公开(公告)号：DE102011053149C5

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102011053149

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HÖGLAUER JOSEF ,  HOSSEINI KHALIL ,  KAHLMANN FRANK ,  MEYER-BERG GEORG ,  OTREMBA RALF

IPC: H01L23/50 ,  H01L21/60

Abstract: Die-Anordnung, aufweisend:einen Die (101); undeine Metallisierungsschicht (102), die auf oder über der Vorderseite des Dies (101) angeordnet ist, wobei die Metallisierungsschicht (102) aus einem Kupfermaterial besteht, wobei zumindest ein Teil der Metallisierungsschicht (102) ein mittels Ätzens aufgerautes raues Oberflächenprofil aufweist, wobei der Teil mit dem rauen Oberflächenprofil aus Kupfermaterial besteht und einen Drahtbondbereich (104) aufweist; undeine Drahtbondstruktur (301), die an den Drahtbondbereich (104) der Metallisierungsschicht (102) gebondet ist, wobei die Drahtbondstruktur (301) aus einem anderen Kupfermaterial besteht mit einer geringeren Reinheit als das Kupfermaterial der Metallisierungsschicht (102) und eine Härte besitzt, die größer als die Härte der Metallisierungsschicht (102) ist.

公开(公告)号：DE102012105599B4

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102012105599

申请日：2012-06-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KALZ FRANZ-PETER ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED

IPC: C09J5/04 ,  H01L21/58 ,  H01L23/14

Abstract: Verfahren (100) zum Anbringen einer Metallfläche (202) an einem Träger (206), wobei das Verfahren (100) aufweist:Ausbilden (110) einer ersten Polymerschicht (204) über der Metallfläche (202);Ausbilden (120) einer zweiten Polymerschicht (208) über einer Fläche (222) des Trägers (206); undIn-physischen-Kontakt-Bringen der ersten Polymerschicht (204) mit der zweiten Polymerschicht (208), so dass zumindest eine von einer durchdringenden Polymerstruktur und einer sich verteilenden Polymerstruktur (214) von der ersten Polymerschicht (204) und der zweiten Polymerschicht (208) in einem Kontaktflächenbereich zwischen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht ausgebildet wird (130), wobei das In-physischen-Kontakt-Bringen derart erfolgt, dass die durchdringende Polymerstruktur und/oder sich verteilende Polymerstruktur (214) ein physikalisches Netzwerk von der ersten Polymerschicht in der zweiten Polymerschicht oder von der zweiten Polymerschicht in der ersten Polymerschicht aufweist, wobei das physikalische Netzwerk eine nicht-chemische Bindung von Molekülen der ersten Polymerschicht und der zweiten Polymerschicht aufweist.

公开(公告)号：DE102013104952B4

公开(公告)日：2020-09-03

申请号：DE102013104952

申请日：2013-05-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  TIMME HANS-JÖRG

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/04 ,  H01L25/07

Abstract: Halbleiterpackage, aufweisend:• einen vertikalen Halbleiterchip (20) mit einer ersten Hauptoberfläche (11) auf einer Seite des vertikalen Halbleiterchips (20) und einer zweiten Hauptoberfläche (12) auf einer gegenüberliegenden Seite des vertikalen Halbleiterchips (20), wobei die erste Hauptoberfläche (11) ein erstes Kontaktgebiet (110, 120) enthält und die zweite Hauptoberfläche (12) ein zweites Kontaktgebiet (130) enthält und wobei der vertikale Halbleiterchip (20) eingerichtet ist zum Regeln des Stromflusses von dem ersten Kontaktgebiet (110, 120) zu dem zweiten Kontaktgebiet (130) entlang einer Stromflussrichtung;• eine vorderseitige Metallisierungsschicht (100), die über dem ersten Kontaktgebiet (110, 120) angeordnet ist;• einen rückseitigen Leiter (320), der an dem zweiten Kontaktgebiet (130) der zweiten Hauptoberfläche (12) angeordnet ist; und• ein erstes Kapselungsmittel (50), in dem der vertikale Halbleiterchip (20) und der rückseitige Leiter (320) angeordnet sind, wobei das erste Kapselungsmittel (50) entlang von Seitenwänden, betrachtet bezüglich der Stromflussrichtung, des Halbleiterchips (20) angeordnet ist und wobei das erste Kapselungsmittel (50) einen ersten Teil von Seitenwänden des rückseitigen Leiter (320) bedeckt;• ein zweites Kapselungsmittel (450), das äußere Seitenwände des ersten Kapselungsmittels (50), die vorderseitige Metallisierungsschicht (100) und einen verbleibenden Teil der Seitenwände des rückseitigen Leiters (320) bedeckt, wobei das erste Kapselungsmittel (50) und das zweite Kapselungsmittel (450) selbst dann, wenn sie aus dem gleichen Material bestehen, eine unterschiedliche Grenzfläche aufweisen, weil sie in verschiedenen Prozessschritten ausgebildet werden; und• mehrere Kontaktpads (260, 270, 290), die in einer Hauptoberfläche des zweiten Kapselungsmittels (450) angeordnet sind, wobei die mehreren Kontaktpads ein erstes Kontaktpad (270, 290) umfassen, das durch eine in dem zweiten Kapselungsmittel (450) angeordnete Zwischenverbindung (280b, 280a) an das erste Kontaktgebiet (110, 120) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102013112636B4

