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公开(公告)号：KR101220697B1
公开(公告)日：2013-01-21
申请号：KR1020117020835
申请日：2010-03-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02071 , H01L21/67051 , H01L21/67109
Abstract: 간단한 장치 구성에서 실시 가능하고, 미세 패턴이 형성되어 있는 기판을 그 미세 패턴에 악영향을 주는 일 없이 단시간에 세정하기 위한 기판 세정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W의 표면에 소정의 가공을 실시하는 처리 챔버로부터 웨이퍼 W의 세정을 실행하는 세정 챔버에 웨이퍼 W를 반송하고, 세정 챔버내에 있어 웨이퍼 W를 소정 온도로 냉각하고, 초유동체로서의 초유동 헬륨을 웨이퍼 W의 표면에 공급하고, 웨이퍼 W의 표면으로부터 초유동 헬륨을 유출하는 것에 의해서 미세 패턴내의 오염 성분을 흘러가게 한다.
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公开(公告)号：KR1020120125546A
公开(公告)日：2012-11-15
申请号：KR1020127024425
申请日：2011-02-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이와타니 산교 가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02057 , B08B5/02 , H01L21/02046 , H01L21/67028
Abstract: 이물이 부착되고 저압의 분위기 중에 배치되는 기판을 향해 상기 저압의 분위기보다 고압의 가스를 분무해서 복수의 가스 분자로 이루어지는 클러스터를 형성하고, 해당 클러스터를 이온화하는 일 없이 상기 기판에 충돌시키는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법이 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020120111717A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：KR1020120028594
申请日：2012-03-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
CPC classification number: F04B37/08 , Y10S29/902 , Y10S55/05 , Y10S264/48 , Y10T29/49316 , Y10T156/1043
Abstract: PURPOSE: A particle acquisition unit, a manufacturing method thereof, and a substrate processing apparatus are provided to have high rigidity by welding a first net-shaped layer and a second first net-shaped layer. CONSTITUTION: A first net-shaped layer(44) is comprised of a plurality of first stainless steels(44a). A second first net-shaped layer(45) is comprised of a plurality of second stainless steels(45a). The thickness of the first stainless steel is thinner than the thickness of the second stainless steel. The arranging density of the first stainless steel is higher than the arranging density of the second stainless steel. The first net-shaped layer and the second first net-shaped layer are welded.
Abstract translation: 目的：通过焊接第一网状层和第二第一网状层，提供粒子获取单元及其制造方法和基板处理装置以具有高刚性。 构成：第一网状层（44）由多个第一不锈钢（44a）组成。 第二第一网状层（45）由多个第二不锈钢（45a）组成。 第一不锈钢的厚度比第二不锈钢的厚度薄。 第一不锈钢的配置密度高于第二不锈钢的配置密度。 第一网状层和第二第一网状层被焊接。
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公开(公告)号：KR101163913B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020100086414
申请日：2010-09-03
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤
IPC: H01L21/02
Abstract: 기판으로부터 제조되는 반도체 디바이스의 양품률이 높은 상태에서 소정의 처리를 개시할 수 있는 처리 개시 가부 판정 방법을 제공한다. 웨이퍼 W를 수용하는 챔버(11)와, 상기 챔버(11)를 배기하는 배기계(14)를 구비하는 기판 처리 장치(10)에서, 챔버(11)의 구성 부품의 클리닝 후, 반도체 디바이스의 제조를 위한 플라즈마 에칭 처리보다 고온의 분위기 및 저압의 분위기 중 적어도 어느 한쪽의 분위기의 시즈닝 처리를 소정의 회수만큼 반복하여 실행하고, 배기계(14)의 애벌 배기 라인(15)내를 흐르는 파티클의 수를 계측하고, 상기 계측된 파티클 수의 시간 경과에 따르는 변동 정도를 감시하고, 상기 감시되어 있는 파티클 수의 감소 정도가 변화했을 때에, 플라즈마 에칭 처리를 개시 가능하다고 판정한다.
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公开(公告)号：KR101155402B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020090068521
申请日：2009-07-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B3/10 , B08B13/00 , B08B2230/01
Abstract: 종래에 비해 효율적으로 세정 작업을 행할 수 있고, 또한 높은 세정 효과를 얻을 수 있는 반도체 제조 장치의 세정 장치 및 세정 방법을 제공한다. 반도체 제조 장치의 세정 장치(100)는 순수(純水)로부터 순수 스팀을 생성하는 순수 스팀 생성 용기(2)와, 순수 스팀을 피세정 부위로 공급하는 공급구(5)와, 순수 스팀 생성 용기와 공급구를 접속시키는 공급 라인(4)과, 세정에 사용된 사용 완료 스팀을 피세정 부위로부터 회수하는 회수구(6)와, 사용 완료 스팀을 응축시켜 회수하는 회수 용기(8)와, 회수구(6)와 회수 용기(8)를 접속시키는 회수 라인(7)을 구비하고 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101078923B1
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：KR1020090018646
申请日：2009-03-04
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor： 모리야츠요시
CPC classification number: G01N15/02
Abstract: 파티클의발생요인에관한지식을거의갖고있지않은사람이라도파티클의발생요인을정확하게판별할수 있는파티클발생요인판별시스템을제공한다. 파티클의발생요인을판별하는파티클발생요인판별시스템(43)은클라이언트 PC(47)와, 호스트서버(48)를구비하고, 호스트서버(48)는복수의파티클발생요인의각각에관한확도를산출하는산출방법의프로그램을저장하는메모리와, 각저장된프로그램에의거하여파티클맵, 각파티클의재질, 형상및 사이즈로부터상기확도를각 파티클발생요인에대해산출하는 CPU를갖고, 클라이언트 PC(47)는각 파티클발생요인에대해산출된확도를디스플레이(51)에표시한다.
