公开(公告)号：KR101727160B1

公开(公告)日：2017-05-04

申请号：KR1020100059148

申请日：2010-06-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권운성 ,  이혁재 ,  조태제 ,  권용환 ,  김정환 ,  이치영 ,  김태은

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15311

Abstract: 본발명은관통전극을포함하는반도체장치에관한것으로, 더욱상세하게는반도체기판과반도체기판의일면에형성된절연막을관통하는개구부의적어도일부를채우는관통전극을포함하는반도체장치에관한것이다. 본발명에서절연막은개구부의측벽에인접한가장자리영역및 상기가장자리영역으로부터확장된확장영역을포함하고상기확장영역은상기가장자리영역으로부터멀어질수록높은상부면을갖는다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体装置，包括一个通孔，并且更具体地，涉及一种包括通孔以填充至少穿过形成在半导体基板的表面和半导体基板上的绝缘膜中的开口的一部分的半导体装置。 在本发明中，绝缘膜的侧壁和边缘区域包括从所述边缘区域和邻近所述开口的延伸区域延伸的扩展区域具有上表面更远离所述边缘区域高。

公开(公告)号：KR101719265B1

公开(公告)日：2017-04-04

申请号：KR1020100104732

申请日：2010-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희재 ,  김정환 ,  김소진 ,  정용수

IPC: G06Q50/10 ,  G06Q30/02 ,  G06Q30/06

CPC classification number: G06F17/30038 ,  G06Q30/02

Abstract: 서비스제공방법이개시된다. 서비스제공방법은, 복수개의컨텐츠를패키징하여생성된적어도하나의컨텐츠리스트를업로드받는단계, 적어도하나의컨텐츠리스트에포함된각 컨텐츠의패키징빈도를고려하여핵심컨텐츠를추출하는단계및, 사용자요청이있는경우추출된핵심컨텐츠를사용자에게추천하는단계를포함한다.

Abstract translation: 公开了一种服务提供方法。 提供服务的方法包括：接收通过打包多个内容而生成的至少一个内容列表;考虑至少一个内容列表中包括的每个内容的打包频率来提取核心内容; 如果是这样，向用户推荐提取的核心内容。

公开(公告)号：KR101617642B1

公开(公告)日：2016-05-09

申请号：KR1020090107111

申请日：2009-11-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환 ,  강운병 ,  이동훈 ,  권운성 ,  장형선

IPC: H01L23/28

CPC classification number: H01L2224/13 ,  H01L2924/16235

Abstract: 반도체패키지및 이의제조방법을제공한다. 이반도체패키지의반도체칩은, 화소부를구비하고, 상기반도체칩 상에투명기판이개재되고, 상기투명기판과상기반도체칩 사이에접착패턴, 및상기반도체칩과상기투명기판사이에상기접착패턴과이격되는적어도하나의결로방지물(dew proofer)이제공된다. 이반도체패키지는결로방지물을포함함으로써화소부영역의투명기판의표면에결로가형성되는것을방지할수 있다. 이로써화상의왜곡을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR1020150070746A

公开(公告)日：2015-06-25

申请号：KR1020130157320

申请日：2013-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환 ,  안재영 ,  양한빛 ,  임헌형

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L27/11551

Abstract: 본발명은 3차원반도체메모리장치및 그제조방법에관한것으로, 기판상에희생막들및 절연막들을번갈아반복적으로적층하여박막구조체를형성하는것, 상기박막구조체를관통하여상기기판을노출하는채널홀을형성하는것, 상기채널홀에노출된상기희생막들을표면처리하는것, 상기채널홀 내에채널구조체를형성하는것, 상기채널구조체와이격되어상기박막구조체를관통하는트렌치를형성하는것 및상기트렌치에노출된상기희생막들을게이트패턴들로교체하는것을포함하는 3차원반도체메모리장치의제조방법을제공한다.

