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公开(公告)号：KR100258173B1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR1019970034952
申请日：1997-07-25
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01C19/56
Abstract: PURPOSE: A micro-gyroscope is provided to ensure detection electrodes easy in formation and excellent in sensitivity by using a micro-bridge stationary wave capable of being manufactured by micro-machining. CONSTITUTION: An anchor(17) is placed at both ends of a silicon beam(11) for fixing the beam(11). The first pseudo-vibration electrode(12) is positioned the upper center of the silicon beam(11). The second and third pseudo-vibration electrodes(15,16) are positioned at both ends of the silicon beam(11). The first and second detection electrodes(13,14) are positioned at inflection points of the first vibration mode due to the bending of the silicon beam(11). When the silicon beam(11) is resonated along the direction(A) perpendicular to the plane defined by the silicon beam(11) and a resonance mode is deformed by the Coriolis' force generated by a rotative angular velocity(B) perpendicular to the longitudinal direction and the vibration direction(B) of the silicon beam(11), the detection electrodes(13,14) detect the magnitude of the deformation.
Abstract translation: 目的：提供一种微型陀螺仪，通过使用能够通过微加工制造的微桥静止波，确保检测电极形成容易，灵敏度高。 构成：锚固件（17）被放置在用于固定梁（11）的硅梁（11）的两端。 第一伪振动电极（12）位于硅光束（11）的上部中心。 第二和第三伪振动电极（15,16）位于硅光束（11）的两端。 第一和第二检测电极（13,14）由于硅梁（11）的弯曲而位于第一振动模式的拐点处。 当硅光束（11）沿与垂直于由硅光束（11）限定的平面垂直的方向（A）共振时，共振模式由垂直于...的旋转角速度（B）产生的科里奥利力变形 长度方向和硅梁（11）的振动方向（B），检测电极（13,14）检测变形的大小。
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公开(公告)号：KR100236934B1
公开(公告)日：2000-01-15
申请号：KR1019970049653
申请日：1997-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/82
Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
멤즈 소자의 형성 방법.
2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제
진공 밀봉이 요구되는 멤즈 소자의 형성시, 웨이퍼 위에 형성된 모든 소자를 한꺼번에 진공 밀봉하고 또한 진공 성능을 높일 수 있는 진공 밀봉 방법을 사용하여 제조된 멤즈 소자의 형성 방법을 제공하고자 함을 그 목적으로 한다.
3. 발명의 해결 방법의 요지
하부 기판 상에 절연막, 상부 기판을 형성한후, 상기 상부 기판 및 절연막의 선택적 식각으로 상기 하부 기판을 다수군데 노출시키는 단계; 상기 노출된 하부 기판을 메우는 희생막 패턴을 형성하되, 적어도 상기 노출된 하부 기판중 두군데를 연결하여 이루어지는 희생막 패턴을 형성하는 단계; 상기 희생막 패턴 상부에 제1밀봉 박막을 형성하는 단계; 상기 제1밀봉 박막에 상기 희생부 패턴의 끝부분과, 상기 상부 기판을 노출시키는 다수의 콘택홀을 형성하는 단계; 상기 콘택홀을 통하여 상기 희생막 패턴을 완전히 제거하는 단계; 및 상기 콘택홀 및 제1밀봉 박막을 덮는 제2밀봉 박막을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100231711B1
公开(公告)日：1999-11-15
申请号：KR1019960068954
申请日：1996-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/84
Abstract: 본 발명은 표면 미세 가공(surface micromachining) 기술을 이용한 마이크로 자이로스코프(micro gyroscope) 제작방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은 기존의 구조체 재료인 다결정 실리콘(polysilicon)에서 나타나는 응력을 해소하여 구조체가 변형되는 것을 방지하고, 또한 센서의 구동 및 감지를 위한 반도체 IC 회로의 제작 과정에서 발생할 수 있는 열공정(thermal process)의 호환성 문제, 금속배선의 어려움 및 진공 밀봉(vacuum seal)의 복잡함을 해결하고자 한다. 이에 따른 본 발명은 응력이 없는 구조체로서 기존의 다결정 실리콘 대신 SOI(Silicon On Insulator) 상부의 단결정 실리콘을 이용하고, 구동 및 감지를 위한 반도체 IC회로는 별도의 웨이퍼에 제작한 후 이를 구조체 위에 접착(bonding) 함으로써 열공정(thermal process)의 호환성, 금속 배선 및 진공 밀봉 문제를 해결할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100194619B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950052676
申请日：1995-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 반도체 레이저의 외부 광궤환 방법을 이용한 웨이퍼 자동촛점장치 및 자동촛점방법에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는, 반도체 레이저(21)와, 시준렌즈(22)와, 광분할기(23)와, 촛점렌즈(24)로 이루어진 자동촛점장치 모듈; 및, 슬릿(32)과, 시준렌즈(32)와, 회절격자(33)와, 집속렌즈(34)와, PSD(35)로 구성되어, 상기한 웨이퍼(25)에 의해 반사되어 반도체 레이저(21)의 외부 광궤환에 의해서 발진하는 반도체 레이저(21)의 궤환광의 광 강도변화를 전압변화로 변환하기 위한 분광부(40)와 PSD신호처리부(50)를 포함한다.