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公开(公告)号：KR101057866B1
公开(公告)日：2011-08-19
申请号：KR1020090063576
申请日：2009-07-13
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Abstract: 동일한 기판에서 미소 이물질의 검출과 성분 분석을 실행할 수 있는 이물질 검출 방법을 제공한다. 광학식 이물질 검사 장치(13), 전자빔 조사 장치(14), 수증기 공급 유닛(15) 및 압력 제어 밸브(17)를 구비하는 이물질 검출 장치(10)에 있어서, 웨이퍼(W)의 온도 및 해당 웨이퍼의 표면을 둘러싸는 분위기 중의 수증기압을 제어하는 것에 의해 파티클(P)의 주위에 선택적으로 수분을 결로시키고, 그 후에 웨이퍼(W)의 온도를 저하시키면서, 상기 수증기압을 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착되어 있지 않은 경우의 포화증기압 곡선을 초과하지 않도록 제어하여 결로한 수분으로부터 얼음의 결정(T)을 발생 및 성장시키며, 웨이퍼(W)의 표면을 광학적으로 검사하고, 검사 대상인 파티클(P)의 위치를 특정하고, 얼음의 결정(T)을 증발시켜서 제거하고, 나아가 특정된 파티클(P)의 성분을 전자빔을 사용하여 분석한다.
Abstract translation: 本发明提供一种异物检测方法，能够检测同一基板上的微粒和分析成分。 的光学异物检查装置13中，电子束照射装置14，蒸汽供应单元15和异物检测装置10，该温度时，压力控制阀17，和晶片（W），具有晶片 通过控制周围大气，表面，之后的蒸气压冷凝在粒子（P）的外周选择性的水分，同时降低在晶片（W）的温度，而不是水蒸汽压力是粘附到晶片的表面上的颗粒 所述颗粒（P）受试者sikimyeo的位置来控制，以便不通过由光学检查某些情况下产生和从水中生长的冰晶体（T），并且检查晶片（W）的表面上以超过缩合的饱和蒸气压力曲线，该曲线 ，冰的晶体（T）被蒸发并除去，此外，使用电子束分析特定粒子（P）的组分。
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公开(公告)号：KR100996064B1
公开(公告)日：2010-11-22
申请号：KR1020080041757
申请日：2008-05-06
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 수분을 원인으로 하는 불량을 야기하지 않고, 진공 흡인 시간을 단축할 수 있는 진공 흡인 방법을 제공한다.
챔버(11)를 구비하는 진공 처리 장치(10)에서, 챔버(11) 내의 진공 흡인시, APC 밸브(16)에 의해서 일정한 시간, 예컨대, 수십초 동안에 걸쳐 챔버(11) 내의 압력을 6.7∼13.3×10
2 Pa(5∼10Torr)로 유지하고(압력 유지), 이어서, 챔버(11) 내에 가열 가스를 급속하게 도입하여 챔버(11) 내를 1.3∼2.7×10
4 Pa(100∼200Torr)까지 급속하게 승압시키고(급속 승압), 시간 T1로부터 시간 T2까지의 동안에, 압력 유지와 급속 승압을 복수회 반복한다.-
公开(公告)号：KR100995170B1
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020080027562
申请日：2008-03-25
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6831 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01L21/67069 , H01L21/67109
Abstract: 웨이퍼에 행해지는 플라즈마 처리의 균일성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치. 웨이퍼는 기판 처리 장치의 챔버에 수용되고, 처리실 내에 발생한 플라즈마를 이용하여 플라즈마 처리가 실시된다. 온도 제어 기구는 플라즈마에 면하는 고리 모양의 포커스 링의 적어도 일부분을 향하여 고온의 가스를 분사한다.
Abstract translation: 并且可以提高在晶片上执行的等离子体处理的均匀性。 晶片容纳在基板处理装置的腔室内，使用在处理腔室内产生的等离子体进行等离子体处理。 温度控制机构朝向面向等离子体的环形聚焦环的至少一部分注入热气体。
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公开(公告)号：KR1020100047166A
公开(公告)日：2010-05-07
申请号：KR1020090102320
申请日：2009-10-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/0071 , B08B7/0064 , B08B7/02 , H01L21/67028 , H01L21/67115
Abstract: PURPOSE: A method and a device for cleaning a substrate are provided to prevent a pattern collapse due to a vapor-liquid interfacial tension by removing foreign materials on the surface of the substrate. CONSTITUTION: A substrate is heated. Foreign materials are stripped from the surface of the substrate. The foreign materials are separated from the surface of the substrate. The foreign materials separated from the surface of the substrate are collected. A foreign material collector(13) faces the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁基底的方法和装置，以通过去除基底表面上的异物来防止由于气 - 液界面张力引起的图案塌陷。 构成：将基材加热。 异物从基片的表面剥离。 异物与基片的表面分离。 收集与基板表面分离的异物。 异物收集器（13）面向衬底。
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