Abstract translation: 本发明涉及一种三维半导体存储器件及其制造方法。 制造三维半导体存储器件的方法包括以下步骤：通过交替重复地在衬底上堆叠牺牲膜和绝缘膜来形成薄膜结构; 形成通过穿透薄膜结构使基板曝光的通道孔; 处理暴露在通道孔上的牺牲膜的表面处理; 在通道孔内形成通道结构; 形成与所述通道结构间隔开的沟槽，所述槽穿透所述薄膜结构; 并用栅极图案代替在沟槽中暴露的牺牲膜。

公开(公告)号：KR1020140133983A

公开(公告)日：2014-11-21

申请号：KR1020130053509

申请日：2013-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환 ,  양준규 ,  임헌형 ,  최재호 ,  황기현

IPC: H01L21/764 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7926 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7889 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/515

Abstract: 반도체 소자의 제조 방법이 개시된다. 상기 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, 기판 상에 제1 방향으로 서로 이격된 복수 개의 게이트 구조물들을 형성한다. 실란(SiH
4 )가스를 이용하는 화학기상증착(CVD) 공정을 수행하여, 인접하는 상기 게이트 구조물들 사이에 위치하는 에어 갭(air gap)을 둘러싸는 절연막 패턴을 형성한다. 상기 제1 방향으로 상기 에어 갭의 폭은 상기 제1 방향으로 상기 인접하는 게이트 구조물들 사이의 거리의 65% 이상이고, 70% 이하이다.

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法。 在半导体器件的制造方法中，形成有在基板上沿第一方向彼此分离的多个栅极结构。 形成绝缘层图案，其通过使用硅烷（SiH 4）气体进行化学气相沉积（CVD）的工艺来封闭位于相邻栅极结构之间的气隙。 第一方向上的气隙的宽度为65％以上，相邻的栅极结构之间的距离为第一方向的70％以下。

公开(公告)号：KR101390190B1

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：KR1020120113042

申请日：2012-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신승우 ,  김정환 ,  오도관 ,  이동재 ,  이상철

IPC: G01N23/04 ,  A61B6/00

CPC classification number: A61B6/4452 ,  A61B6/4435 ,  A61B6/5241

Abstract: X선을 대상체로 방출하는 소스, 상기 대상체를 투과한 상기 X선을 검출하는 검출기, 상기 소스와 상기 검출기를 연결하며, 상기 소스의 회전에 따라서 상기 검출기를 상하로 이동시키는 암, 상기 암을 지지하는 지지부 및 상기 암을 구동시켜서 상기 대상체의 촬영을 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 X 선 촬영 장치가 개시된다.

公开(公告)号：KR101244681B1

公开(公告)日：2013-03-18

申请号：KR1020060068174

申请日：2006-07-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김정환

IPC: G03G15/06

Abstract: 일방향으로 주행되면서 1차 전사롤러에 의해 상담지체 사이에 형성된 1차 전사닙을 통해 상기 상담지체로부터 화상을 전사받는 전사매체와; 전사매체 상의 화상을 2차 전사닙을 통해 인쇄매체로 전사되도록 하는 2차 전사롤러; 화상의 선단마진을 포함하여 화상데이터의 설정조건이 입력되는 입력부와; 입력된 화상데이터 선단의 농도값을 검출하는 농도 검출부와; 전사매체에 형성된 화상이 2차 전사닙에 도달하는 시점을 감지하는 화상 감지부와; 2차 닙으로 인쇄매체가 진입하는 시점을 감지하는 용지 검출부; 및 용지검출부에 의해 검출된 용지진입 시점과 전사매체 상의 화상의 진입시점을 비교하고, 입력부를 통해 입력된 선단마진과 농도 검출부에서 검출된 농도값을 각각의 대응되는 기준 한계값들과 비교한 결과에 따라서, 프린팅동작을 멈추고 에러메시지를 발생할지를 결정하는 제어부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화상형성장치가 개시된다.
화상형성장치, 전사매체, 상담지체, 전사롤러, 랩잼(Warpjam), 농도, 선단마진

公开(公告)号：KR1020120067694A

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：KR1020100129238

申请日：2010-12-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강운병 ,  최광철 ,  김정환 ,  민태홍 ,  이호진 ,  윤민승

