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公开(公告)号：KR101364364B1
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
公开(公告)号：KR101328800B1
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020110091469
申请日：2011-09-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/46 , H01L21/205 , H01L21/3065
Abstract: 다중 주파수의 펄스 파워를 이용한 펄스 플라즈마의 특성 제어 방법이 개시된다. 플라즈마 발생 장치의 소스 전극부 및/또는 바이어스 전극부에 다중 주파수의 RF 펄스 파워를 인가하여 펄스 플라즈마를 형성하며, 인가되는 2 이상의 RF 파워의 펄싱 여부, 주기 및 듀티비(duty ratio)를 변화시켜 펄스의 주기 및 듀티비(duty ratio)를 조절함으로써 각 공정에 적합하도록 펄스 플라즈마의 특성을 제어할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120124702A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：KR1020110042515
申请日：2011-05-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/12
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode with an increased light emitting layer area and a manufacturing method thereof are provided to prevent the increase in contact resistance by improving the uniformity of doping a p-type clad layer. CONSTITUTION: An n-type clad layer(300) is laminated on a substrate(100). An active layer(500) is laminated on the n-type clad layer. A p-type clad layer(600) is laminated on the active layer. The upper part of the n-type clad layer includes a micro scale pattern. A first buffer layer(200) is laminated between the substrate and the n-type clad layer.
Abstract translation: 目的：提供具有增加的发光层面积的发光二极管及其制造方法，以通过改善p型覆盖层的掺杂均匀性来防止接触电阻的增加。 构成：在基板（100）上层叠n型覆盖层（300）。 在n型覆盖层上层叠有源层（500）。 在有源层上层叠p型覆盖层（600）。 n型覆盖层的上部包括微尺度图案。 第一缓冲层（200）层叠在基板和n型覆盖层之间。
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公开(公告)号：KR101188506B1
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110098285A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017829
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 중성빔을 이용하여 표면 조도를 향상시키는 표면 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔을 이용한 표면 처리 방법은 피처리 기판을 반응 챔버의 스테이지에 안착시키는 단계; 및 상기 반응 챔버 상부의 중성빔 공급부를 통하여 상기 피처리 기판에 대하여 경사지도록 중성빔을 조사하는 단계를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110098276A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017816
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 반사체를 사용하지 않고 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화를 통해 중성빔 효과를 얻을 수 있는 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF가 온 상태인 구간에서는 양이온을 추출하고, RF가 오프 상태인 구간에서는 음이온을 추출하여 이온이 전기적으로 중성화되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 중성화 효과를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있고 이로 인해 중성화 반응에서 반사판으로 인해 발생할 수 있는 오염 등을 사전에 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100948951B1
公开(公告)日：2010-03-23
申请号：KR1020070071274
申请日：2007-07-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 확장형 파워전극을 구비한 대기압 플라즈마 발생장치에 관한 것으로, 가스 유입구를 구비한 챔버와; 챔버의 중앙에 설치되는 중앙 그라운드 전극과; 챔버 내에 중앙 그라운드 전극의 양측으로 이격되어 상기 중앙 그라운드 전극과 대향하도록 설치되며, 하부 그라운드 전극에 대향하여 챔버의 중심방향에서 측면방향으로 연장된 형상의 하부면을 구비하는 제1 및 제2 측면 파워전극과; 상기 중앙 그라운드 전극과 제1 및 제2 측면 파워전극의 하측에, 발생된 플라즈마를 챔버의 외부로 분사하는 플라즈마 분사구가 형성된 하부 그라운드 전극을 구비하여, 챔버 내에 가스공급과 함께 전원이 인가됨에 따라, 상기 제1, 2 측면 파워전극과 중앙 그라운드 전극 및 하부 그라운드 전극 사이의 공간에 발생된 플라즈마가 하부 그라운드 전극의 플라즈마 분사구를 통해 외부로 분사되도록 구성되는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 구성을 구비함으로써, 소량의 식각가스를 이용하여 대기압 상태에서 대면적 플라즈마를 높은 밀도로 균일하게 발생시킬 수 있으며, 플라즈마 분사길이가 향상된 대기압 플라즈마 발생장치를 제공할 수 있게 된다.
