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    기판 처리 장치
    71.
    发明公开
    기판 처리 장치 失效
    基板处理装置

    公开(公告)号：KR1020050114209A

    公开(公告)日：2005-12-05

    申请号：KR1020057009241

    申请日：2004-08-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와도시히사 ,  마츠오카다카아키

    IPC: H01L21/68 ,  B65G49/00

    CPC classification number: H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67742 ,  Y10S414/139

    Abstract: A substrate processing device comprises a plurality of processing chambers (20) for applying processing to internally received substrates, a transfer case (24) for transferring received substrates to the processing chambers (20), and a moving mechanism for moving the transfer case (24) along a movement path. The transfer case (24) receives substrates in a state isolated from the outside atmosphere. The plural of processing chambers (20) are disposed in a state arranged on opposite sides of the movement path of the transfer case (24), and the transfer case (24) has two transfer ports (24a) corresponding to the transfer ports (20a) of the processing chambers (20) arranged in two rows.

    Abstract translation: 一种基板处理装置，包括用于向内部接收的基板施加处理的多个处理室（20），用于将接收到的基板传送到处理室（20）的转印箱（24）和用于移动转印箱（24）的移动机构 ）沿运动路径。 转移箱（24）接收与外部气氛隔离的状态的基板。 多个处理室（20）以配置在分动箱（24）的移动路径的相对侧的状态配置，并且分配箱（24）具有与传送口（20a）对应的两个传送口（24a） ）处理室（20）。

    플라즈마 처리 장치
    72.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工装置

    公开(公告)号：KR1020050053620A

    公开(公告)日：2005-06-08

    申请号：KR1020057002675

    申请日：2003-08-15

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 이시바시기요타카 ,  노자와도시히사

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

    Abstract: A plasma processing device comprising a chamber (1) for housing a substrate (11), a high-frequency power supply (5) for generating microwave, and an antenna unit (3) for radiating microwave into the chamber (1). Microwave generated in the power supply (5) is sent to the antenna unit (3) via a waveguide (6). A top plate (4) forming part of a partition wall of the chamber (1) is formed at the upper portion of the chamber (1). A specified annular delay pass unit (2) formed of the same material as that of the top plate (4), for delaying the propagation of microwave, is provided on the outer peripheral portion of the top plate (4). Accordingly, the plasma processing device can restrict an abnormal discharge and the production of foreign matters.

    Abstract translation: 一种等离子体处理装置，包括用于容纳衬底的腔室（1），用于产生微波的高频电源（5）和用于将微波辐射到腔室（1）中的天线单元（3）。 在电源（5）中产生的微波通过波导（6）发送到天线单元（3）。 在腔室（1）的上部形成形成腔室（1）的分隔壁的一部分的顶板（4）。 在顶板（4）的外周部设置有用于延迟微波传播的与顶板（4）相同材料形成的特定的环形延迟传递单元（2）。 因此，等离子体处理装置可以限制异常放电和异物的产生。

    천이 금속막의 에칭 방법 및 기판 처리 장치
    76.
    发明公开
    천이 금속막의 에칭 방법 및 기판 처리 장치 审中-实审
    过渡金属膜的蚀刻方法和基板处理设备

    公开(公告)号：KR1020170049420A

    公开(公告)日：2017-05-10

    申请号：KR1020160140080

    申请日：2016-10-26

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 미야마료 ,  모야마가즈키 ,  노자와도시히사

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H05H1/46

    CPC classification number: H01L21/31122 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/3345 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/67069 ,  H01L43/12

    Abstract: 본발명은, 천이금속막의에칭에서, 디바이스의미세화에대응하고, 디바이스에의손상을일으키지않고, 에칭속도나스루풋을종래에비해향상시키는것을목적으로한다. 기판처리장치를이용하여천이금속막을이방적으로에칭하는방법으로서, 상기기판처리장치는, 천이금속막을포함하는피처리체의처리를행하는 1개또는복수개의처리용기를가지며, 상기처리용기내에산소이온을포함하는제1 가스를도입하고, 산소이온을상기천이금속막에조사하여상기천이금속막의천이금속을산화시켜금속산화층을형성시키는산화공정과, 상기처리용기내에상기금속산화층을착화시키기위한제2 가스를도입하고, 상기금속산화층에서금속착체를형성시켜에칭을행하는착화에칭공정을포함하는것을특징으로하는천이금속막의에칭방법이제공된다.

