Halbleitervorrichtung
    52.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102014106825B4

    公开(公告)日:2019-06-27

    申请号:DE102014106825

    申请日:2014-05-14

    Abstract: Halbleitervorrichtung (100), umfassend einen Halbleiterkörper (200), der eine erste Oberfläche (201) und eine zweite Oberfläche (202) entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche (201)) hat, wobei der Halbleiterkörper (200) aufweist:eine Laststromkomponente (300) mit einem Laststromtransistorgebiet (310) undeine Sensorkomponente (400) mit einem Sensortransistorgebiet (410), wobei das Sensortransistorgebiet (410) erste und dritte Transistorgebietsteile (150, 470) aufweist, die von einem zweiten Transistorgebietsteil (460) zwischen den ersten und dritten Transistorgebietsteilen (450, 470) um ein Sensortransistorgebietselement (480) verschieden sind, das in dem zweiten Transistorgebietsteil (460) abwesend ist, wobei das abwesende Sensortransistorgebietselement (480) elektrisch den zweiten Transistorgebietsteil (460) von einer Parallelverbindung der ersten und dritten Transistorgebietsteile (450, 470) trennt, wobei jeder des ersten, zweiten und dritten Transistorgebietsteils (450, 460, 470) eine Bodyzone (420) umfasst.

    Elektronischer Schalter für elektronische Sicherung

    公开(公告)号:DE102017106896A1

    公开(公告)日:2018-10-04

    申请号:DE102017106896

    申请日:2017-03-30

    Abstract: Hierin wird eine elektronische Sicherungsschaltung beschrieben. Gemäß einem Beispiel weist der elektronische Schalter einen Laststrompfad, der im Betrieb über einen Draht mit einer Last gekoppelt ist, auf; der elektronische Schalter ist dazu ausgebildet, einen Laststromversorgungsknoten und die Last über den Draht abhängig von einem Steuersignal zu verbinden oder zu trennen. Weiterhin enthält die elektronische Sicherungsschaltung eine Überwachungsschaltung, die dazu ausgebildet ist, ein Stromerfassungssignal, das den durch den Draht fließenden Laststrom repräsentiert, zu empfangen und ein erstes Schutzsignal basierend auf dem Stromerfassungssignal und zumindest einem Drahtparameter zu bestimmen. Das erste Schutzsignal lässt erkennen, ob der Laststromversorgungsknoten von der Last zu trennen ist. Darüber hinaus enthält die elektronische Sicherungsschaltung eine Logikschaltung, die dazu ausgebildet ist, das erste Schutzsignal zu empfangen und das Steuersignal zu erzeugen, so dass es den elektronischen Schalter dazu veranlasst, den Laststromversorgungsknoten von der Last zu trennen, wenn das erste Schutzsignal anzeigt, den Laststromversorgungsknoten von der Last zu sperren. Dabei ist die Logikschaltung weiterhin dazu ausgebildet, zumindest ein Auswahlsignal zu empfangen und den zumindest einen Drahtparameter basierend auf dem zumindest einen Auswahlsignal einzustellen.

    Feststromverringerung für aktivierte Last

    公开(公告)号:DE102017122882A1

    公开(公告)日:2018-04-05

    申请号:DE102017122882

    申请日:2017-10-02

    Abstract: Bei einem Beispiel enthält eine Schaltung einen Eingang, einen Ausgang und ein Steuermodul. Der Eingang ist dazu ausgebildet, ein Steuersignal, das signalisiert, ob eine Last zu aktivieren oder zu deaktivieren ist, zu empfangen. Der Ausgang ist dazu ausgebildet, einen Strom zum Aktivieren der Last auszugeben. Das Steuermodul ist dazu ausgebildet, zu bestimmen, ob ein Zustand der Schaltung eine Betriebsart mit geringem Stromverbrauch (LCCM) ist. Das Steuermodul ist dazu ausgebildet, als Reaktion auf die Bestimmung, dass der Zustand der Schaltung nicht die LCCM ist, zu bestimmen, ob das Steuersignal signalisiert, die Last zu aktivieren, und an dem Ausgang den Strom zum Aktivieren der Last auszugeben. Das Steuermodul ist dazu ausgebildet, als Reaktion auf die Bestimmung, dass der Zustand der Schaltung die LCCM ist, das Steuersignal, das signalisiert, ob die Last zu aktivieren oder zu deaktivieren ist, zu ignorieren, und an dem Ausgang den Strom zum Aktivieren der Last auszugeben.

