005-04-08
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0281 , C23C16/34 , H01J37/321 , H01L21/02063 , H01L21/28556 , H01L21/32051 , H01L21/76814 , H01L21/76856 , Y10S438/905 , Y10S438/906 , Y10S438/974
Abstract: 기저의 니켈 실리사이드 막 표면을 청정화한 후, Ti 화합물 가스를 이용하여 CVD에 의해 막 두께 2nm 이상 10nm 미만의 Ti막을 성막하고, 이 Ti막을 질화하며, 또한 질화 후의 Ti막 상에 Ti 화합물 가스 및 N과 H를 포함하는 가스를 이용하여 CVD에 의해 TiN막을 성막한다.
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公开(公告)号：KR1020070046749A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020060105843
申请日：2006-10-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/4557 , C23C16/45572 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 본 발명의 과제는 CVD 장치 등에 이용되고, 니켈 부재를 조립하여 구성되는 가스 샤워헤드(가스 공급 장치)에 있어서, 고온에 의한 니켈 부재끼리의 부착을 방지하는 것이다. 다수의 가스 공급 구멍이 형성된 니켈 부재로 이루어지는 샤워 플레이트와, 이 샤워 플레이트와의 사이에 처리 가스의 통류 공간이 형성되는 동시에 처리 용기의 천정부의 개구부의 주연부에 기밀하게 장착되는 니켈 부재로 이루어지는 베이스 부재를, 서로 주연부에서 나사로 접합하는 데 있어서, 서로의 접합면 사이에 니켈 부재와는 다른 재질, 예를 들어 하스텔로이나 카본 등의 중간 부재를 개재시킨다.
Abstract translation: 本发明的一个目的是被用于CVD装置，气体喷头（气体供给单元）通过组装镍构件和防止由于高温镍部件之间的粘合配置。 多个由镍部件的喷淋板的形成有气体供给孔，则在所形成的工艺气体的通流面积，包括镍构件被气密地安装于处理容器底部构件的所述开口的顶部的周缘部的同时喷淋板之间设置 一个，根据在彼此的周缘部的螺纹接头中，每个镍构件和中间构件的表面之间的接合被插入，例如不同的材料，如Hastelloy或碳。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060017834A
公开(公告)日：2006-02-27
申请号：KR1020057023043
申请日：2004-07-01
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/5096 , H01L21/28556 , H01L21/76841
Abstract: An object of the invention is to provide a plasma chemistry vapor deposition method which hardly produces local electric discharge in the peripheral edge of a susceptor; and a device for embodying the method. Before the start of film formation, gas is introduced into an evacuated chamber and substrate is supported on a substrate support pin installed on the susceptor and located in an elevated position. The substrate is preheated, followed by the stoppage of introduction of gas and the evacuation of the chamber. The substrate support pin is lowered to place the substrate on the susceptor. Then, in this state, gas is introduced into the chamber and the substrate is further preheated. Thereafter, plasma is produced in the chamber and film forming gas is introduced therein to perform film forming.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种在基座的周缘几乎不产生局部放电的等离子体化学气相沉积方法; 以及用于体现该方法的装置。 在成膜开始之前，将气体引入真空室中，并且将基板支撑在安装在基座上并位于升高位置的基板支撑销上。 将衬底预热，然后停止引入气体并将腔排空。 衬底支撑销被降低以将衬底放置在基座上。 然后，在这种状态下，将气体引入到室中，并且进一步预热基板。 此后，在室中产生等离子体，并将成膜气体引入其中以进行成膜。
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公开(公告)号：KR1020040108778A
公开(公告)日：2004-12-24
申请号：KR1020047017827
申请日：2003-12-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/455 , C23C16/08 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01L21/28562
Abstract: 플라즈마 CVD를 이용하여 피처리 기판(W) 상에 소정 박막을 형성하는 성막 방법은 제 1 및 제 2 단계를 교대로 1회 이상씩 실시한다. 제 1 단계에서는 기판(W)을 수납하는 처리 챔버(51) 내에 박막의 성분을 포함하는 화합물 가스와 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 1 플라즈마를 생성한다. 제 2 단계에서는 제 1 단계에 이어서, 처리 챔버(51) 내에 상기 환원 가스를 공급하면서, 처리 챔버(51) 내에 제 2 플라즈마를 생성한다.
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公开(公告)号：KR100354797B1
公开(公告)日：2002-10-18
申请号：KR1019970049951
申请日：1997-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: C23C16/34
Abstract: 본 발명은 부산물에 의한 피처리체(substrate)의 오염을 억제할 수 있고, 티탄막의 콘택트저항(contact resistance)을 작게 할 수 있는, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 피처리체(2)의 표면에 티탄막을 형성하는 공정; 질소가스와 수소가스의 혼합가스의 분위기에서 플라즈마처리함으로써, 상기 티탄막의 표면층을 질화층으로 만드는 공정; 및 표면층이 질화층으로 된 티탄막 위에 배리어(barrier) 금속막(예: 티탄니트라이드막)을 형성하는 공정에 의해, 피처리체에 티탄막 및 티탄니트라이드막을 적층하여 형성한다.-
58.发明公开티탄실리콘나이트라이드막의 성막방법,티탄실리콘나이트라이드막으로 이루어진 확산방지막,반도체장치 및 그 제조방법, 및티탄실리콘나이트라이드막의 성막장치 无效形成包含TiSiN膜半导体器件的TiSiN膜扩散防护膜的方法及其制备TiSiN膜的方法和装置
公开(公告)号：KR1020020063206A
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：KR1020027007343
申请日：1999-12-09
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45514 , C23C16/34 , C23C16/45561 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , H01L21/28088 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76864 , H01L21/76871 , H01L23/485 , H01L27/10852 , H01L28/55 , H01L28/57 , H01L28/65 , H01L28/75 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: TiSiN막은 Cu의확산을방지하기위해반도체장치에있어서배리어금속층으로서이용된다. TiSiN막은플라즈마 CVD 또는열CVD에의해성막된다. TiCl가스, 수소화규소가스및 NH가스는열CVD에의해 TiSiN막을성막하는경우에성막가스로서이용된다. TiCl가스, 수소화규소가스, H가스및 N가스는플라즈마 CVD에의해 TiSiN막을성막하는경우에성막가스로서이용된다.
Abstract translation: 使用TiSiN膜作为半导体器件的阻挡金属层，以防止Cu的扩散。 TiSiN膜通过等离子体CVD法或热CVD法形成。 使用TiCl 4气体，氢化硅气体和NH 3气体作为用于通过热CVD法形成TiSiN膜的源气体。 使用TiCl 4气体，氢化硅气体，H 2气体和N 2气体作为用于通过等离子体形成TiSiN膜的源气体 CVD工艺。
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公开(公告)号：KR1019980087036A
公开(公告)日：1998-12-05
申请号：KR1019980017329
申请日：1998-05-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명에 따른 성막 장치의 클리닝 방법은, 대상물에 소정의 성막 처리를 실시하기 위한 챔버 내에 부착된 티탄염화물을 제거하기 위한 클리닝 방법에 있어서, 챔버 내의 적어도 클리닝 대상 부위를 130℃ 이상으로 가열하고, 클리닝 대상 부위가 130℃ 이상으로 설정된 상태에서 챔버 내에 클리닝 가스로서 불소화합물 가스를 도입함으로써, 적어도 클리닝 대상 부위에 부착된 티탄염화물을 티탄불화물로 변환시키며, 티탄불화물을 챔버 내로부터 배기하는 것을 특징으로 한다.
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