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    Photoakustischer Gassensor mit optimaler Referenzweglänge
    51.
    发明专利
    Photoakustischer Gassensor mit optimaler Referenzweglänge 未知

    公开(公告)号：DE102020200275A1

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：DE102020200275

    申请日：2020-01-10

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： THEUSS HORST

    IPC: G01N21/3504 ,  G01N21/17 ,  G01N21/39

    Abstract: Ein photoakustischer Gassensor kann eine Detektorkomponente umfassen. Die Detektorkomponente umfasst ein Package, das ein Referenzvolumen definiert. Das Referenzvolumen enthält ein Referenzgas. Die Detektorkomponente umfasst ein Druckerfassungselement zum Messen eines Druckbetrags in dem Referenzvolumen. Der Druckbetrag in dem Referenzvolumen hängt von der Absorption einer Lichtwellenlänge durch das Referenzgas in dem Referenzvolumen ab. Eine Empfindlichkeit des Druckerfassungselements, wenn dasselbe den Druckbetrag in dem Referenzvolumen misst, hängt von einer Länge eines Referenzwegs ab, der dem Referenzvolumen zugeordnet ist. Die Detektorkomponente umfasst eine Referenzwegstruktur, die bewirkt, dass die Länge des Referenzwegs kleiner oder gleich 0,5 Millimeter ist.

    Gehäuse für MEMS-Spiegel und Verfahren für deren Herstellung
    52.
    发明专利
    Gehäuse für MEMS-Spiegel und Verfahren für deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102019105703A1

    公开(公告)日：2019-09-26

    申请号：DE102019105703

    申请日：2019-03-06

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： GHAHREMANI CYRUS ,  THEUSS HORST

    IPC: B81B7/02 ,  B81B7/04 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  G01S7/48 ,  G02B26/08

    Abstract: Für LIDAR (Light Detection and Ranging)-Systeme werden eine mikroelektromechanische Systeme (MEMS)-Gehäuseanordnung und ein Verfahren für deren Herstellung bereitgestellt. Eine MEMS-Gehäuseanordnung beinhaltet einen MEMS-Chip mit einer Vorderseitenfläche und einer Rückseitenfläche, wobei der MEMS-Chip ferner einen LIDAR-MEMS-Spiegel beinhaltet, der dazu ausgelegt ist, Licht zu empfangen und das Licht als reflektiertes Licht zu reflektieren; und eine Hohlraumkappe, die auf der Vorderseitenfläche des MEMS-Chips angeordnet ist und einen Hohlraum ausbildet, der den LIDAR-MEMS-Spiegel umgibt, so dass der LIDAR-MEMS-Spiegel gegenüber einer Umgebung abgedichtet ist, wobei die Hohlraumkappe eine asymmetrische Form aufweist, so dass eine Übertragungsfläche der Hohlraumkappe, durch die das Licht und das reflektierte Licht übertragen wird, in einem Neigungswinkel gegenüber der Vorderseitenfläche des MEMS-Chips geneigt ist.

    GEHÄUSTE HALBLEITERVORRICHTUNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG GEHÄUSTER HALBLEITERVORRICHTUNGEN
    53.
    发明专利
    GEHÄUSTE HALBLEITERVORRICHTUNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG GEHÄUSTER HALBLEITERVORRICHTUNGEN 未知

    公开(公告)号：DE102018203101A1

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：DE102018203101

    申请日：2018-03-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SCHALLER RAINER MARKUS ,  THEUSS HORST

    IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

    Abstract: Eine gehäuste Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip und ein Halbleitergehäuse. Das Halbleitergehäuse umfasst: einen Metallträger, wobei der Halbleiterchip auf einer Hauptoberfläche des Metallträgers angeordnet ist, eine auf der Hauptoberfläche des Metallträgers angeordnete Metallkappe, wobei der Metallträger und die Metallkappe einen Hohlraum ausbilden, wobei der Halbleiterchip innerhalb des Hohlraums angeordnet ist, einen von der Hauptoberfläche des Metallträgers zu einer Hauptoberfläche des Halbleitergehäuses durch den Metallträger verlaufenden Anschlussleiter, wobei der Anschlussleiter elektrisch von dem Metallträger isoliert ist und elektrisch mit dem Halbleiterchip verbunden ist, und ein auf einem ersten Bereich des Anschlussleiters angeordnetes Verbindungsmaterial zum elektrischen und mechanischen Verbinden des Anschlussleiters mit einer externen Leiterplatte, wobei zumindest der von der Hauptoberfläche des Metallträgers bis zu dem ersten Bereich des Anschlussleiters verlaufende Teil des Anschlussleiters einstückig ausgebildet ist.

    Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses
    54.
    发明专利
    Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses 未知