    Elektronische Schalt- und Schutzschaltung mit Aufweckfunktion

    公开(公告)号:DE102017107517A1

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:DE102017107517

    申请日:2017-04-07

    Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer elektronischen Schaltung umfasst einen elektronischen Schalter, der eine Laststrecke aufweist, und eine Steuerschaltung, die dazu ausgebildet ist, den elektronischen Schalter anzusteuern. Die Steuerschaltung ist dazu ausgebildet, wenigstens basierend auf einem Pegel eines Laststroms des elektronischen Schalters in einer von einer ersten Betriebsart und einer zweiten Betriebsart zu arbeiten. In der ersten Betriebsart ist die Steuerschaltung dazu ausgebildet, ein erstes Schutzsignal basierend auf einer Strom-Zeit-Charakteristik des Laststroms zu erzeugen und den elektronischen Schalter basierend auf dem ersten Schutzsignal anzusteuern. Die Steuerschaltung ist dazu ausgebildet ist, ein Statussignal derart zu erzeugen, dass das Statussignal einen Aufweckpuls aufweist, wenn die Betriebsart von der zweiten Betriebsart zu der ersten Betriebsart wechselt, und nach dem Aufweckpuls einen Signalpegel aufweist, der einen Pegel des Laststroms repräsentiert.

    Halbleiterschalter mit integriertem Temperatursensor

    公开(公告)号:DE102014112823B4

    公开(公告)日:2016-07-21

    申请号:DE102014112823

    申请日:2014-09-05

    Abstract: Ein Halbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100); mindestens eine Verdrahtungsschicht (33; 34), die auf dem Halbleiterkörper (100) angeordnet ist; einen in den Halbleiterkörper (100) integrierten Feldeffekttransistor (MP) mit einer Vielzahl von Gate-Elektroden (71), die sich in korrespondierenden, im Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Gate-Trenches (70‘‘) befinden; einen Temperatursensor (TS), der im Halbleiterkörper (100) benachbart zu dem Feldeffekttransistor (MP) integriert ist; eine Temperaturmessschaltung (40), die abseits von dem Temperatursensor (TS) in dem Halbleiterkörper (100) integriert ist; zumindest einen ersten zusätzlichen in dem Halbleiterkörper (100) ausgebildeten Trench (70), der zumindest eine Messleitung (81; 82) beinhaltet, die den Temperatursensor (TS) und die Temperaturmessschaltung (40) elektrisch verbindet; zumindest ein in der zumindest einen Verdrahtungsschicht (33; 34) ausgebildetes, leitfähiges Pad (50), das so angeordnet ist, dass es zumindest teilweise den ersten zusätzlichen Trench (70) bedeckt, um eine Schirmung der Messleitung(en) (81; 82) zu bilden.

    High-Side-Schalter mit Strombegrenzungsrückkopplung

    公开(公告)号:DE102015111687A1

    公开(公告)日:2016-01-28

    申请号:DE102015111687

    申请日:2015-07-17

    Abstract: Verfahren, Vorrichtungen, Systeme und integrierte Schaltkreise zum Einschalten einer elektrischen Verbindung mit einer oder mehreren Lasten werden offenbart. Bei einem Beispiel umfasst eine Schaltervorrichtung eine Spannungsquelle, einen Leistungsschalter-Schaltungsblock, welcher mit der Spannungsquelle verbunden ist, und einen Strombegrenzungs-Schaltungsblock, welcher mit der Spannungsquelle und dem Leistungsschalter-Schaltungsblock verbunden ist. Die Schaltervorrichtung umfasst weiterhin einen Spannungsausgang, welcher mit dem Leistungsschalter-Schaltungsblock verbunden ist. Die Schaltervorrichtung umfasst weiterhin eine Strombegrenzungs-Rückkopplungsschaltung, welche mit dem Leistungsschalter-Schaltungsblock und dem Strombegrenzungs-Schaltungsblock verbunden ist. Die Strombegrenzungs-Rückkopplungsschaltung ist konfiguriert, der Schaltervorrichtung zu ermöglichen, eine geregelte Verbindung zwischen dem Leistungsschalter-Schaltungsblock und dem Spannungsausgang bereitzustellen, wobei die geregelte Verbindung einen Strombegrenzungsmodus definiert, so dass die geregelte Verbindung den Strom in dem Leistungsschalter-Schaltungsblock reduziert, wenn die Schaltervorrichtung in dem Strombegrenzungsmodus ist.

