公开(公告)号：KR1020170070693A

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：KR1020150178523

申请日：2015-12-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태연 ,  공주영 ,  나경원 ,  안정착 ,  이명원

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/307 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14665 ,  H01L27/14689 ,  H01L51/441 ,  H01L51/447 ,  Y02E10/549

Abstract: 본발명의기술적사상에의한이미지센서는, 제1 면및 상기제1 면과대향하며빛이입사되는제2 면을포함하는기판; 상기기판내에형성된반도체광전변환소자; 상기기판내의상기제1 면과상기반도체광전변환소자사이에서, 상기제1 면과수직한제1 방향으로연장되는게이트전극; 및상기기판의상기제2 면상에적층되는유기(organic) 광전변환소자;를포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明的一个方面，提供了一种图像传感器，包括：衬底，包括第一表面和与所述第一表面相对并且光入射到其中的第二表面; 形成在基板上的半导体光电转换元件; 栅电极，在与所述第一面垂直的第一方向上，在所述基板的所述第一面与所述半导体光电转换元件之间延伸; 以及堆叠在衬底的第二表面上的有机光电转换元件。

公开(公告)号：KR1020170018206A

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：KR1020150111356

申请日：2015-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오영선 ,  안정착 ,  정영우

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14614 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 본발명의실시형태에따른이미지센서는, 복수의픽셀영역이정의되는반도체기판, 상기복수의픽셀영역각각에서상기반도체기판의내부에마련되는포토다이오드(Photo Diode, PD), 적어도일부영역이상기반도체기판내에매립되어상기포토다이오드에수직하는방향으로연장되는전송게이트전극을갖는전송트랜지스터, 및상기전송트랜지스터에의해상기포토다이오드로부터전달되는전하를축적하며, 상기전송게이트전극을기준으로서로다른방향에배치되는제1 영역및 제2 영역을포함하는플로팅디퓨전을포함한다,

Abstract translation: 提供了包括图像传感器的图像传感器和图像处理装置。 图像传感器可以包括包括多个像素区域的半导体衬底，设置在多个像素区域中的一个像素区域中的半导体衬底中的光电二极管和具有传输栅电极的传输晶体管。 传输栅电极的一部分可以在半导体衬底中并且可以朝着光电二极管延伸。 图像传感器还可以包括浮置扩散，其被配置为累积由传输晶体管从光电二极管传送的电荷，并且浮动扩散可以包括设置在传输栅电极的不同侧上的第​​一区域和第二区域。

公开(公告)号：KR101648200B1

公开(公告)日：2016-08-12

申请号：KR1020090100581

申请日：2009-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  구준모 ,  문창록 ,  박윤동 ,  배대록 ,  안정착 ,  홍성권 ,  김석필 ,  오훈상

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14641 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/82

Abstract: 이미지센서및 그제조방법에서, 이미지센서는리셋트랜지스터, 변환트랜지스터및 선택트랜지스터가형성된제1 기판이구비된다. 상기제1 기판상에, 상기리셋트랜지스터, 변환트랜지스터및 선택트랜지스터를덮는제1 실리콘산화막이구비된다. 포토다이오드, 전송트랜지스터및 플로팅확산영역이형성된제2 기판이구비된다. 상기포토다이오드, 전송트랜지스터및 플로팅확산영역을덮는형상을갖고, 표면부위가상기제1 실리콘산화막의상부면과본딩된제2 실리콘산화막이구비된다. 상기제2 기판및 제2 실리콘산화막을관통하고, 계속하여상기제1 실리콘산화막의일부를관통하는콘택플러그를포함한다. 상기이미지센서는고집적화되고고성능을갖는다.

公开(公告)号：KR1020160094471A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：KR1020150014801

申请日：2015-01-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 엄창용 ,  정영우 ,  안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

Abstract: 이미지센서및 이를제조하는방법을제공한다. 이미지센서는, 기판, 기판에배치된제1 분리패턴과, 광전변환부과, 광전하저장부과, 광전변환부및 광전하저장부사이에배치된제2 분리패턴, 기판의후면상에서광전하저장부를덮는차폐부및 차폐부및 기판사이에배치되는반사방지막을포함한다. 차폐부는제1 분리패턴에대응되는기판내부로돌출된돌출부와, 돌출부로부터기판의후면으로연장하는연장부를포함한다. 반사방지막은돌출부및 연장부사이에오버행구조를갖는다.

Abstract translation: 提供了一种图像传感器及其制造方法。 图像传感器包括：基板; 放置在基板上的第一分离图案; 光电转换单元; 光电存储单元; 放置在光电转换单元和光电荷存储单元之间的第二分离图案; 覆盖在所述基板的背面上的所述光电荷存储单元的屏蔽单元; 以及放置在屏蔽单元和基板之间的防反射膜。 屏蔽单元包括：突出单元，其朝向与第一分离图案对应的基板的内部突出; 以及从所述突出单元向所述基板的背面延伸的延伸单元。 防反射膜在突出单元和延伸单元之间具有突出结构。

公开(公告)号：KR1020160088471A

公开(公告)日：2016-07-26

申请号：KR1020150007292

申请日：2015-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최혁순 ,  윤정빈 ,  안정착

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14638 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14665

Abstract: 본발명에따른이미지센서는단위픽셀들을갖는기판을포함할수 있다. 상기단위픽셀들각각은상기기판내에제공되는복수의광전소자부들및 복수의저장소자부들을포함할수 있다.

