公开(公告)号：KR1020040051365A

公开(公告)日：2004-06-18

申请号：KR1020020079286

申请日：2002-12-12

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 권종기 ,  조규형 ,  박문양 ,  김종대

IPC: H03G3/30

CPC classification number: H03G1/0023 ,  H03F3/4508

Abstract: PURPOSE: A variable gain amplifier is provided to supply a variable amplification function for the input signal has a wide range by the external control signal at a low supply power. CONSTITUTION: A variable gain amplifier includes an input signal application and variable gain control circuit(110) and a current/voltage converting circuit. The input signal application and variable gain control circuit(110) receives a first and a second input signal from the differential input terminal. The input signal application and variable gain control circuit(110) amplifies the first and the second differential signals by amplifying the difference between the first and the second input signals. The input signal application and variable gain control circuit(110) outputs the differential signal of the variable voltage gain in response to the gain voltage control voltage signal. The current/voltage converting circuit receives the first and the second differential signals outputted from the input signal application and variable gain control circuit(110) and outputs the signals by converting the first and the second differential signal into the first and the second output voltages in response to the first and the second bias voltages.

Abstract translation: 目的：提供可变增益放大器，为输入信号提供可变放大功能，通过外部控制信号以较低的电源供电，具有较宽的范围。 构成：可变增益放大器包括输入信号应用和可变增益控制电路（110）和电流/电压转换电路。 输入信号应用和可变增益控制电路（110）从差分输入端接收第一和第二输入信号。 输入信号应用和可变增益控制电路（110）通过放大第一和第二输入信号之间的差来放大第一和第二差分信号。 输入信号应用和可变增益控制电路（110）响应于增益电压控制电压信号输出可变电压增益的差分信号。 电流/电压转换电路接收从输入信号应用和可变增益控制电路（110）输出的第一和第二差分信号，并将第一和第二差分信号转换成第一和第二输出电压 响应于第一和第二偏置电压。

公开(公告)号：KR100421417B1

公开(公告)日：2004-03-09

申请号：KR1020010065150

申请日：2001-10-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  브이케이 주식회사

Inventor： 유현규 ,  이상국 ,  박문양 ,  김성도 ,  윤용식 ,  한선호 ,  김남수 ,  오영훈

IPC: H03F1/42

Abstract: PURPOSE: A broadband high gain amplification circuit is provided to maintain a high gain and a bandwidth even though an input frequency is increased. CONSTITUTION: An amplification part(100) amplifies an input signal. An impedance control part(200) constitutes a current mirror by receiving a constant voltage(Vb1), and improves a gain of the amplification part by increasing an output impedance of the amplification part at a half power frequency where the gain of the amplification becomes a half of its peak value. The impedance control part includes an inductor(210) connected to a power supply, and a PMOS(220) having a gate connected to the constant voltage and being connected to the inductor, and a resistor(230) connected between one side of the PMOS and another side of the inductor and connected to another side of the PMOS.

Abstract translation: 目的：提供宽带高增益放大电路以保持高增益和带宽，即使输入频率增加。 构成：放大部分（100）放大输入信号。 通过接收恒定电压（Vb1），阻抗控制部（200）构成电流反射镜，并且通过在放大部的增益变为α的半功率频率处增大放大部的输出阻抗来提高放大部的增益 其峰值的一半。 阻抗控制部分包括连接到电源的电感器（210）和具有连接到恒定电压的栅极并连接到电感器的PMOS（220），以及连接在PMOS的一侧之间的电阻器（230） 并且电感器的另一侧连接到PMOS的另一侧。

公开(公告)号：KR100413182B1

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：KR1020010075186

申请日：2001-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  이상국 ,  한선호 ,  윤용식 ,  박문양 ,  김성도 ,  김남수

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03G1/007 ,  H03F3/45179 ,  H03F2203/45492 ,  H03G1/0023

Abstract: An automatically gain controllable linear differential amplifier using a variable degeneration resistor is disclosed. The linear differential amplifier includes an input end, a bias current source, a load unit, a first MOS transistor and a second MOS transistor. The linear differential amplifiers of the present invention can control an amplifying gain according to an input signal and improve linearity IIP3 without needing additional power consumption caused by improving the linearity The automatically gain controllable linear differential amplifier uses NMOS/PMOS transistor so an integration process of the amplifier can be implemented more conveniently and efficiently.

