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公开(公告)号：KR101650025B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020100002838
申请日：2010-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
Abstract: 커패시터형성방법및 이를이용한디램소자제조방법에서, 상기커패시터를형성하기위하여기판상에제1 절연물질을사용하여상부면에트렌치가생성된제1 몰드막패턴을형성한다. 상기트렌치내부에상기제1 절연물질과식각선택성을갖는제2 절연물질을사용하여지지막패턴을형성한다. 상기제1 몰드막패턴및 지지막패턴상에제2 몰드막을형성한다. 상기제2 몰드막및 제1 몰드막패턴을관통하고, 상기지지막패턴에의해지지되는하부전극을형성한다. 상기제1 몰드막패턴및 제2 몰드막을선택적으로제거한다. 상기하부전극및 지지막패턴상에유전막및 상부전극을형성한다. 상기방법에의하면, 안정적인구조의커패시터를형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020150116017A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140040043
申请日：2014-04-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02101 , H01L21/02057 , H01L21/76224 , H01L27/10852 , H01L27/11582
Abstract: 반도체소자의세정및 건조방법및 이를이용하는반도체소자의제조방법을제공한다. 세정및 건조방법은기판상에패턴을형성하고, 패턴이형성된기판을세정액을이용하여세정하며, 세정액이잔류하는패턴이형성된기판을건조챔버내에로딩하고, 패턴이형성된기판에잔류하는세정액의농도가 2중량%이하로희석되도록건조챔버로초임계상태의이산화탄소(CO)를주입하는것을포함한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件的清洁和干燥方法，以及使用其制造半导体的方法。 清洗和干燥方法在基材上形成图案，使用清洁溶液清洗具有图案的基板，将具有图案的基板用剩余的清洁溶液装载到干燥室，并将超临界状态的CO 2插入干燥 将剩余的清洗液的浓度稀释至2重量％以下。
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公开(公告)号：KR1020150000548A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：KR1020130072474
申请日：2013-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68728 , H01L21/6875
Abstract: 본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 처리시 기판을 지지하는 지지부재; 상기 지지부재의 상부를 감싸도록 제공되는 용기; 상기 지지부재에 위치된 기판으로 처리액을 스프레이 방식으로 분사하는 노즐을 갖는 노즐부재; 및 상기 노즐에 배관으로 연결되어 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛을 포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及能够有效地干燥基板的基板处理装置。 根据本发明的一个实施例的基板处理装置包括一个在一个工艺中支撑该基板的支撑件，一个围绕支撑件上侧的容器，一个喷嘴构件，该喷嘴构件包括喷嘴， 溶液通过喷射方法位于支撑构件上的基板上;以及处理液供给单元，其通过管连接到喷嘴并供给处理溶液。
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84.发明公开
公开(公告)号：KR1020140112638A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130026254
申请日：2013-03-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67051 , H01L21/6708
Abstract: Disclosed herein is a substrate processing system. The substrate processing system comprises a processing apparatus using a supercritical fluid, and a supplying apparatus supplying the supercritical fluid to the processing apparatus. The processing apparatus comprises the following parts: a supercritical processing area for the substrate that uses the supercritical fluid; a pre-supercritical processing area causing the supercritical processing area into a supercritical state, wherein the supercritical fluid is provided to the supercritical processing area after the supercritical fluid expands.
Abstract translation: 本文公开了一种基板处理系统。 基板处理系统包括使用超临界流体的处理装置和向处理装置供应超临界流体的供给装置。 处理装置包括以下部分：使用超临界流体的基板的超临界处理区域; 超临界处理区域，使超临界处理区域成为超临界状态，其中超临界流体在超临界流体膨胀之后被提供给超临界处理区域。
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公开(公告)号：KR1020130072512A
公开(公告)日：2013-07-02
申请号：KR1020110139972
申请日：2011-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode package and a light emitting diode packaging manufacturing method are provided to coat a wire with an insulating material, thereby preventing the electrical failure. CONSTITUTION: A package body (10) has a chip mounting area (16) which is surrounded by a sidewall (15). A first and a second lead frames (30,31) are arranged from side to side with a constant interval to keep from contacting each other. A light emitting diode (40) is mounted on an area exposed to the chip mounting area among the first lead frame. A wire (50) connects the second lead frame and the light emitting diode. A lens (20) is arranged on the light emitting diode.