公开(公告)日：2020-06-10

申请号：DE102013112636

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER-BERG GEORG

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  H01L21/784 ,  H01L23/28

Abstract: Integrierte Schaltung (302), die Folgendes aufweist:einen Chip (204), der eine erste Chipseite (206) und eine zweite Chipseite (208) gegenüber der ersten Chipseite (206) aufweist, wobei der Chip (204) mindestens eine Kontaktfläche (212) auf der zweiten Chipseite (208) aufweist;Verkapselungsmaterial (224), das den Chip (204) mindestens teilweise bedeckt,wobei das Verkapselungsmaterial (224) einen ersten Verkapselungsabschnitt (2241), der über der ersten Chipseite (206) aufgebracht ist, und einen zweiten Verkapselungsabschnitt (2242), der über der zweiten Chipseite (208) aufgebracht ist, aufweist; undmindestens ein Kontaktloch (236), das elektrisch leitfähiges Material aufweist,das die mindestens eine Kontaktfläche (212) kontaktiert und sich durch das Verkapselungsmaterial (224) und durch den Chip (204) zwischen der ersten Chipseite (206) und der zweiten Chipseite (208) erstreckt, wobei das mindestens eine Kontaktloch (236) eine einzelne durchgehende elektrisch leitfähige Struktur ist, die sich durch den Chip (204), den ersten Verkapselungsabschnitt (2241) undden zweiten Verkapselungsabschnitt (2242) erstreckt.

公开(公告)号：DE102017122865B3

公开(公告)日：2019-03-14

申请号：DE102017122865

申请日：2017-10-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ESCHER-POEPPEL IRMGARD ,  HOSSEINI KHALIL ,  LODERMEYER JOHANNES ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER THORSTEN ,  MEYER-BERG GEORG ,  NIKITIN IVAN ,  PUFALL REINHARD ,  RIEDL EDMUND ,  SCHMIDT KLAUS ,  SCHWARZ PATRICK ,  SCHNEEGANS MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L23/488 ,  H01L23/50

Abstract: Eine metallische Zwischenverbindung und eine Halbleiteranordnung, die sie enthält, wobei ein Verfahren zu ihrer Herstellen Folgendes enthalten kann: Bereitstellen einer ersten Struktur, die eine erste metallische Schicht enthält, die vorstehende erste Mikrostrukturen aufweist; Bereitstellen einer zweiten Struktur, die eine zweite metallische Schicht enthält, die vorstehende zweite Mikrostrukturen aufweist; Kontaktieren der ersten und zweiten Mikrostrukturen, um eine mechanische Verbindung zwischen den Strukturen zu bilden, wobei die mechanische Verbindung konfiguriert ist, die Durchdringung eines Fluids zu erlauben; Entfernen einer oder mehrerer nichtmetallischer Verbindungen auf der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht mit einem Reduktionsmittel, das die mechanische Verbindung durchdringt und mit der einen oder den mehreren nichtmetallischen Verbindungen reagiert; und Erwärmen der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht auf eine Temperatur, die eine Zwischendiffusion der ersten metallischen Schicht und der zweiten metallischen Schicht verursacht, um die metallische Zwischenverbindung zwischen den Strukturen zu bilden.