Abstract translation: 公开了一种使用可变负反馈电阻的自动增益可控的线性差分放大器。 线性差分放大器包括输入端，偏置电流源，负载单元，第一MOS晶体管和第二MOS晶体管。 本发明的线性差分放大器可以根据输入信号控制放大增益并且改善线性度IIP3，而不需要由增加线性度引起的额外功耗。自动增益可控的线性差分放大器使用NMOS / PMOS晶体管， 放大器可以更加方便和高效地实现。

公开(公告)号：KR1020030044444A

公开(公告)日：2003-06-09

申请号：KR1020010075186

申请日：2001-11-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  이상국 ,  한선호 ,  윤용식 ,  박문양 ,  김성도 ,  김남수

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03G1/007 ,  H03F3/45179 ,  H03F2203/45492 ,  H03G1/0023

Abstract: PURPOSE: A differential linear amplifier is provided to improve the linearity(IIP3) viewed from the input side by controlling the gain of the amplification in response to the input signal applied to the differential amplifier as well as improve the IIP3 by utilizing a poly silicon without using the polysilicon as a resistor, thereby obtaining an excellent characteristics. CONSTITUTION: A differential linear amplifier includes an input block for receiving a positive input signal and a negative input signal, a bias current source provided on one side of the input block for supplying a bias current, a pair of load blocks(110,120) provided on the other side of the input block for supplying the different level between the output signals between the positive output terminal and the negative output terminal corresponding to the positive input signal and the negative input signal, a first MOD transistor(210) connected between the bias current source and the input block for utilizing the positive input signal as a gate input and the gain control signal as a substrate bias voltage and a second MOS transistor(220) connected between the bias current source and the input block for utilizing the negative input signal as a gate input and the gain control signal as a substrate bias voltage.

Abstract translation: 目的：提供差分线性放大器，以通过控制放大器的输入信号来响应于差分放大器的输入信号来控制从输入侧观察的线性度（IIP3），并通过利用多晶硅来改善IIP3，而不需要 使用多晶硅作为电阻器，从而获得优异的特性。 构成：差分线性放大器包括用于接收正输入信号和负输入信号的输入块，设置在用于提供偏置电流的输入块的一侧上的偏置电流源，设置在该输入块上的一对加载块（110,120） 用于在与正输入信号和负输入信号相对应的正输出端和负输出端之间的输出信号之间提供不同电平的输入块的另一侧;连接在偏置电流之间的第一MOD晶体管（210） 源极和用于利用正输入信号作为栅极输入和增益控制信号作为衬底偏置电压的输入块和连接在偏置电流源和输入块之间的第二MOS晶体管（220），以将负输入信号用作 栅极输入和增益控制信号作为衬底偏置电压。

公开(公告)号：KR1020030013191A

公开(公告)日：2003-02-14

申请号：KR1020010047547

申请日：2001-08-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 유현규 ,  김천수 ,  장재홍 ,  김충기 ,  김성도 ,  박문양 ,  한선호 ,  박정우 ,  박필재 ,  황남

IPC: H01F27/25

Abstract: PURPOSE: An integrated inductor is provided to reduce a substrate loss according to a magnetic field which directs to a substrate and restrain a generation of a counter electromotive force due to an interference between adjacent metal lines. CONSTITUTION: A metal line includes the first spiral line(21) and the second spiral line(22). The second spiral line(22) is connected to the first spiral line(21) through a contact point(21a). The first spiral line(21) and the second spiral line(22) are arranged in various shapes such as a square, a circle, and a hexagon. The metal line uses a metal film which is laminated by a single layer or a multiple layer. A protective film(32) is formed on the metal line. The first interlayer dielectric(31) is formed on a silicon substrate(30). A metal film is deposited on the first interlayer dielectric(31), and is selectively etched to form the metal line having the first and second spiral lines(21,22).