아울러, 본 발명의 웨이퍼 자동촛점방법은, 반도체 레이저에서 나오는 레이저광을 평행광으로 만들어 광분할기를 통해 웨이퍼에 입사시키는 단계; 상기한 웨이퍼의 수직방향 위치변화에 따른 상기한 반도체 레이저의 외부 광궤환에 의한 광강도 변화에 의해 레이저광의 출력파장을 변화시키는 단계; 및, 상기한 출력파장의 변화를 PSD 및 PSD 신호처리부를 거쳐 출력전압 변화로 변환하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100194598B1
公开(公告)日：1999-06-15
申请号：KR1019950042065
申请日：1995-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 프로브 빔 주사방식에 의한 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
좀 더 구체적으로, 본 발명은 프로브 빔 주사방식을 사용하여 촛점신호의 측정오차를 최소화함으로써 자동촛점장치의 정밀도와 분해능을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 자동촛점장치에 관한 것이다.
본 발명의 웨이퍼 자동촛점장치는 반도체 노광장치의 웨이퍼 자동촛점장치에 있어서, 반도체 레이저(101); 전기한 반도체 레이저(171)로부터 발생된 빛의 편광방향을 TE편광으로 바꾸기 위한 선 편광자(103) 및 슬릿(104)의 광학계; 전기한 슬릿(104)으로부터 투사된 빛을 사용하여 웨이퍼 스테이지(90) 상의 웨이퍼(80)에 프로브 빔을 주사하기 위한 갈바노미터(106')로 이루어진 주사 거울(106); 웨이퍼(80) 상에서 반사된 반사광을 실린더상 렌즈(111)에 집속하기 위한 광학계 및 프로브 빔의 길이방향을 압축하여 PSD(112) 상에 전달하기 위한 실린더상 렌즈(112); 및, 발광 및 수광회로부(140)와 신호처리 및 제어부(150)로 구성되어 전기한 광학계에 의한 광학신호를 전기신호로 변환하기 위한 자동촛점 신호처리계를 포함하는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR100175351B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019950053651
申请日：1995-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 높은 광투과 정렬창을 갖는 X-선 브랭크마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래기술의 X-선 마스크용 투과막은 광투과도가 낮고, 층간정렬도가 떨어졌던 문제점을 해결하기 위해 X-선 마스크에서 정렬광이 투과하는 부위는 광투과도가 우수한 멤브레인 물질을, X-선 노광에 의한 손상이 없는 멤브레인 물질을 하나의 웨이퍼에 형성한 구조로서, 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 을, 칩부위의 멤브레인을 Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하고, 또한 정렬창의 멤브레인으로 Si
3 N
4 /SiO
2 을 사용하고, 침부위의 멤브레인은Si
3 N
4 /poly-Si/Si
3 N
4 을 사용하는 것이다.-
公开(公告)号：KR100155303B1
公开(公告)日：1999-02-18
申请号：KR1019940035478
申请日：1994-12-21
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명에 따른 T-게이트 형성용 마스크는 불투명과 투명부위만으로 이루어진 종래의 마스크와는 달리, 선택적으로 투과율이 조절된 패턴부위가 배치하고 있으며, 투명한 패턴부위와 투과율이 조절된 패턴부위와의 빛의 위상을 조절하기 위한 위상변환층(phase shift layer)을 갖는다.
또, 본 발명의 마스크는 T-게이트의 다리부위의 패턴형성을 위한 마스크 패턴은 투명한 패턴을 형성하고 투명패턴에 인접하여 T-게이트의 머리부위를 형성하기 위한 반투명한 패턴이 배치된 구조를 갖는다.-
公开(公告)号：KR100160543B1
公开(公告)日：1999-02-01
申请号：KR1019940036335
申请日：1994-12-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 ULSI 소자 제작에 있어서 이를 응용한 소자특성을 향상시킬 수 있도록, 특히 불순물에 대하여 치밀한 확산장벽 특성이 요구되는 절연막 및 보호막으로 유용한 고 품위의 질화 규소막을 400℃ 이하의 저온 공정으로 형성하는 방법에 관한 것이다.
특히, 본 발명의 방법에 의하면 고온 화학증착에 의한 질화규소(Si
3 N
4 ) 와 유사한 화학조성을 가지는 박막의 형성이 가능하므로, 화합물 반도체 소자의 불순물 확산 방지층 및 박막 트랜지스터(TFT)의 게이트 절연층 등으로의 활용도 기대된다.
본 발명에서는 플라즈마 화학기상 증착기에서 반응기체로써 SiH
4 + N
2 혼합기체를 사용하되, 수십 Å의 박막 증착과 그 직후 N
2 플라즈마 처리를 주기적으로 반복함으로써 필요한 두께의 질화규소막을 형성하는 방법을 사용하는데, 이 방법은 통상의 평행판 플라즈마 화학기상 증착기에서도 실시할 수 있을 뿐만 아니라, 형성되는 질화규소막내에 수소농도를 최소화할 수 있고, 안정적인 Si/N 조성비를 유지할 수 있는 등의 장점이 있다.
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