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公开(公告)号：KR101869277B1
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：KR1020110119903
申请日：2011-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01J1/44 , G01J1/0228 , G01J1/18 , G01S7/4914 , G01S17/89 , H04N5/3696
Abstract: 화소회로는수광부, 신호생성부및 리프레시트랜지스터를포함한다. 수광부는입사광에응답하여전하를생성한다. 신호생성부는전달제어신호, 리셋제어신호및 선택제어신호에기초하여탐지구간동안수광부에서생성된전하를부유확산노드에축적하고출력구간동안부유확산노드의전위에상응하는크기의아날로그신호를출력한다. 리프레시트랜지스터는전원전압및 수광부사이에연결되고, 리프레시제어신호에기초하여수광부에서생성된전하를전원전압으로배출한다. 화소회로는외부광이상대적으로강한경우에도피사체로부터반사되어돌아오는반사광에의해생성되는전하량에상응하는크기의아날로그신호를제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101818587B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020110004750
申请日：2011-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 광감지장치의단위픽셀은, 반도체기판에형성되는플로팅확산영역, 상기플로팅확산영역을둘러싸도록상기반도체기판위에형성되는환형의콜렉트게이트, 상기콜렉트게이트를둘러싸도록상기반도체기판위에형성되는환형의드레인게이트, 및상기드레인게이트를둘러싸도록상기반도체기판에형성되는드레인영역을포함한다. 이러한환형구조를통하여광감도를향상시키고신호-대-노이즈비(SNR)를향상시킬수 있다.
Abstract translation: 光感测装置的单位像素包括形成在半导体衬底中的浮动扩散区域，形成在半导体衬底上以围绕浮动扩散区域的环形集电栅极，形成在半导体衬底上以围绕集电极栅极的环形漏极， 以及形成在半导体衬底中以围绕漏极栅极的漏极区域。 这种环形结构改善了光敏性并改善了信噪比（SNR）。
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公开(公告)号：KR101727270B1
公开(公告)日：2017-04-17
申请号：KR1020100083681
申请日：2010-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: 본발명은이미지센서를제공한다. 상기이미지센서는반도체기판내에수직적으로중첩되어제공된복수개의광전변환부들, 및상기반도체기판내로연장된트랜스퍼게이트를포함함으로써, 많은신호전하가생성되고센싱마진이향상된다. 상기이미지센서의트랜스퍼트랜지스터는표면채널, 사이드채널및 매몰채널을갖기때문에, 신호전하의전달속도가빨라지고이미지래그가거의없어질수 있다.
Abstract translation: 本发明提供了一种图像传感器。 图像传感器包括垂直堆叠在半导体衬底中的多个光电转换部分以及延伸到半导体衬底中的传输门，从而产生大量信号电荷并且提高感测裕度。 由于图像传感器的传输晶体管具有表面沟道，侧沟道和掩埋沟道，因此可以增加信号电荷的传输速度并且可以基本上消除图像滞后。
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公开(公告)号：KR101652933B1
公开(公告)日：2016-09-02
申请号：KR1020100014183
申请日：2010-02-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/10 , G01B11/22 , G01C3/00 , G06F15/00 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14607 , G01B11/22 , G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/48 , H01L27/144 , H01L27/14641 , H01L31/02327 , H01L31/112
Abstract: 본발명의실시예에따른센서는, 반도체기판위에형성되고, 각각이하나의센싱유닛을의미하고제2포토게이트에인접한제1포토게이트를포함하는복수의포토게이트쌍들, 상기반도체기판내에형성되고, 서로다른포토게이트쌍들의제1포토게이트들에의해공유되는제1공유플로팅디퓨전영역, 상기반도체기판내에형성되고상기제1공유플로팅디퓨전영역으로부터전기적으로분리되고, 상기서로다른포토게이트쌍들의제2포토게이트들에의해공유되는제2공유플로팅디퓨전영역, 및상기반도체기판위에형성된복수의제1전송트랜지스터들을포함하고, 상기복수의제1전송트랜지스터들각각은제1전송제어신호에응답하여상기복수의포트게이트쌍들각각의상기제1포토게이트아래에위치하는상기반도체기판내에생성된전하들을상기제1공유플로팅디퓨전영역으로전송한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101548675B1
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：KR1020090073908
申请日：2009-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , G11C16/00
CPC classification number: G11C13/003 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2445 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/146
Abstract: 본발명은가변저항메모리에관한것이다. 본발명의가변저항메모리어레이는적어도하나의가변저항메모리셀들을포함한다. 각각의가변저항메모리셀은제 1 타입의웰, 그리고웰 상의셀 구조물을포함한다. 셀구조물은셀 구조물은제 1 타입과상이한제 2 타입의구조물, 그리고구조물상의가변저항막을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150081812A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020140001674
申请日：2014-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 네자드말라예리호세인아미르 , 박윤동
IPC: H04B10/532 , H04B10/2569
CPC classification number: H04J14/06 , H04B10/532 , H04B10/801
Abstract: 상보적광 상호접속장치는송신기, 광도파관및 수신기를포함한다. 상기송신기는제1 편광방향으로직선편광된제1 전송광및 상기제1 편광방향과직교하는제2 편광방향으로직선편광되고상기제1 전송광의데이터패턴과상보적인데이터패턴을갖는제2 전송광을발생한다. 상기광도파관은상기제1 전송광및 상기제2 전송광을동시에전달한다. 상기수신기는상기광도파관으로부터상기제1 송신광에상응하는제1 수신광및 상기제2 송신광에상응하는제2 수신광을수신한다. 상기제1 전송광의파워와상기제2 전송광의파워의합은상기데이터패턴과관계없이일정하다.