    Abstract translation: 本发明是基于所述过渡金属层蚀刻，对应于装置的小型化和不造成损伤的设备，其目的在于相比于现有技术中的蚀刻速率和吞吐量改善。 一种使用基板处理装置对过渡金属膜进行旋涂的方法，所述基板处理装置具有一个或多个用于处理待处理物体的处理容器，所述处理容器包括过渡金属膜， 氧化步骤，向过渡金属膜照射氧离子以氧化过渡金属膜的过渡金属以形成金属氧化物层;以及氧化处理容器中的金属氧化物层的步骤 以及点燃蚀刻步骤，将气体引入到金属氧化物层中并且在金属氧化物层中形成金属络合物以执行蚀刻。

    플라즈마 처리 장치
    77.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 审中-实审
    等离子处理设备

    公开(公告)号：KR1020170031144A

    公开(公告)日：2017-03-20

    申请号：KR1020177000974

    申请日：2015-06-19

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와도시히사

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H05H1/46 ,  H01L21/687

    CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/463 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68792

    Abstract: 플라즈마처리장치는, 기판을기밀하게수용하는처리용기와, 처리용기내에마이크로파를조사하는마이크로파공급부와, 처리용기내에처리가스를공급하는처리가스공급부와, 처리용기내에있어서기판을유지하는기판유지기구와, 처리용기의바닥면을상하방향으로관통하고, 기판유지기구의하면을지지하는지지축과, 처리용기의외부에설치되고, 지지축을회전시키는회전구동기구와, 지지축과처리용기사이를기밀하게막는자성유체시일과, 자성유체시일보다상방에설치되고, 지지축과처리용기사이로부터의마이크로파의누설에의해자성유체시일이가열되는것을방지하는초크기구를갖는다.

    Abstract translation: 该等离子体处理装置具备：气密性地收容基板的处理容器;照射处理容器内的微波的微波供给部;向处理容器内供给处理气体的处理气体供给部;以及基板保持机构 旋转驱动机构，其设置在处理容器的外部并使支撑轴旋转;以及支撑轴与处理容器之间的气密密封 并且设置阻流机构，该阻流机构设置在磁性流体密封件的上方，并防止磁性流体密封件因微波从支承轴与处理容器之间的泄漏而被加热。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 부재의 교환 판단 방법
    78.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 장치의 부재의 교환 판단 방법 审中-实审
    等离子体处理装置和方法，用于确定等离子体加工装置成员的更换

    公开(公告)号：KR1020160078890A

    公开(公告)日：2016-07-05

    申请号：KR1020150182686

    申请日：2015-12-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와도시히사

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: C23C16/455 ,  C23C16/4404 ,  H01J37/32477 ,  H01J37/32504 ,  H01J37/32559 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32853

    Abstract: 본발명은, 플라즈마처리장치에있어서, 처리용기내에서표면의피막이열화하거나, 부식이발생하고있는부재를특정하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치의처리용기내에서플라즈마에노출되고, 처리용기의천판부를구성하는마이크로파투과판(31)을지지하는지지부재(34)의표면의피막(C1)과, 지지부재(34)로부터계속되는측벽(2c) 표면의피막(C2)은, 모두상이한재료로코팅하여형성되어있다. 더미웨이퍼(DW) 상의파티클을분석한결과, 그성분이피막(C1)에서유래되는경우에는지지부재(34)를교환하고, 피막(C2)에서유래되는경우에는측벽(2c)이부식, 열화하고있다고판단하여해당하는부재를교환한다.