Abstract translation: 目的：提供发光二极管封装和发光二极管封装制造方法以用绝缘材料涂覆导线，从而防止电气故障。 构成：包装体（10）具有由侧壁（15）包围的芯片安装区域（16）。 第一和第二引线框架（30,31）以一定间隔从一侧到另一侧布置以保持彼此接触。 发光二极管（40）安装在第一引线框架中暴露于芯片安装区域的区域上。 线（50）连接第二引线框和发光二极管。 透镜（20）布置在发光二极管上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110082901A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：KR1020100002838
申请日：2010-01-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L49/02
CPC classification number: H01L27/10847 , H01L27/10805 , H01L28/40
Abstract: PURPOSE: A method for forming a capacitor and a method for manufacturing a dram device using the same are provided to adjust the thicknesses of mold films, thereby easily changing the location of a support film pattern. CONSTITUTION: A first mold film pattern includes a trench on a substrate(100). A supporting film pattern(116) is formed in the trench using a second insulating material. A second mold film is formed on the first mold film pattern and the supporting film pattern. A lower electrode(112) contacts a sidewall of the supporting film pattern. A dielectric film(118) and an upper electrode(120) are formed on the lower electrode and the supporting film pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种形成电容器的方法和使用该电容器的电容器的制造方法，以调节模具膜的厚度，从而容易地改变支撑膜图案的位置。 构成：第一模具薄膜图案包括在基底（100）上的沟槽。 使用第二绝缘材料在沟槽中形成支撑膜图案（116）。 在第一模具薄膜图案和支撑薄膜图案上形成第二模具薄膜。 下电极（112）接触支撑膜图案的侧壁。 在下电极和支撑膜图案上形成介电膜（118）和上电极（120）。
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公开(公告)号：KR1020070113096A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：KR1020070001514
申请日：2007-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 부경대학교 산학협력단
IPC: H01L21/302
Abstract: An etching, cleaning and drying method using supercritical fluid is provided to eliminate etch byproducts while preventing a lower electrode from collapsing in a process for fabricating a capacitor constituting a memory cell of a DRAM device. A material is formed(S10). The material layer is etched by using supercritical carbon dioxide in which etching chemical is melted(S11). Etch byproducts generated from a reaction of the material layer and the etch chemical are eliminated by using supercritical carbon dioxide in which cleaning chemical is melted(S12). The process for etching the material layer and the process for removing the etch byproducts can be continuously performed in the same process chamber in a critical point of carbon dioxide or higher.
Abstract translation: 提供了使用超临界流体的蚀刻，清洁和干燥方法以消除蚀刻副产物，同时防止在用于制造构成DRAM器件的存储器单元的电容器的制造工艺中下电极塌缩。 形成材料（S10）。 通过使用其中蚀刻化学品熔化的超临界二氧化碳蚀刻材料层（S11）。 通过使用其中清洗化学品熔化的超临界二氧化碳来消除由材料层和蚀刻化学品的反应产生的蚀刻副产物（S12）。 用于蚀刻材料层的方法和用于除去蚀刻副产物的方法可以在二氧化碳或更高的临界点的相同处理室中连续进行。
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公开(公告)号：KR1020060088733A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009683
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/91 , H01L27/10852
Abstract: 하부전극의 기울어짐(leaning)이나 전기적인 쇼트(short)를 방지할 수 있는 커패시터의 제조방법에 대해 개시한다. 그 방법은 몰드산화막의 상부에 하부의 콘택플러그를 중심으로 연결되는 메쉬 형태의 브릿지용 절연막을 형성한 다음, 몰드산화막과 브릿지용 절연막을 식각하여 전극영역을 한정한 후, 몰드산화막과 브릿지용 절연막의 식각선택비가 500 이상인 식각기체를 이용하여 몰드산화막을 제거하는 것을 포함한다.
하부전극, 브릿지용 절연막, 몰드산화막, 식각선택비-
公开(公告)号：KR1020060066370A
公开(公告)日：2006-06-16
申请号：KR1020040104951
申请日：2004-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133528 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/136227
Abstract: 단일 셀갭을 가지면서도 이중 셀갭과 동일한 특성을 갖는 어레이 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 액정표시패널이 개시된다. 어레이 기판은 스위칭 소자, 절연층, 화소 전극, 반사판 및 이너 편광자층을 포함한다. 스위칭 소자는 기판의 반사 영역에 형성된다. 절연층은 기판과 스위칭 소자를 커버하되, 스위칭 소자의 드레인 전극을 노출시키는 홀이 형성된다. 화소 전극은 홀을 경유하여 스위칭 소자와 전기적으로 연결된다. 반사판은 화소 전극을 커버하면서 반사 영역에 형성된다. 이너 편광자층은 반사판에 대응하여 형성된다. 이에 따라, 액정표시패널 내부의 반사영역에만 이너 편광자층을 선택적으로 형성하므로써, 단일 셀갭을 바탕으로 화이트 휘도 및 콘트라스트 비율을 확보할 수 있다.
액정, 반사, 투과, 반투과, 내장, 편광자, 단일 셀갭-
公开(公告)号：KR1020060046972A
公开(公告)日：2006-05-18
申请号：KR1020040092524
申请日：2004-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133528 , G02F1/133553 , G02F1/1396 , G02F2001/133531
Abstract: 향상된 대비비와 색 재현성을 갖는 표시패널 및 이를 갖는 액정표시장치가 개시된다. 어레이 기판은 액정층의 일측에 대응하여 배치되되, 반사 영역과 투과 영역을 갖는 제1 투명 기판과, 제1 투명 기판 상에 형성된 스위칭 소자와, 스위칭 소자에 연결된 화소 전극과, 반사 영역에 형성된 반사판과, 화소 전극과 반사판을 커버하는 제1 이너 편광자를 구비한다. 컬러필터 기판은 액정층의 타측에 대응하여 배치되되, 제2 투명 기판과, 제2 투명 기판 상에 형성된 제2 이너 편광자와, 제2 이너 편광자를 커버하는 컬러필터와, 컬러필터를 커버하는 인터널 편광자를 구비한다. 이에 따라, 어레이 기판 및 컬러필터 기판 내부에 이너 편광자를 각각 형성하고, 액정층과 컬러필터 기판 사이에 인터널 편광자를 형성하므로써, 대비비와 색 재현성을 높일 수 있다.
액정, 편광자, 반사, 투과, 블랙, 휘도, 색재현율
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