Abstract translation: 互补光互连装置技术领域本发明涉及一种互补光互连装置，包括发射器，光波导和接收器。 发射机产生沿第一偏振方向线性偏振的第一透射光，以及与第一偏振方向交叉的第二偏振方向线偏振的第二透射光，并具有与第一透射光的数据图形互补的数据图案。 光波导同时传输第一透射光和第二透射光。 接收机接收与来自光波导的对应于第一发送光的第一接收光和对应于第二发送光的第二接收光。 第一透射光的功率和第二透射光的功率的总和是数据模式的规则。
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公开(公告)号：KR101493874B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020080112221
申请日：2008-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L23/62
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1226 , H01L45/146 , H01L45/1666
Abstract: 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 소자는, 수평 방향으로는 길이로 연장되고 수직 방향으로는 복수의 층들로 적층되어 있고 서로 평행하게 배치된 복수의 수평 전극들; 상기 수평 전극들과 교차되도록 배치되고 수직 방향으로는 길이로 연장되고 서로 평행하게 배치된 복수의 수직 전극들; 상기 수평 전극들 및 수직 전극들 사이에 형성되고 저항 변화를 저장할 수 있는 복수의 데이터 저장층들; 및 상기 수평 전극들 및 상기 수직 전극들의 교차 영역에 개재된 복수의 반응 방지층들을 포함한다.
비휘발성 메모리, 저항 변화, 반응 방지층, 실리사이드 반응-
公开(公告)号：KR101468026B1
公开(公告)日：2014-12-02
申请号：KR1020070046662
申请日：2007-05-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/10
CPC classification number: H01L29/7883 , G11C16/10
Abstract: 다수의메모리블록들에대하여데이터의하나의비트를기입한다음에다른하나의비트를기입하는메모리셀 프로그래밍방법및 반도체장치가개시된다. 본발명에따른메모리프로그래밍방법은, 다수의메모리블록들각각에, M(M은자연수)비트데이터를기입하는메모리프로그래밍방법으로써, 데이터구분단계및 데이터기입단계를구비한다. 데이터구분단계는, 상기다수의메모리블록들을복수개의메모리블록그룹으로구분한다. 데이터기입단계는, 상기복수개의메모리블록그룹들중에서 2개이상의메모리블록그룹에대하여상기데이터의 i(i는 M미만의자연수)번째비트를동시에기입한다음에, 상기 2개이상의메모리블록그룹에대하여상기데이터의 i+1번째비트를동시에기입한다.
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60.发明公开동시에 리드 및 라이트 가능한 광학 인터페이스를 포함한 메모리 모듈, PCB 및 상기 메모리 모듈과 상기 PCB를 포함하는 데이터 처리 시스템 审中-实审存储器模块和PCB每个包括光接口实现并发读写操作，以及具有存储模块和PCB的数据处理系统
公开(公告)号：KR1020140113215A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130028320
申请日：2013-03-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: The present invention provides a memory module including an optical interface capable of simultaneous reading and writing, a PCB, and a data processing system including the memory module and the PCB. The memory module according to embodiments of the present invention includes an optical waveguide capable of transmitting and receiving read data and written data at the same time, a light source which converts the read data into an optical signal depending on a preset polarity, a polarization beam splitter (PBS) which separates a transmission path for the read data from a transmission path for the written data depending on the polarity, an optical detection unit which converts the received written data into an electrical signal, and a plurality of memory devices which store the written data and read the read data.
Abstract translation: 本发明提供了一种存储模块，其包括能够同时读取和写入的光学接口，PCB以及包括存储器模块和PCB的数据处理系统。 根据本发明的实施例的存储器模块包括能够同时发送和接收读取数据和写入数据的光波导，根据预设极性将读取的数据转换为光信号的光源，偏振光束 分离器（PBS），其根据极性将用于读取数据的传输路径与用于写入数据的传输路径分离;光学检测单元，其将接收的写入数据转换为电信号;以及多个存储器件 写入数据并读取读取的数据。
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