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公开(公告)号:TWI488990B
公开(公告)日:2015-06-21
申请号:TW098112674
申请日:2009-04-16
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 李 東 , LI, DONG , 馬庫斯 史蒂芬 , MARCUS, STEVEN , 賀加 蘇維P , HAUKKA, SUVI P. , 林偉民 , LI, WEI-MIN
IPC: C23C16/32 , H01L21/283
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/45527 , H01L21/28088 , H01L21/28273 , H01L21/28562 , H01L21/76843 , H01L29/4966
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公开(公告)号:TWI443713B
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW097141223
申请日:2008-10-27
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 托馬西尼 皮爾瑞 , TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 , CODY, NYLES
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/22
CPC classification number: H01L29/167 , C23C16/04 , C23C16/22 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636
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公开(公告)号:TWI443221B
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:TW096139836
申请日:2007-10-24
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 艾爾斯 凱 艾瑞克 , ELERS, KAI-ERIK , 威爾克 葛嵐 , WILK, GLEN , 馬庫斯 史蒂芬 , MARCUS, STEVEN
IPC: C23C16/32
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/515
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公开(公告)号:TWI412063B
公开(公告)日:2013-10-11
申请号:TW095101879
申请日:2006-01-18
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 馬伊夫 維基 , VERGHESE, MOHITH , 雪洛 艾立克 , SHERO, ERIC , 貝比克 達寇 , BABIC, DARKO , 特后司特 赫伯特 , TERHORST, HERBERT , 沛薩 瑪寇 , PEUSSA, MARKO , 洋 敏 , YAN, MIN
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , C30B25/14
CPC classification number: H01L21/68785 , C23C16/4408 , C23C16/455 , C23C16/45517 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45563 , C23C16/45582 , C23C16/45587 , C23C16/45591 , C23C16/458 , C23C16/4582 , C23C16/4583 , C23C16/4586 , C30B35/00 , H01L21/67236 , H01L21/68714 , H01L21/68742
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公开(公告)号:TWI410515B
公开(公告)日:2013-10-01
申请号:TW096141030
申请日:2007-10-31
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 艾爾斯 凱 艾瑞克 , ELERS, KAI-ERIK
IPC: C23C16/32
CPC classification number: C23C16/32 , C23C16/45527 , C23C16/45534 , C23C16/45542
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86.沉積摻雜碳之磊晶半導體層之方法、沉積半導體材料的方法與裝置及在反應腔室中之基板上形成電晶體設備之方法 有权
Simplified title: 沉积掺杂碳之磊晶半导体层之方法、沉积半导体材料的方法与设备及在反应腔室中之基板上形成晶体管设备之方法公开(公告)号:TWI405248B
公开(公告)日:2013-08-11
申请号:TW095147892
申请日:2006-12-20
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 波爾 麥特喜愛斯 , BAUER, MATTHIAS
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639
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公开(公告)号:TWI397110B
公开(公告)日:2013-05-21
申请号:TW095108719
申请日:2006-03-15