Abstract translation: 目的：提供集成电感器，以根据指向衬底的磁场减少衬底损耗，并抑制由于相邻金属线之间的干扰而产生反电动势。 构成：金属线包括第一螺旋线（21）和第二螺旋线（22）。 第二螺旋线（22）通过接触点（21a）连接到第一螺旋线（21）。 第一螺旋线（21）和第二螺旋线（22）被布置成各种形状，例如正方形，圆形和六边形。 金属线使用通过单层或多层层压的金属膜。 在金属线上形成保护膜（32）。 第一层间电介质（31）形成在硅衬底（30）上。 金属膜沉积在第一层间电介质（31）上，并被选择性地蚀刻以形成具有第一和第二螺旋线（21,22）的金属线。

公开(公告)号：KR100216537B1

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019960066257

申请日：1996-12-16

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종대 ,  박문양 ,  구진근 ,  남기수

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 높은 항복전압을 갖는 고전압 전력소자에서 문제점으로 지적되는 낮은 집적도와 스탭 커버리지를 향상시킬 수 있는 전력집적회로를 제공하기 위해 고전압 전력집적 회로영역은 두거운 필두산화막이, 저전압 영역인 제어회로 집적영역은 얇은 필드산화막이 형성되는 이중 LOCOS 격리기술을 적용하여 제조되었다.
따라서 본 발명에 따른 절력집적회로는 스마트(smart)고전압 전력 집적회로에 이용하면 집적도 및 스탭 커버리지의 문제점을 동시에 해결할 수 있다.

公开(公告)号：KR100212466B1

公开(公告)日：1999-08-02

申请号：KR1019960063150

申请日：1996-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김종대 ,  남기수 ,  박문양 ,  구진근

IPC: H01L27/02

Abstract: 안티퓨즈 소자가 FPGA (Field Programmable Gate Array)에 응용되기 위해서는 프로그래밍 되기 전에는 높은 저항값, 프로그래밍 된 후에는 낮은 저항값을 유지해야 되며, 또한 가능한 한 짧은 프로그래밍 시간 및 적절한 프로그래밍 전압을 가져야 한다. 본 발명에서는 상기의 제반 조건들을 만족시키기 위한 새로운 안티퓨즈의 제조방법을 제안하는데 그 방법으로는 금속 필라멘트가 형성될 활성층으로 종래의 비정질 실리콘-게르마늄을 사용함으로써, 안티퓨즈 소자의 프로그래밍 에너지를 저하시킬 수 있다. 이것은 비정질 실리콘보다 비정질 실리콘-게르마늄의 열적 버질 (thermal budget : recrystallization and melting)이 낮기 때문이다. 또한, 본 발명에서는 안티퓨즈 소자의 얇은 산화막을 비정질 실리콘-케르마늄 위에 형성함으로써, 안티퓨즈의 누설전류를 향상시킬 수 있으며 보론나이트라이트(boron-nitride)층을 형성하여 절연막에 전도경로(conductive path)를 만들어서 불순물이 쉽게 비정질 실리콘-게르마늄에 확산되어 프로그래밍 후의 소자의 저항값을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990038946A

公开(公告)日：1999-06-05

申请号：KR1019970058838

申请日：1997-11-07

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 구진근 ,  남기수 ,  강진영 ,  박문양

IPC: H01L27/08

Abstract: 본 발명은 소오스(source)-게이트(gate)-표류영역(drift region)-드레인(drain)이 수평으로 배치된, 소위 LDMOS(lateral double diffused MOS) 구조를 갖는 100V급 이상의 전계효과(field effect) 고압소자(high voltage device)의 구조에 관한것으로, 고압 소자에 고압 인가시 표류영역과 접하는 드레인 가장자리에서 발생하는 항복전압을 높이기 위하여, 드레인이 기판의 수직방향으로 확장되어 형성되도록, 표류영역의 드레인 형성영역에 트렌치를 형성하고, 이 트렌치의 내부벽면을 따라 소정의 깊이를 갖는 드레인을 형성하였다.
본 발명은 고전압 인가시 소오스에서 드레인을 향하여 기판의 표면을 따라 진행 하는 전자의 충격 이온화를 드레인의 가장자리에서 수직으로 분산시킴으로서 항복전압을 높일 수 있어 고압소자의 동작전압을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100170999B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950051462