    公开(公告)号：DE102013105232B4

    公开(公告)日：2019-04-25

    申请号：DE102013105232

    申请日：2013-05-22

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  MAHLER JOACHIM ,  MAYER KARL ,  THEUSS HORST ,  TUTSCH GÜNTER

    IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48

    Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Chipgehäuses, das Verfahren aufweisend:• Bereitstellen eines Trägers (402), aufweisend eine Mehrzahl von Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) und eine Passivierungsschicht (408);• Abscheiden eines Haftmaterials (424) über einer Oberseite des Trägers (402) und Oberseiten der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) ;• Anhaften der Oberseite des Trägers (402) und der Oberseiten der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) an eine Stützstruktur (426) mittels des Haftmaterials (424);• Dünnen des Trägers (402) von einer Unterseite des Trägers (402) her;• Bilden einer Mehrzahl von Separationen (428) zwischen den Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) von der Unterseite des Trägers (402) her mittels Entfernens eines oder mehrerer Bereiche (422) des Trägers (402);• Abscheiden einer elektrisch leitfähigen Schicht (432) über einer gesamten unteren Oberfläche der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) und in den Separationen (428);• Bilden eines Verkapselungsmaterials (434) über der gesamten elektrisch leitfähigen Schicht (432) über den gesamten unteren Oberflächen der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) und in den Separationen (428);• Lösen der Stützstruktur (426) und des Haftmaterials (424) von der Oberseite des Trägers (402) und der Oberseite der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) ;• Bilden von Durchgangslöchern (443) durch die Passivierungsschicht (408) hindurch;• Abscheiden von elektrisch leitfähigem Material über der Passivierungsschicht (408), wobei leitfähige Bereiche (446) über Kontakt-Pads (414) auf der Oberseite der Dies (404, 404, 404, 404, 404) gebildet werden und wobei in den Durchgangslöchern (443) elektrische Verbindungen (444) zwischen einer Oberseite der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) und der elektrisch leitfähigen Schicht (432) auf der Unterseite der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) gebildet werden;• Aufbringen von zusätzlichem Verkapselungsmaterial (448) über den Oberseiten der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404); und• Vereinzeln der Dies (404, 404, 404,..., 404, 404) durch das in den Separationen (428) gebildete Verkapselungsmaterial (434) hindurch.

    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    55.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102010061573B4

    公开(公告)日：2018-07-12

    申请号：DE102010061573

    申请日：2010-12-27

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： THEUSS HORST

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/784

    Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements, mit den folgenden Schritten:Bereitstellen eines Trägers (10);Anbringen einer Vielzahl von Halbleiterchips (20) an dem Träger, wobei die Halbleiterchips (20) eine erste Elektrodenkontaktstelle (21) auf einer ersten Hauptoberfläche und mindestens eine zweite Elektrodenkontaktstelle (22) auf einer der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche aufweisen, wobei die erste Elektrodenkontaktstelle elektrisch mit dem Träger (10) verbunden ist;Bilden einer Vielzahl von ersten Hügeln (40) auf dem Träger (10), wobei die ersten Hügel (40) aus einem leitfähigen Material bestehen;anschließendes Abscheiden eines Einkapselungsmittels (80) über dem Halbleiterchip (20) und dem Träger (10), wobei die ersten Hügel (40) durch das Einkapselungsmittel (80) vorstehen, um freigelegte Anschlüsse des Halbleiterbauelements zu bilden; undVereinzeln des Trägers (10) zu einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen, wobei jedes Halbleiterbauelement mindestens einen Halbleiterchip (20) und einen ersten Hügel (40) umfasst.

    Stromsensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Stromsensorvorrichtung
    57.
    发明专利
    Stromsensorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Stromsensorvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE102014113313B4

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102014113313

    申请日：2014-09-16

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BEER GOTTFRIED ,  STRUTZ VOLKER ,  THEUSS HORST

    IPC: H01L43/02 ,  G01R19/00 ,  H01L23/28 ,  H01L23/492

    Abstract: Stromsensorvorrichtung zum Erfassen eines Messstroms, die umfasst: einen Halbleiterchip (10), der ein magnetfeldsensitives Element (11) umfasst, wobei der Halbleiterchip eine erste Hauptoberfläche (10a) und eine zweite Hauptoberfläche (10b) aufweist; eine Einkapselung (30), die den Halbleiterchip einbettet, wobei die Einkapselung eine erste Hauptoberfläche (30a) und eine zweite Hauptoberfläche (30b) aufweist; einen Leiter, der so konfiguriert ist, dass er den Messstrom trägt, wobei der Leiter elektrisch von dem magnetfeldsensitiven Element isoliert ist; und eine Umverteilungsstruktur (20), die eine erste Metallschicht (21) umfasst, wobei die erste Metallschicht einen ersten strukturierten Abschnitt (21a), der einen Teil des Leiters bildet, umfasst; wobei die erste Hauptoberfläche des Halbleiterchips und die erste Hauptoberfläche der Einkapselung der Umverteilungsstruktur zugewandt sind und eine gemeinsame ebene Oberfläche bilden; und wobei der erste strukturierte Abschnitt ein verstärkter Abschnitt der ersten Metallschicht mit einer Dicke (TC) ist, die größer ist als eine Dicke der ersten Metallschicht außerhalb des ersten strukturierten Abschnitts.

    INTEGRIERTES PHOTOAKUSTISCHES GASSENSORMODUL
    59.
    发明专利
    INTEGRIERTES PHOTOAKUSTISCHES GASSENSORMODUL 未知

    公开(公告)号：DE102016103646A1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：DE102016103646

    申请日：2016-03-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： MUELLER THOMAS ,  THEUSS HORST ,  SCHALLER RAINER ,  KOLB STEFAN ,  ELIAN KLAUS

    IPC: G01N21/17 ,  G01N21/61 ,  H01L25/16

    Abstract: Der photoakustische Gassensor umfasst ein Substrat, eine Lichtemittereinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Lichtemittereinheit einen Lichtemitter umfasst, der konfiguriert ist, ein Strahlenbündel von Lichtimpulsen mit einer vorgegebenen Wiederholungsfrequenz und einer vorgegebenen Wellenlänge, die einem Absorptionsband eines abzutastenden Gases entspricht, zu emittieren, und eine Detektoreinheit, die durch das Substrat gestützt ist, wobei die Detektoreinheit ein Mikrophon umfasst, wobei das Strahlenbündel von Lichtimpulsen einen Bereich durchquert, der vorgesehen ist, um das Gas aufzunehmen, wobei das Mikrophon ein Signal, das mit der Wiederholungsfrequenz schwingt, empfangen kann.

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