대기압 플라즈마, 고밀도 플라즈마, 리사이클 시스템, 하부 그라운드 전극, 플라즈마 분사구-
公开(公告)号：KR100919763B1
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：KR1020080012135
申请日：2008-02-11
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01J37/30 , H01J37/317
CPC classification number: H01L21/31155 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/28282
Abstract: 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 낮은 에너지로 산화막 표면을 반복 처리해줌으로써 산화막의 전기적 손상을 최소화하면서 박막 특성을 향상시킬 수 있는 중성빔을 이용하여 기판의 특성향상을 위한 중성빔 표면 조성 혼입(incorporation)장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온 소스부, 상기 이온 소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 상기 피처리 기판에서 산화막 형성과 중성빔 처리를 반복적으로 실행하여 상기 산화막의 특성을 개질하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 기판의 표면조성 혼입 장치 및 방법을 이용하는 것에 의해, 기존의 MOSFET 뿐 아니라, SONOS, TANOS 등과 같은 차세대 반도체 소자의 산화막 특성 향상에 전반적으로 사용할 수 있는 장비 및 공정 기술을 향상시킬 수 있다.
이온, 소스, 중성빔, 개질-
公开(公告)号：KR1020090079696A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005854
申请日：2008-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H05H1/26 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32183 , H01J37/32431 , H01J37/32715 , H01Q1/366 , H05H1/46 , H05H2001/2412 , H05H2001/4667 , H05H2001/4682
Abstract: A plasma processing apparatus having linear antennas is provided to improve density uniformity of plasma by changing a thickness of a dielectric for surrounding the linear antenna. A plasma processing apparatus having linear antennas includes a reaction chamber(110), a substrate supporting plate(120), linear antennas(132), an RF power source(138), and a dielectric(142). The substrate supporting plate is installed in a lower side of the inside of the reaction chamber in order to support a substrate to be processed. The linear antennas are used for inducing electric field to generate electric field. The linear antennas are installed in parallel to each other at an upper side of the inside of the reaction chamber. The RF power source is connected to the linear antennas in order to supply RF power to the linear antennas. The dielectric is formed to surround each of the linear antennas. The thickness of the dielectric is gradually reduced from a RF power input terminal of each linear antenna to a grounding terminal(132b).
Abstract translation: 提供具有线性天线的等离子体处理装置，通过改变用于包围线状天线的电介质的厚度来改善等离子体的密度均匀性。 具有线性天线的等离子体处理装置包括反应室（110），基板支撑板（120），线性天线（132），RF电源（138）和电介质（142）。 基板支撑板安装在反应室内侧的下侧，以便支撑待处理的基板。 线性天线用于感应电场以产生电场。 线性天线在反应室内部的上侧彼此平行地安装。 RF电源连接到线性天线，以便向线性天线提供RF功率。 电介质形成为围绕每个线性天线。 电介质的厚度从每个线性天线的RF功率输入端逐渐减小到接地端子（132b）。
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公开(公告)号：KR1020090008001A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：KR1020070071274
申请日：2007-07-16
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32458 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J37/32577 , H01J37/32834
Abstract: An atmospheric pressure plasma system with an extended power electrode is provided to prevent a surface damage of an object due to minute streamer and arcing under an atmosphere pressure and generate plasma with a large area and high density by using an amount of etching gas. A chamber(40) includes an gas inlet(401) for the inflow of a reactive gas or an atmosphere gas by being connected to an external gas supply unit. A central ground electrode(100) is installed in the center of the chamber(400) as both sides electrode. A first side surface power electrode(201) and a second side power electrode(202) are installed in both sides of the central ground electrode with the predetermined interval to face each other. A plasma spray(301) is connected to a ground terminal of the chamber and is installed in a direction perpendicular to the first side power electrode, the second side power electrode, and the central ground electrode in the bottom of the chamber. The plasma spray sprays the plasma to the outside of the chamber. The lower ground electrode(300) is installed at the bottom side of the chamber.
Abstract translation: 提供具有扩展电源电极的大气压等离子体系统，以防止在大气压下由于微小拖缆和电弧引起的物体的表面损伤，并且通过使用一定量的蚀刻气体产生具有大面积和高密度的等离子体。 室（40）包括用于通过连接到外部气体供应单元来流入反应气体或气氛气体的气体入口（401）。 中心接地电极（100）作为两侧电极安装在腔室（400）的中心。 第一侧面电力电极（201）和第二侧面电力电极（202）以预定间隔安装在中心接地电极的两侧以彼此面对。 等离子体喷雾（301）连接到腔室的接地端子，并且安装在与腔室底部的第一侧面电源电极，第二侧面电源电极和中心接地电极垂直的方向上。 等离子体喷雾将等离子体喷射到室的外部。 下接地电极（300）安装在室的底侧。
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