Abstract translation: 根据本发明，图像传感器包括具有单位像素的基板。 每个单位像素包括多个光电元件单元和设置在该基板内的多个存储元件单元。 因此，图像传感器可以具有高分辨率。

公开(公告)号：KR1020160017623A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：KR1020150109744

申请日：2015-08-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  이경호 ,  정영우 ,  나승주 ,  박해용

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762

Abstract: BSI(backside illuminated) 이미지센서의픽셀은제1표면과제2표면을포함하는반도체기판과, 상기제1표면과상기제2표면사이에형성되고, 상기제2표면을통해수신되는입사광에응답하여전하들을생성하는광전변환영역과, 상기광전변환영역을에워싸고상기제2표면으로부터수직으로확장된제1트랜치-타입고립영역들과, 상기반도체기판내에서상기광전변환영역의아래(below)에형성된플로팅디퓨전영역과, 상기제1표면으로부터상기광전변환영역으로수직으로확장되고, 상기광전변환영역의상기전하들을상기플로팅디퓨전영역으로전송하는전송게이트를포함하고, 상기제1트랜치-타입고립영역들은네가티브전하물질을포함한다.

Abstract translation: 背面照明（BSI）图像传感器的像素包括：半导体衬底，包括第一表面和第二表面; 光电转换区域，形成在所述第一表面和所述第二表面之间，并被配置为响应于通过所述第二表面接收的入射光而产生电荷; 第一沟槽型隔离区域，被配置为围绕光电转换区域并从第二表面垂直延伸; 形成在所述半导体衬底中的所述光电转换区域的下方的浮动扩散区域; 以及从所述第一表面垂直延伸到所述光电转换区域并且被配置为将所述光电转换区域的电荷传输到所述浮动扩散区域的传输门。 第一沟槽型隔离区域包括负电荷材料。

公开(公告)号：KR1020150000250A

公开(公告)日：2015-01-02

申请号：KR1020130072469

申请日：2013-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오민석 ,  공해경 ,  이한수 ,  김태찬 ,  안정착 ,  임무섭

IPC: H04N5/357

CPC classification number: H04N3/155 ,  G01S17/89 ,  H04N5/3745 ,  H04N5/37452

Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 단위 픽셀은 단위 광신호에 응답하여, 광 노드에 전기 신호를 생성하기 위한 포토 다이오드, 상기 광 노드로부터 상기 전기 신호를 수신하고, 상기 수신된 전기 신호에 응답하여, 외부 단자로 제 1 및 제 2 프레임 신호들을 출력하는 출력부, 상기 광 노드 및 전원 단자 사이에 전기적으로 연결되고, 상기 제 1 및 제 2 프레임 신호들이 상기 외부 단자로 출력될 때, 상기 광 노드에 생성된 상기 전기 신호를 상기 전원 단자로 방전시키는 방전부를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，本发明涉及一种单位像素和一种包括该像素的图像传感器，包括：光电二极管，其响应于单位光信号而向光节点产生电信号; 输出单元，其从所述光学节点接收电信号，并响应于所接收的电信号输出第一和第二帧信号; 以及放电单元，当第一和第二帧信号被输出到外部端子时，连接到光节点和电源端子电并且将向光节点产生的电信号放电到电源端子。 本发明通过使用全局快门方法来减少单位像素的耦合。

公开(公告)号：KR1020140147508A

公开(公告)日：2014-12-30

申请号：KR1020130070886

申请日：2013-06-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이태헌 ,  정희근 ,  박병준 ,  박은경 ,  안정착 ,  이덕형 ,  최계훈

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: An image sensor includes photodetectors, and trench isolations which separate photodetectors, respectively. Each of the trench isolations includes films which have multilayer structures.

Abstract translation: 图像传感器包括光电检测器和分离光电探测器的沟槽隔离。 每个沟槽隔离物包括具有多层结构的膜。

公开(公告)号：KR1020140141390A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：KR1020130063111

申请日：2013-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착 ,  장동영

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14625 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/1462

Abstract: Disclosed are an image sensor and an imaging device including the same. In the image sensor according to the embodiment of the present invention, the full well capacity of an optical sensing device located on the edge of a pixel array is smaller than the full well capacity of the optical sensing device located in the center of the pixel array. Also, an image signal processor of the imaging device according to the embodiment of the present invention compensates the influence of lens shading or the full well capacity of the optical sensing device.

Abstract translation: 公开了一种图像传感器和包括该图像传感器的成像装置。 在根据本发明的实施例的图像传感器中，位于像素阵列边缘的光学感测装置的全部阱容量小于位于像素阵列中心的光学感测装置的全部阱容量 。 此外，根据本发明的实施例的成像装置的图像信号处理器补偿了光学感测装置的透镜阴影或全部容量的影响。

公开(公告)号：KR1020130141984A

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：KR1020120065164

申请日：2012-06-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안정착

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14818 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464

Abstract: An image sensor is disclosed. The image sensor includes: a semiconductor layer which includes a plurality of unit pixels which include a photoelectric conversion device and reading devices; and an insulation layer which includes a light shielding pattern which defines a light receiving area and a light shielding area on the semiconductor layer and covers one side of the semiconductor layer. The semiconductor layer is formed near an interface between the insulation layer and the semiconductor layer in the light shielding area and further includes a potential drain area in which electrons generated by defects near the interface are accumulated. At least one unit pixel in the light shielding area provides the drain path of the electrons which are accumulated in the potential drain area.

Abstract translation: 公开了一种图像传感器。 图像传感器包括：包括多个单位像素的半导体层，包括光电转换装置和读取装置; 以及绝缘层，其包括限定了所述半导体层上的受光面积和遮光区域并覆盖所述半导体层的一侧的遮光图案。 半导体层形成在遮光区域中的绝缘层和半导体层之间的界面附近，并且还包括其中积聚有界面附近的缺陷产生的电子的电位漏区。 遮光区域中的至少一个单位像素提供积聚在电位漏区域中的电子的漏极路径。