    Abstract translation: 在等离子体处理装置中，本发明的目的是指定在处理容器内表面的膜劣化或产生腐蚀的构件。 在等离子体处理装置的处理容器内暴露于等离子体并支撑用于形成处理容器的顶板单元的微波穿透板（31）的支撑构件（34）的薄膜（C1）和薄膜 从支撑构件（34）延伸的侧壁（2c）的表面的C2）涂覆有不同的材料。 作为对虚拟晶片（DW）上的粒子进行分析的结果，如果通过确定侧壁（2c）来确定部件是从膜（C1）导出的，或者替换对应的构件，则更换支撑构件（34） 如果该组分衍生自薄膜（C2），则其被腐蚀并降解。

    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
    79.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 审中-实审
    等离子体加工设备和等离子体处理

    公开(公告)号：KR1020150046736A

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：KR1020140140744

    申请日：2014-10-17

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 네모토다케나오 ,  노자와도시히사

    IPC: H01L21/02 ,  H05H1/46

    CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244

    Abstract: 본발명은, 플라즈마처리장치내의처리가스를정류하고, 플라즈마처리를적절히행하는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치(1)는, 웨이퍼(W)를수용하는처리용기(10)와, 처리용기(10)의바닥면에설치되고, 웨이퍼(W)를배치하는배치대(20)와, 처리용기(10)의천장면중앙부에설치되고, 이처리용기(10)의내부에제1 처리가스(T1)를공급하는제1 처리가스공급관(60)과, 처리용기(10)의측면에설치되고, 이처리용기(10)의내부에제2 처리가스(T2)를공급하는제2 처리가스공급관(70)과, 처리용기(10)의측면으로서, 제2 처리가스공급관(70)의위쪽에설치되고, 처리용기(10)의내부에아래쪽을향하는정류가스(R)를공급하는정류가스공급관(80)과, 처리용기(10)의내부에마이크로파를방사하는레이디얼라인슬롯안테나(40)를갖는다.

    Abstract translation: 本发明的目的是纠正等离子体处理装置中的工艺气体并适当地预处理等离子体处理。 等离子体处理装置（1）包括：接收晶片（W）的处理室（10），安装在处理室（10）的底面上并排列晶片（W）的对准单元（20） ，第一工艺气体供给管（60），其安装在处理室（10）的顶面的中心部分，并且将第一处理气体（T1）供应到处理室（10）中;第二处理气体 供给管（70），其安装在处理室（10）的侧表面，并将第二处理气体（T2）供应到处理室（10）中;整流气体供给管（80），安装到 作为处理室（10）的侧面的第二工艺气体供给管（70）的上部，并且将向下流入处理室（10）的整流气体（R）和径向线槽天线 40），其将微波辐射到处理室（10）中。

    플라즈마 처리 장치
    80.
    发明公开
    플라즈마 처리 장치 有权
    等离子体加工设备

    公开(公告)号：KR1020140106417A

    公开(公告)日：2014-09-03

    申请号：KR1020140020308

    申请日：2014-02-21

    Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

    Inventor： 노자와도시히사 ,  요시카와준 ,  아이타미치타카 ,  야마자키마사히로 ,  사이토다케히사 ,  가지후미히코 ,  야마기시고지

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/3244

    Abstract: The present invention is to reduce the electric intensity of a path to supply processing gas to be plasmatized. A plasma processing apparatus comprises a processing container, a microwave generator, a dielectric member, an injector, and a dielectric waveguide plate. The processing container is divided for a processing room, and the microwave generator generates microwave for plasma excitation. The dielectric member introduces the microwave generated by the microwave generator into the processing room, as installed in the processing container to seal the processing room. The injector supplies a processing gas plasmatized by the microwave to the processing room through a penetrating hole formed on the dielectric member, as installed inside the dielectric member. And the dielectric waveguide plate guides the microwave diffused inside the dielectric member through the penetrating hole to the inner side of the injector, as arranged inside the injector to cover the penetrating hole of the dielectric member.

    Abstract translation: 本发明是为了降低供给等离子体化处理气体的路径的电气强度。 等离子体处理装置包括处理容器，微波发生器，电介质构件，注射器和电介质波导板。 处理容器分为处理室，微波发生器产生用于等离子体激发的微波。 介电部件将由微波发生器产生的微波引入加工室内，安装在处理容器中以密封处理室。 喷射器通过形成在电介质构件上的贯穿孔将微波等离子体的处理气体提供给处理室，安装在电介质构件的内部。 并且电介质波导板将布置在电介质构件内部的微波通过穿透孔引导到喷射器的内侧，布置在喷射器内部以覆盖电介质构件的穿透孔。

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