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L23/00 ,  H01L21/683 ,  H01L25/065 ,  H01L27/146 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L21/4835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14618 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/03602 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/06138 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15183 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L21/62 ,  H01L21/67 ,  H01L21/67005 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to increase insulating properties by placing an organic insulating pattern between rewiring patterns and to prevent metal to be diffused into the organic insulating pattern through a seed layer pattern. CONSTITUTION: A through via(9a) passes through a semiconductor substrate. First rewiring patterns(29a, 29b) are electrically connected with the through via. A first organic insulating pattern(25) is placed between the first rewiring patterns. The thickness of the first organic insulating pattern is over 2micrometers. First seed layer patterns(27a, 27b) are placed between the first organic insulating pat and the first rewiring patterns. A first seed layer pattern is placed between the first rewiring patterns and the semiconductor substrate. A first passivation layer covers the first rewiring patterns.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，通过在重新布线图案之间放置有机绝缘图案并防止金属通过晶种层图案扩散到有机绝缘图案中来增加绝缘性能。 构成：通孔（9a）穿过半导体衬底。 第一重新布线图案（29a，29b）与通孔电连接。 第一有机绝缘图案（25）被放置在第一重新布线图案之间。 第一有机绝缘图案的厚度超过2微米。 第一种子层图案（27a，27b）被放置在第一有机绝缘pat和第一重新布线图案之间。 第一种子层图案被放置在第一重新布线图案和半导体衬底之间。 第一钝化层覆盖第一重新布线图案。

公开(公告)号：KR1020120043434A

公开(公告)日：2012-05-04

申请号：KR1020100104732

申请日：2010-10-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정희재 ,  김정환 ,  김소진 ,  정용수

IPC: G06Q50/10 ,  G06Q30/02 ,  G06Q30/06

CPC classification number: G06F17/30038 ,  G06Q30/02 ,  G06Q30/0201 ,  G06Q30/0218 ,  G06Q30/0631

Abstract: PURPOSE: A server, user terminal apparatus, service providing method, and control method thereof are provided to accurately recommend core content to users by analyzing correlation between applications based on a package. CONSTITUTION: A communication unit(110) receives content including one or more content lists. One or more content lists are created by packaging plural content. A extraction unit(120) extracts core content by considering of the package frequency of each content included in one or more content lists. A recommendation unit(130) recommends the predetermined content to a user. A control unit(140) controls the extraction unit in order to recommend the core content extracted by the extraction unit.

Abstract translation: 目的：提供服务器，用户终端设备，服务提供方法及其控制方法，通过分析基于包的应用之间的相关性来准确地向用户推荐核心内容。 构成：通信单元（110）接收包括一个或多个内容列表的内容。 通过包装多个内容来创建一个或多个内容列表。 提取单元（120）通过考虑包含在一个或多个内容列表中的每个内容的包装频率来提取核心内容。 推荐单元（130）向用户推荐预定的内容。 控制单元（140）控制提取单元以推荐提取单元提取的核心内容。

公开(公告)号：KR1020120034473A

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：KR1020100096065

申请日：2010-10-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최주일 ,  이규하 ,  피재현 ,  김정환 ,  민태홍

IPC: H01L23/055 ,  H01L23/045 ,  H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/486 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05599

Abstract: PURPOSE: A method for forming a semiconductor package and a semiconductor package formed thereby are provided to omit an additional process for insulating a substrate and a through electrode by forming the substrate into glass. CONSTITUTION: A wafer forming a plurality of semiconductor chips(100a) is prepared. A first side of a substrate and the wafer are bonded. A through hole(215) is formed through the substrate from a second side of the substrate. The through hole exposes a seed pattern(120). The through electrode(230) is formed in the through hole by using the seed pattern as a seed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成半导体封装的方法和由此形成的半导体封装，以通过将基板形成玻璃来省略用于绝缘基板和通孔的附加工艺。 构成：制备形成多个半导体芯片（100a）的晶片。 衬底的第一面和晶片被接合。 从衬底的第二侧穿过衬底形成通孔（215）。 通孔露出种子图案（120）。 通过使用种子图案作为种子在通孔中形成贯通电极（230）。