    Halbleitervorrichtung
    58.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102014106825A1

    公开(公告)日:2015-11-19

    申请号:DE102014106825

    申请日:2014-05-14

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterkörper mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche entgegengesetzt zu der ersten Oberfläche. Der Halbleiterkörper umfasst eine Laststromkomponente mit einem Laststromtransistorgebiet und eine Sensorkomponente mit einem Sensortransistorgebiet. Das Sensortransistorgebiet umfasst erste und dritte Transistorgebietsteile, die von einem zweiten Transistorgebietsteil zwischen den ersten und dritten Transistorgebietsteilen um ein Sensortransistorgebietselement verschieden sind, das in dem zweiten Transistorgebietsteil abwesend ist. Das abwesende Sensortransistorgebietselement trennt elektrisch den zweiten Transistorgebietsteil von einer Parallelverbindung der ersten und dritten Transistorgebietsteile.

    Blinkerschaltung zur Steuerung eines Blinkers in einem Fahrzeug

    公开(公告)号:DE102012018942A1

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:DE102012018942

    申请日:2012-09-25

    Abstract: Eine Blinkerschaltung (100) zur Steuerung eines Blinkers in einem Fahrzeug umfasst einen ersten Anschluss (101) zur Verbindung mit einer Versorgungspannung, einen zweiten Anschluss (102) zur Verbindung mit einem Blinkerschalter (200) und einem Leuchtmittel (300), einen dritten Anschluss (103) zur Verbindung mit einem Kondensator (600). Die Blinkerschaltung (100) weist einen Schalter (110) zum Bereitstellen eines Stromes auf, wobei der Schalter (110) mit dem ersten (101) und dem zweiten Anschluss (102) verbunden ist. Die Blinkerschaltung (100) ist dazu ausgebildet, dem Leuchtmittel (300) während eines An-Zustandes mit dem Schalter (110) einen Strom bereitzustellen und während eines Aus-Zustandes keinen Strom bereitzustellen. Die Blinkerschaltung (100) überprüft während des An-Zustands mindestens einmal den bereitgestellten Strom und geht in den Aus-Zustand über, wenn die Prüfung einen Strom erkennt, der kleiner ist als ein vorgegebener Strom.

    Integrierte Schaltung mit Leistungstransistorzellen und einer Verbindungsleitung

    公开(公告)号:DE102013103378A1

    公开(公告)日:2013-10-10

    申请号:DE102013103378

    申请日:2013-04-04

    Abstract: Leistungstransistorzellen sind in einem Zellarray einer integrierten Schaltung gebildet. Kontakt-Vias können elektrisch eine Metallstruktur über dem Zellarray und die Leistungstransistorzellen verbinden. Eine Verbindungsleitung (800) verbindet elektrisch ein erstes Element (901), das in dem Zellarray angeordnet ist, und ein zweites Element (902), das in einem peripheren Bereich angeordnet ist. Ein Teil der Verbindungsleitung (800) ist zwischen der Metallstruktur und dem Zellarray angeordnet und verläuft zwischen einer ersten Achse (891) und einer zweiten Achse (892), die parallel und in einem Abstand zueinander angeordnet sind. Der Abstand ist größer als eine Breite des Verbindungsleitungsteiles. Der Verbindungsleitungsteil ist tangential zu der ersten Achse (891) und der zweiten Achse (892). Ein durch Scherkraft induzierter Materialtransport längs der Verbindungsleitung wird reduziert durch Verkürzen von kritischen Teilen oder durch Ausnutzen von Korngrenzeffekten. Die Zuverlässigkeit einer Isolatorstruktur, die die Verbindungsleitung bedeckt, ist gesteigert.

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