Applicant: ASM美國股份有限公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor: 努頓 莎貝之聖E 凡 , NOOTEN, SEBASTIAN E. VAN , 梅斯 強 威廉 , MAES, JAN WILLEM , 馬庫斯 史蒂芬 , MARCUS, STEVEN , 威爾克 格蘭 , WILK, GLEN , 拉薩內尼 佩托 , RAISANEN, PETRI , 艾爾斯 凱 艾瑞克 , ELERS, KAI-ERIK
IPC: H01L21/20 , H01L21/8242
CPC classification number: H01J37/32082 , C23C16/045 , C23C16/403 , C23C16/448 , C23C16/45519 , C23C16/45525 , C23C16/45542 , C23C16/45565 , C23C16/50 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/3244 , H01J37/32935 , H01L21/02178 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3162 , H01L29/66181
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88.選擇性沉積含矽膜之方法 METHODS OF SELECTIVELY DEPOSITING SILICON-CONTAINING FILMS 审中-公开
Simplified title: 选择性沉积含硅膜之方法 METHODS OF SELECTIVELY DEPOSITING SILICON-CONTAINING FILMS公开(公告)号:TW200931499A
公开(公告)日:2009-07-16
申请号:TW097141223
申请日:2008-10-27
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor: 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 CODY, NYLES
CPC classification number: H01L29/167 , C23C16/04 , C23C16/22 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636
Abstract: 提供一種選擇性沉積單晶膜的方法。此方法包括:提供基底,此基底包括具有第一表面形態的第一表面與具有第二表面形態的第二表面,其中第二表面形態不同於第一表面形態。將矽前驅體與三氯化硼互混,形成原料氣。在化學氣相沉積條件下,將此原料氣輸送到基底。藉由引進原料氣,在第一表面上選擇性沉積含矽層,而不在第二表面上沉積含矽層。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种选择性沉积单晶膜的方法。此方法包括:提供基底,此基底包括具有第一表面形态的第一表面与具有第二表面形态的第二表面,其中第二表面形态不同于第一表面形态。将硅前驱体与三氯化硼互混,形成原料气。在化学气相沉积条件下,将此原料气输送到基底。借由引进原料气,在第一表面上选择性沉积含硅层,而不在第二表面上沉积含硅层。
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公开(公告)号:TW200925317A
公开(公告)日:2009-06-16
申请号:TW097132391
申请日:2008-08-25
Applicant: ASM美洲公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor: 邁克 賀賓 HALPIN, MIKE , 麥特 古德曼 GOODMAN, MATT
CPC classification number: G01K7/04 , G05D23/1931 , G05D23/22
Abstract: 本發明提供一種量測於化學氣相沉積反應器中被處理之基板鄰近位置的溫度之熱偶器。熱偶器包含具有量測尖端之護套。熱偶器亦包含置於護套中之支撐管。熱偶器更包含由支撐管所支撐之第一及第二接線。第一及第二接線由不同金屬形成。接面形成於第一及第二接線之間,其中接面位於鄰近支撐管之遠端。彈簧置於支撐管之部分附近。彈簧受壓縮以施加彈簧力於支撐管,以使接面偏向量測尖端,而使接面連續接觸量測尖端。彈簧力夠小到使接面避免顯著變形,以及降低熱偶器彼此間的彈簧力或接面位置的變異。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种量测于化学气相沉积反应器中被处理之基板邻近位置的温度之热偶器。热偶器包含具有量测尖端之护套。热偶器亦包含置于护套中之支撑管。热偶器更包含由支撑管所支撑之第一及第二接线。第一及第二接线由不同金属形成。接面形成于第一及第二接线之间,其中接面位于邻近支撑管之远程。弹簧置于支撑管之部分附近。弹簧受压缩以施加弹簧力于支撑管,以使接面偏矢量测尖端,而使接面连续接触量测尖端。弹簧力够小到使接面避免显着变形,以及降低热偶器彼此间的弹簧力或接面位置的变异。
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公开(公告)号:TW200907310A
公开(公告)日:2009-02-16
申请号:TW097118365
申请日:2008-05-19
Applicant: ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor: 雅可布斯 勞恩 JACOBS, LOREN , 海爾賓 邁克 HALPIN, MIKE
Abstract: 一種熱偶,具有經組態以收納由不同金屬形成的一對線之支撐管。熱偶之所述對線在鄰近支撐管的一個末端之接頭處連接。熱偶更包括附著至支撐管之相對末端的罩蓋,其中罩蓋收納所述對線之自由端。罩蓋允許所述對線自由地平移穿過罩蓋以適應所述對線之熱膨脹及收縮相對於支撐管之熱膨脹及收縮的差異。
Abstract in simplified Chinese: 一种热偶,具有经组态以收纳由不同金属形成的一对线之支撑管。热偶之所述对线在邻近支撑管的一个末端之接头处连接。热偶更包括附着至支撑管之相对末端的罩盖,其中罩盖收纳所述对线之自由端。罩盖允许所述对线自由地平移穿过罩盖以适应所述对线之热膨胀及收缩相对于支撑管之热膨胀及收缩的差异。
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