申请日：1995-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박문양 ,  김욱 ,  이종렬

IPC: H03K19/00

CPC classification number: H03K5/086 ,  H03K5/1565

Abstract: 본 발명은 디지탈 논리레벨 변환회로에 관한 것으로 특히, 작은 진폭의 정현파 (Min. 0.4 Vp-p) 외부입력을 C1 케페시터로 AC 커플링하고 내부 논리 중간레벨로 그 입력(IN)을 레벨 쉬프트하여 정, 부 차동증폭기의 입력(IN) 단자로 입력하는 레벨변환수단과; 상기 레벨변환수단의 히스테리시스(hysteresis)를 가지기 위해 차아지 펌프에서 출력되는 신호를 입력으로 받는 INB 단자측 트랜지스터의 폭을 작게 설계하여 기준전위측 전위보다 IN 단자로 입력되는 전위가 더 높아야 출력이 변하도록 설계한 정 차동증폭기와; 상기 INB측 트랜지스터의 폭을 크게 설계하여 입력전압이 작아야 출력이 변하도록 설계한 부 차동증폭기와; 상기 정, 부 차동증폭기들의 구동전류를 제어하기 위해 1V 정도의 바이어스 전압을 공급하는 바이어스 회로와; 상기 차동증폭기들의 출력을 입력받아 로우/하이의 디지탈 신호를 출력하여 최종적인 출력을 생성하며, 동시에 출력이 차아지 펌프(charge-pump)회로로 출력하는 RS 래치; 및 RS 래치의 하이, 로우의 출력상태를 감지하여 정확한 50%의 듀티 비를 기능케하기 위해 기준 전압을 생성하여, 상기 정, 부 차동증폭기들의 기준전위 레벨을 생성하는 차아지 펌프회로를 포함하는 작은 정현파 입력을 디지탈 논리레벨 변환회로를 적용하면 수백 mV(Min. 0.4 Vp-p)의 작은 정현파 입력을 디지탈 논리 레벨인 0V-5V로 변환하며, 또한 변환된 디지탈 논리레벨의 듀티 비를 50% 내의 완전한 펄스 파형으로 생성할 수 있게 기준 전압이 입력에 따라 추종하는 회로를 생성하여 통신 관련회로의 비교기 클럭원 및 기타 다양한 회로에 적용할 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990020109A

公开(公告)日：1999-03-25

申请号：KR1019970043554

申请日：1997-08-30

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 송규상 ,  박문양 ,  송원철 ,  구진근

IPC: G09G3/296

Abstract: 기체 플라즈마 발광 표시장치(PDP; Plasma Display Panel) 등의 평면 표시장치(FDP; Flat Display Panel) 구동용으로 사용되는 고전압 구동회로는 로직 레벨의 신호를 고전압의 신호로 변환시켜 출력시키는 기능을 한다. 일반적으로 이런 고전압 구동회로에서는 신호가 하이(high) 또는 로우(low) 상태로 유지되는 시간동안 흐르는 정적전류(static current)나 신호가 스위칭하는 과정에서 흐르는 과도전류(transient current)가 흐르게 된다. 이 두 전류의 흐름에 의하여 불필요한 전력소모가 발생하게 된다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여 새로운 회로가 많이 개발되어 있으나 지금까지의 회로는 대부분 정적전류를 줄이기 위하여 고안되었다.
그러나, 본 발명에서는 이 구동회로 내에서 인가되는 상보(complementary)형 두 신호의 스위칭 시간을 조절하는 회로를 부가함으로써 과도전류의 흐름을 제거하였다.