公开(公告)号：KR101572086B1

公开(公告)日：2015-11-26

申请号：KR1020140027158

申请日：2014-03-07

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  한정환 ,  김다혜 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/448

Abstract: 본발명은하기화학식 1로표시되는 4족금속전구체에관한것으로, 상기 4족전이금속전구체는열적으로안정하고휘발성이좋으므로양질의 4족전이금속박막을형성할수 있다. [화학식 1](상기식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R은 C1-C10의선형또는분지형알킬기, C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기, 또는 C6-C12의방향족탄화수소이며, R, R은각각독립적으로 H이거나 C1-C10의선형또는분지형알킬기, 또는 C1-C10의선형또는분지형의플루오로알킬기고, R및 R는각각독립적으로 C1-C10의선형또는분지형알킬기이다.)

公开(公告)号：KR101551270B1

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：KR1020140003804

申请日：2014-01-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이재락 ,  윤상준 ,  안기석 ,  김형록

IPC: G02B5/20 ,  G02B1/10

Abstract: 본발명은실리콘기판; 및상기실리콘기판상부에적층된 9 내지 120 nm 두께의금속산화물층;을포함하는파장증가에따라선형으로광투과율이증가되도록조절된필름을제공한다. 본발명에따른필름은파장증가에따라선형으로광투과율이증가되도록조절된필름으로써, 파장이짧은자외선파장대(약 400 nm 이하)에서부터파장이긴 가시광선파장대(약 400 내지 750 nm) 또는그보다긴 파장대(약 750 nm 이상) 영역까지선형으로광투과율이증가되도록조절하여적절히필요한파장대에서의광투과율을얻을수 있다. 또한, 본발명에따른필름은향후광통신및 광컴퓨터데이터송수신시스템, 광메모리저장, 3 차원홀로그램, 3 차원가상체험공간에서의광 조명특성제어에필요한필름형재료제조의기반기술로사용할수 있다.

公开(公告)号：KR101350706B1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：KR1020110123712

申请日：2011-11-24

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  심장보 ,  강성구

IPC: C09D11/52 ,  H01B1/14 ,  H01B1/20 ,  H01L31/042

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 나노사이즈 글래스 프릿이 함유된 전도성 잉크 조성물 및 이를 이용한 태양전지 전면 전극에 관한 것으로, 특히 전도성 잉크를 제조하는 단계에 있어서 사용되는 졸-겔 공정에 의한 나노 사이즈의 글래스 프릿 (glass frit)의 제조 방법을 포함한다. 글래스 프릿은 실리콘 태양전지 전면전극 재료에 필수 성분이며, 잉크젯 프린팅과 같은 비접촉 인쇄공정에 적용 가능 할 수 있도록 금속 전도성 잉크와 함께 높은 분산성을 가질 수 있다. 본 발명은 낮은 비용으로 태양전지 전극 조성물을 제조하고, 비접촉 인쇄공정을 통해 고효율 실리콘 태양전지 제조에 적용 할 수 있다.

公开(公告)号：KR101344856B1

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020120013032

申请日：2012-02-08

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이선숙 ,  이병국 ,  정택모 ,  김창균 ,  안기석 ,  이영국 ,  정석종 ,  박보근

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/7869

Abstract: 본발명은아연및 주석전구체를사용하여화학기상증착법(chemcal vapor deposition, CVD) 또는원자층증착법(atomic layer deposition, ALD)으로아연주석산화물박막을형성하는방법및 이를이용한 TFT(thin film transistors) 소자제조방법에관한것으로, 본발명에따른아연주석산화물박막의제조방법은주석과아연의조성제어가가능하며, 낮은온도에서공정이가능하며, 삼차원구조의기재상에서도두께가균일한박막을제조할수 있고제조된주석산화물은높은전계효과이동도(field effect mobility)를가지고있어 TFTs의채널재료로적용할수 있다.

公开(公告)号：KR101336805B1

公开(公告)日：2013-12-03

申请号：KR1020110059903

申请日：2011-06-21

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  심장보

IPC: C30B7/10 ,  B01J3/00

CPC classification number: Y02P20/544

Abstract: 본 발명은 단결정을 성장하는 압력용기에 있어서, 내열 합금으로 제조되는 압력용기본체, 상기 압력용기본체의 내부에 삽입되는 라이너 및 상기 압력용기본체의 하부로 관통 삽입되어 상기 라이너의 하부를 지지하는 하부지지대를 포함하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장용 압력용기.