公开(公告)号：DE102012104304B4

公开(公告)日：2018-10-31

申请号：DE102012104304

申请日：2012-05-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/60 ,  C23C4/08 ,  C23C4/12 ,  H01L21/283 ,  H01L21/56 ,  H01L21/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zum Herstellen von Halbleiterchips, wobei das Verfahren umfasst:Bereitstellen eines Halbleiter-Wafers;Ausbilden einer Metallschicht auf dem Halbleiter-Wafer durch Plasmaabscheidung von bereits hergestellten Metallpartikeln auf dem Halbleiter-Wafer, wobei die Metallpartikel aus Kupfer und/oder Aluminium hergestellte Kerne und die Kerne umgebende Schalen umfassen, wobei die Schalen aus Silber, Gold, Palladium, Titan, Tantal und/oder Niob hergestellt sind; undZersägen des Halbleiter-Wafers, wodurch die Halbleiterchips getrennt werden.

公开(公告)号：DE102012105840B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102012105840

申请日：2012-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  THEUSS HORST

IPC: H01L21/58 ,  C23C14/12 ,  C23C24/04 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zum Befestigen einer Metallfläche an einen Träger, wobei das Verfahren folgendes aufweist:• Aufbringen einer porösen Schicht über der Metallfläche; und• Aufbringen eines Materials über einer Seite des Trägers; und• Inkontaktbringen des Materials mit der porösen Schicht mittels Zusammenführens der Metallfläche, auf welcher die poröse Schicht aufgebracht ist, und des Trägers, auf welchem das Material aufgebracht ist, wobei das Material in Poren der porösen Schicht eingebracht wird, so dass das Material eine Verbindung zwischen der Metallfläche und dem Träger bildet.

公开(公告)号：DE102014109981A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：DE102014109981

申请日：2014-07-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MEYER-BERG GEORG ,  MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL

IPC: H01L25/16 ,  H01F5/00 ,  H01L21/822 ,  H01L23/50

Abstract: Ein Chip-Package umfasst einen elektrisch leitenden Chipträger, einen Halbleiterchip, der am elektrisch leitenden Chipträger befestigt ist, eine Isolierlaminatstruktur, die den Chipträger, den darauf montierten mindestens einen Halbleiterchip und ein passives elektronisches Bauelement einbettet. Das passive elektronische Bauelement umfasst eine erste strukturierte elektrisch leitende Schicht, wobei sich die erste strukturierte elektrisch leitende Schicht über eine Oberfläche der Laminatstruktur erstreckt.

公开(公告)号：DE102014100278A1

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE102014100278

申请日：2014-01-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KALZ FRANZ-PETER ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/42

Abstract: Eine Chipanordnung (302) wird bereitgestellt, die einen Träger (304); einen ersten Chip (306), der elektrisch mit dem Träger (304) verbunden ist; eine über dem Träger (304) ausgebildete Keramikschicht (308); und einen über der Keramikschicht (308) ausgebildeten zweiten Chip (312) aufweist, worin die Keramikschicht (308) eine Porosität im Bereich von etwa 3% bis etwa 70% aufweist.

公开(公告)号：DE102013112636A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：DE102013112636

申请日：2013-11-15

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MAHLER JOACHIM ,  MEYER-BERG GEORG

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/58 ,  H01L21/784 ,  H01L23/28 ,  H01L23/488 ,  H01L25/04

Abstract: Es wird eine integrierte Schaltung (302) bereitgestellt, wobei die integrierte Schaltung (302) Folgendes beinhaltet: einen Chip (204), der eine erste Chipseite (206) und eine zweite Chipseite (208) gegenüber der ersten Chipseite (206) aufweist, wobei der Chip (204) mindestens eine Kontaktfläche (212) auf der zweiten Chipseite (207) aufweist; Verkapselungsmaterial (224), das den Chip (204) mindestens teilweise bedeckt; und mindestens ein Kontaktloch (236), das elektrisch leitfähiges Material aufweist, das die mindestens eine Kontaktfläche (212) kontaktiert und sich durch das Verkapselungsmaterial (224) und durch den Chip (204) zwischen der ersten Chipseite (206) und der zweiten Chipseite (208) erstreckt.