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    71.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102008008595A1

    公开(公告)日：2009-06-25

    申请号：DE102008008595

    申请日：2008-02-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK STEFAN

    IPC: H01S5/04 ,  H01S5/022 ,  H01S5/18

    Abstract: A surface emitting semiconductor laser includes a first semiconductor layer sequence, which comprises a pump laser. A second semiconductor layer sequence is arranged on the first semiconductor layer sequence and comprises a vertical emitter. The vertical emitter has a radiation-emitting active layer, a radiation exit side and a connecting side lying opposite the radiation exit side. The pump laser is arranged at the radiation exit side of the vertical emitter and a carrier body is arranged at the connecting side of the vertical emitter. Furthermore, a method for producing a surface emitting semiconductor laser is specified.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    74.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102017115794A1

    公开(公告)日：2019-01-17

    申请号：DE102017115794

    申请日：2017-07-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/22 ,  H01L33/44

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement (1) angegeben, das einen Halbleiterkörper (10), einen ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps und einen aktiven Bereich (103) umfasst. Der aktive Bereich (103)ist zwischen dem ersten Bereich (101) und dem zweiten Bereich (102) angeordnet. Im ersten Bereich (101) des Halbleiterkörpers (10) befindet sich eine Aussparung (160), mit einem an die Aussparung (160) angrenzenden Kontaktbereich (170). Der aktive Bereich (103) ist zur Emission von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet. Der Halbleiterkörper (10) besitzt eine erste Strahlungsaustrittsfläche (10A) an einer dem aktiven Bereich (103) abgewandten Hauptfläche des zweiten Bereich (102), und ein Teil der im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung verlässt den Halbleiterkörper (10) durch diese erste Strahlungsaustrittsfläche (10A). Der Halbleiterkörper (10) weist eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122) auf, wobei die zweite elektrische Anschlussschicht (122) zumindest teilweise in der Aussparung (160) angeordnet ist.Der ersten Strahlungsaustrittsfläche (10A) ist ein strahlungsdurchlässiger Träger (140) nachgeordnet, der mittels einer strahlungsdurchlässigen, Verbindungsschicht (132) mit dem Halbleiterkörper (10) stoffschlüssig verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

    OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS
    75.
    发明专利
    OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN MODULS 未知

    公开(公告)号：DE102012200416B4

    公开(公告)日：2018-03-01

    申请号：DE102012200416

    申请日：2012-01-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  ILLEK STEFAN

    IPC: G02B27/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B27/14

    Abstract: Optoelektronisches Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234) mit: – einem Träger (102), – mindestens zwei an und/oder in dem Träger (102) angeordneten Halbleiterchips (104, 104a1, 104a2, 104b; 106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Emission elektromagnetischer Strahlung (108a; 108b), – einer auf oder in dem Träger (102) angeordneten Abstrahleinheit (110) zur Abstrahlung elektromagnetischer Strahlung (109) aus dem optoelektronischen Modul (202, 204, 206, 208, 210, 212, 214, 216, 218, 220, 222, 224, 226, 228, 230, 232, 234), wobei mindestens einer der Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) von der Abstrahleinheit (110) beabstandet ist, und – einem Wellenleiter (112), der die elektromagnetische Strahlung (108a) des mindestens einen beabstandeten Halbleiterchips (106, 106a1, 106a2, 106b, 106c) zur Abstrahleinheit (110) leitet, wobei die Abstrahleinheit (110) eine Auskoppelstruktur (114, 114a, 114b, 114c) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung (108) aus dem Wellenleiter (112) aufweist, wobei die Abstrahleinheit (110) mindestens einen Halbleiterchip (104, 104a1, 104a2, 104b) aufweist.

    Lichtquelle
    76.
    发明专利
    Lichtquelle 未知

    公开(公告)号：DE102016103264A1

    公开(公告)日：2017-08-24

    申请号：DE102016103264

    申请日：2016-02-24

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MATHY DAVID ,  LINKOV ALEXANDER ,  ILLEK STEFAN ,  BUTENDEICH RAINER

    IPC: F21K9/65 ,  F21K9/61 ,  F21S4/28 ,  F21V5/00 ,  F21V8/00 ,  F21Y103/00 ,  F21Y103/10 ,  F21Y103/30 ,  F21Y115/10 ,  H01L25/075 ,  H01L31/153 ,  H01L33/58 ,  H05B44/00

    Abstract: Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.

    Optoelektronisches Halbleiterbauelement
    80.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102014101492A1

    公开(公告)日：2015-08-06

    申请号：DE102014101492

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED ,  MOOSBURGER JÜRGEN ,  ILLEK STEFAN ,  SINGER FRANK ,  VON MALM NORWIN

    IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit: – einem optoelektronischen Halbleiterchip (2), umfassend – ein Aufwachssubstrat (21) mit einer Aufwachsfläche (21a), – eine auf der Aufwachsfläche (21a) aufgewachsene Schichtenfolge (22) mit einer Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) mit einer aktiven Zone (222), – Kontaktstellen (29) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) und – eine Isolationsschicht (26), die elektrisch isolierend ausgebildet ist – einem Anschlussträger (4), der an der der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Deckfläche (2a) des optoelektronischen Halbleiterchips angebracht ist, wobei – die Halbleiterschichtenfolge (221, 222, 223) elektrisch leitend mit dem Anschlussträger (4) verbunden ist und – auf einer der Aufwachsfläche (21a) abgewandten Bodenfläche (21c) des Aufwachssubstrats (21) und allen Seitenflächen (21b) des Aufwachssubstrats (21) eine Konversionsschicht (5) aufgebracht ist.

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