公开(公告)号：KR101335019B1

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR1020120026274

申请日：2012-03-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 정택모 ,  김창균 ,  이영국 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  전동주 ,  임종선 ,  정석종 ,  이창완

IPC: H01L21/205

Abstract: 안티몬 박막의 제조 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 안티몬 박막의 제조 방법은 진공 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 안티몬 전구체 물질을 준비하는 단계; 상기 안티몬 전구체 물질로 소스가스를 준비하는 단계; 수소 가스를 포함하는 반응가스를 준비하는 단계; 퍼지가스를 준비하는 단계; 금속 전구체 물질로 금속 전구체 가스를 준비하는 단계; 및 상기 진공챔버 내에 상기 소스가스, 반응가스, 퍼지가스 및 상기 금속 전구체 가스를 순차적으로 공급하는 1사이클의 공정을 실시하여 상기 기판 상에 안티몬-금속의 단원자층 박막을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 안티몬 전구체 물질은 다음 화학식 1로 표시되는 안티몬 아미노알콕사이드인 것을 특징으로 하는 안티몬 박막의 제조 방법: [화학식 1] Sb[OA-NR
1 R
2 ]
3 상기 식 중, A는 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기로 치환 또는 비치환된 C
2 내지 C
5 의 알킬렌이고; R
1 및 R
2 는 각각 독립적으로 C
1 내지 C
10 의 선형 또는 분지형 알킬기이다.

公开(公告)号：KR101306811B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：KR1020120049229

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  김창균 ,  정택모 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙 ,  여소정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoamide halogen compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby simply manufacturing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of making a compound of chemical formula 2 react with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.

Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基酰胺卤素化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而简单地制造含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。生长含钨的薄膜 通过使用钨化合物的化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。

公开(公告)号：KR101306810B1

公开(公告)日：2013-09-10

申请号：KR1020120049225

申请日：2012-05-09

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 박보근 ,  정택모 ,  김창균 ,  전동주 ,  안기석 ,  이선숙 ,  여소정

IPC: C07F11/00 ,  C23C16/18

CPC classification number: C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: PURPOSE: A novel tungsten aminoalkoxide compound is provided to have thermal stability and high volatility, thereby easily producing a thin film containing high quality tungsten. CONSTITUTION: A tungsten compound is denoted by chemical formula 1. A method for preparing the tungsten compound of chemical formula 1 comprises the step of reacting a compound of chemical formula 2 with a compound of chemical formula 3. A thin film containing tungsten is grown by chemical vapor deposition (CVD) or atomic layer deposition (ALD) using the tungsten compound.

Abstract translation: 目的：提供新的钨氨基烷氧基化合物以具有热稳定性和高挥发性，从而容易地生产含有高质量钨的薄膜。 构成：化学式1表示钨化合物。化学式1的钨化合物的制备方法包括使化学式2的化合物与化学式3的化合物反应的步骤。含有钨的薄膜通过 化学气相沉积（CVD）或原子层沉积（ALD）。

公开(公告)号：KR1020130090151A

公开(公告)日：2013-08-13

申请号：KR1020120011260

申请日：2012-02-03

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  정석종 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  이선숙 ,  심장보

IPC: C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/00

CPC classification number: Y02P20/544 ,  C30B29/38 ,  C01B21/00 ,  C30B7/10

Abstract: PURPOSE: A method for growing a III group nitride single crystal in supercritical ammonia by adding an inert gas is provided to improve purity and quality by preventing impurities from being inputted to the III group nitride single crystal. CONSTITUTION: A III group nitride seed crystal is inputted to a pressure container (10). A mineralizing agent is inputted to the pressure container. The pressure container is sealed (12). An inert gas and a solvent with nitrogen are inputted to the pressure container (14). A III group nitride single crystal is grown by heating the pressure container (18). [Reference numerals] (10) III group containing material, a III group nitride seed crystal, and mineralizing agent are inputted to a pressure container; (12) Pressure container is sealed; (14) Inert gas and a solvent with nitrogen are inputted; (16) Pressure container is heated; (18) III group nitride crystal is grown

Abstract translation: 目的：提供通过添加惰性气体在超临界氨中生长III族氮化物单晶的方法，以通过防止杂质输入到III族氮化物单晶中来提高纯度和质量。 构成：将III族氮化物晶种输入到压力容器（10）。 将矿化剂输入到压力容器。 将压力容器密封（12）。 将惰性气体和具有氮气的溶剂输入到压力容器（14）。 通过加压压力容器（18）生长III族氮化物单晶。 （10）含III族的材料，III族氮化物晶种和矿化剂输入到压力容器中; （12）压力容器密封; （14）输入惰性气体和具有氮气的溶剂; （16）加压压力容器; （18）III族氮化物晶体生长

公开(公告)号：KR101283993B1

公开(公告)日：2013-07-09

申请号：KR1020120135577

申请日：2012-11-27

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이영국 ,  김창균 ,  정택모 ,  정석종 ,  안기석 ,  이선숙 ,  박보근 ,  강성구

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0224 ,  H01B1/14

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 태양전지 전극 형성에 이용 가능한 비접촉 인쇄 공정용 전도성 잉크 조성물을 이용한 태양전지 전면 전극 형성 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 전면 전극을 포함하는 태양전지에 관한 것으로, 특히 전면 전극을 형성하는 단계에 있어서 사용되는 전도성 잉크는 금속 나노 입자, 나노 사이즈의 유리 프릿 (glass frit) 및 유기 비히클을 포함한다. 본 발명은 기판에 물리적 손상을 주지 않는 비접촉 인쇄공정에 적용 가능하며, 추가적인 마스크 패터닝 공정 없이 양질의 태양전지 전면 전극을 형성 할 수 있다.