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公开(公告)号：DE102016106493A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：DE102016106493
申请日：2016-04-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , SABATHIL MATTHIAS , SINGER FRANK
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen (1) angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen eines Verbunds (3) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die einen zur Erzeugung oder zum Empfangen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist; b) Ermitteln einer Position von zumindest einem Defektbereich (4) der Halbleiterschichtenfolge; c) Ausbilden einer Mehrzahl von elektrisch kontaktierbaren Funktionsbereichen (5), die jeweils einen Teil der Halbleiterschichtenfolge aufweisen und frei von einem Defektbereich sind; und d) Vereinzeln des Verbunds in eine Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen, die jeweils zumindest einen der Funktionsbereiche aufweisen. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement angegeben.
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公开(公告)号：DE102016103324A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：DE102016103324
申请日：2016-02-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN
Abstract: Ein Videowand-Modul umfasst eine Mehrzahl von Leuchtdiodenchips, die jeweils an einer Kontaktseite angeordnete erste Kontaktelektroden und zweite Kontaktelektroden aufweisen. Die Leuchtdiodenchips sind an einer Oberseite einer mehrlagigen Leiterplatte angeordnet. Die Kontaktelektroden sind elektrisch leitend mit einer an der Oberseite der Leiterplatte angeordneten ersten Metallisierungslage verbunden.
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公开(公告)号：DE102015111493A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：DE102015111493
申请日：2015-07-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE MARKUS , HÖPPEL LUTZ , MOOSBURGER JÜRGEN , SCHWARZ THOMAS , SABATHIL MATTHIAS , WIRTH RALPH , LINKOV ALEXANDER , BAUR JOHANNES
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
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74.发明专利
公开(公告)号：DE112015000888A5
公开(公告)日：2016-10-27
申请号：DE112015000888
申请日：2015-02-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GÖÖTZ BRITTA , MOOSBURGER JÜRGEN , SINGER FRANK , HÖPPEL LUTZ
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公开(公告)号：DE112015000703A5
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：DE112015000703
申请日：2015-01-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HERRMANN SIEGFRIED , MOOSBURGER JÜRGEN , ILLEK STEFAN , SINGER FRANK , VON MALM NORWIN
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Patent Agency Ranking76.发明专利
公开(公告)号：DE102015105692A1
公开(公告)日：2016-10-20
申请号：DE102015105692
申请日：2015-04-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SPERL MATTHIAS , SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN
Abstract: Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterchip (2), der eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweist, angegeben, wobei – der Halbleiterchip eine Vorderseite (201) und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite (202) aufweist; – das Halbleiterbauelement einen Formkörper (4) aufweist, der zumindest stellenweise an den Halbleiterchip angeformt ist; – das Halbleiterbauelement an einer der Vorderseite des Halbleiterchips gegenüberliegenden Rückseite (12) des Halbleiterbauelements einen thermischen Anschluss aufweist, der sich bis zur Rückseite des Halbleiterchips erstreckt; und – der Halbleiterchip an der Vorderseite zumindest eine elektrische Anschlussfläche (25) aufweist, die über eine auf dem Formkörper verlaufende Kontaktbahn (55) mit einer elektrischen Kontaktfläche (5) des Halbleiterbauelements elektrisch leitend verbunden ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen angegeben.
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公开(公告)号：DE112014004180A5
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：DE112014004180
申请日：2014-08-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , STOLL ION , SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , DIRSCHERL GEORG , HÖPPEL LUTZ
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78.发明专利
公开(公告)号：DE102014106791A1
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：DE102014106791
申请日：2014-05-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： SCHWARZ THOMAS , SINGER FRANK , MOOSBURGER JÜRGEN , BOGNER GEORG , BRUNNER HERBERT , SABATHIL MATTHIAS , MALM NORWIN VON
IPC: H01L25/075 , G02F1/1333 , H01L33/48 , H01L33/54 , H01L33/62
Abstract: Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben, mit – einer Mehrzahl von Halbleiterchips (2), die jeweils eine Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) aufweisen; – einer Strahlungsaustrittsseite (10), die parallel zu den aktiven Bereichen verläuft; – einer Montageseitenfläche (11), die für die Befestigung des Halbleiterbauelements vorgesehen ist und schräg oder senkrecht zur Strahlungsaustrittsseite verläuft; – einem Formkörper (4), der stellenweise an die Halbleiterchips angeformt ist und zumindest bereichsweise die Montageseitenfläche bildet; und – einer Kontaktstruktur (50), die auf dem Formkörper angeordnet ist und zumindest zwei Halbleiterchips der Mehrzahl von Halbleiterchips elektrisch leitend miteinander verbindet. Weiterhin werden eine Beleuchtungsvorrichtung (9) und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements angegeben.
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79.发明专利
公开(公告)号：DE112013004960A5
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：DE112013004960
申请日：2013-10-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN , HÖPPEL LUTZ , VON MALM NORWIN
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公开(公告)号：DE112013004556A5
公开(公告)日：2015-05-28
申请号：DE112013004556
申请日：2013-09-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JÜRGEN
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , H01L33/62
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