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公开(公告)号:KR100212460B1
公开(公告)日:1999-08-02
申请号:KR1019960038192
申请日:1996-09-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
Abstract: 본 발명은 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 광 펌핑으로 동작되는 장파장 레이저 칩을 전기적으로 동작되는 단파장 표면방출 레이저 칩으로 광 펌핑하여 장파장 레이저 빔을 방출함으러써, 레이저 칩의 성장이 간단해지고, 광 펌핑 후 잔류된 단파장 레이저 빔을 InP 기판에서 흡수하므로 자동적으로 여과될 수 있도록 한 장파장 표면방출 레이저 칩 및 그 제조 방법이 개시된다.
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公开(公告)号:KR100178492B1
公开(公告)日:1999-04-15
申请号:KR1019950053677
申请日:1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01S5/18
CPC classification number: H01S5/18355 , H01S5/18308 , H01S5/18352 , H01S5/2063 , H01S5/2086 , H01S5/3202 , Y10S148/095 , Y10S148/099 , Y10S438/978
Abstract: 본 발명은 수직공진형 표면방출 레이저다이오드의 제작방법에 관한 것으로, 편광특성을 제어하기 위해 공진층을 110 또는
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公开(公告)号:KR1019930006987A
公开(公告)日:1993-04-22
申请号:KR1019910016477
申请日:1991-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/80
Abstract: 본 발명은 종래의 병렬형 게이트 단자를 가지는 양자간섭 트랜지스터 보다 우수한 간섭현상을 나타내기 위한 다기능 수직형 게이트의 양자간섭 트랜지스터의 제작에 관한 것이다.
게이트 금속 단자면을 전자의 한쪽 통로 위에 소자의 성장면과 평행하게 올려놓음으로써, 전자가 게이트 밑을 통과할때 보다 일정한 전압의 영향을 받게하여, 여러가지 전자통로에 대한 게이트 전압의 파동(fluctuation)으로 부터 발생하는 효과를 줄이고, 게이트 임계전압을 낮추고 트랜지스터의 상호 콘덕턴스(transconductance)를 높인다.-
公开(公告)号:KR102233750B1
公开(公告)日:2021-04-01
申请号:KR1020140078173
申请日:2014-06-25
IPC: H01L29/786 , H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 본발명은기상제트프린팅을이용한금속산화물박막의형성방법및 금속산화물박막프린팅장치에관한것으로, 상기금속산화물박막의형성방법은, 제1 금속산화물전구체를기화시키는것; 기화된상기제1 금속산화물전구체를제1 캐리어가스를이용하여혼합챔버로유입시키는것; 유입된상기제1 금속산화물전구체를상기혼합챔버의하단에연결된마이크로노즐을통해기판상으로분사하여, 상기기판상에제1 금속산화물전구체층을형성하는것; 및상기제1 금속산화물전구체층에전자기파를조사하여제1 금속산화물층을형성하는것을포함할수 있다.
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公开(公告)号:KR102220553B1
公开(公告)日:2021-02-26
申请号:KR1020150033297
申请日:2015-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G09G3/20 , G09G3/3225 , G09G3/36
Abstract: 복수의게이트라인들및 복수의데이터라인들에각각연결된복수의픽셀들을포함하는표시패널에있어서, 상기복수의픽셀들각각은, 상기데이터라인중 대응하는데이터라인및 제1 노드사이에연결되고, 상기게이트라인들중 대응하는게이트라인들을통해입력되는입력신호에응답하여상기데이터라인의데이터신호를상기제1 노드에전달하는제1 트랜지스터, 상기제1 노드에연결되고, 모드선택신호가반사모드를가리킬때, 상기제1 노드의신호에응답하여상기반사모드를구현하는반사소자회로, 상기제2 노드에연결되고, 상기모드선택신호가발광모드를가리킬때, 상기제1 노드의신호에응답하여상기발광모드를구현하는발광소자회로및 상기제1 노드에연결되는일단및 제어신호가인가되는타단을갖는커패시터를포함하되, 상기반사소자회로는, 상기제1 노드및 제2 노드사이에연결되고, 상기모드선택신호에응답하여동작하는제2 트랜지스터및 상기제2 노드에연결되는일단및 상기제어신호가공급되는타단을갖는반사소자를포함한다.
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公开(公告)号:KR102172254B1
公开(公告)日:2020-11-02
申请号:KR1020140113198
申请日:2014-08-28
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L29/786
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