公开(公告)号：WO2017060160A1

公开(公告)日：2017-04-13

申请号：PCT/EP2016/073352

申请日：2016-09-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SINGER, Frank ,  VON MALM, Norwin ,  RÜGHEIMER, Tilman ,  KIPPES, Thomas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/042 ,  H01S5/02 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/0224 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/18162 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02228 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/0422 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341 ,  H01S2301/176

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet einen n-leitenden Bereich (23), einen p- leitenden Bereich (21) und eine dazwischen liegende aktive Zone (22). In einer Resonatorstrecke (3) wird eine Laserstrahlung erzeugt. Die Resonatorstrecke (3) ist parallel zur aktiven Zone (22) ausgerichtet. Ferner beinhaltet der Halbleiterlaser (1) einen elektrischen p-Kontakt (41) und einen elektrischen n-Kontakt (43), die sich je an dem zugehörigen Bereich (21, 23) der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden und die zur Einprägung von Strom direkt in dem zugehörigen Bereich (21, 23)eingerichtet sind. Der n-Kontakt (43) erstreckt sich von dem p-leitenden Bereich (21) her durch die aktive Zone (22) hindurch in den n-leitenden Bereich (23) und befindet sich, in Draufsicht gesehen, neben der Resonatorstrecke (3).

Abstract translation: 在半导体激光器（1）的一个实施例包括半导体层序列（2）。 半导体层序列（2）包括n型区域（23），p型区域（21）和中间有源区（22）。 在一个Resonatorstrecke（3）的激光辐射产生的。 所述Resonatorstrecke（3）平行于对准的有源区（22）。 此外，半导体激光器（1）包括电动p接触（41），并且根据相关联的部分的半导体层序列（2）位于的电正触点（43）（21，23）和用于施加电流的权利 在相应的区域（21，23）被布置。 从p型区域（21）延伸的n接触（43）通过所述有源区（22）进入n型区域（23）和位于，在俯视图，（3）旁边Resonatorstrecke ，

公开(公告)号：WO2017046000A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/EP2016/071215

申请日：2016-09-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MARTIN, Alexander ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/0079

Abstract: Es wird ein Bauelement angegeben, umfassend zumindest einen optoelektronischen Halbleiterchip (42) mit: einem Anschlusssubstrat (4) aufweisend eine Montagefläche (4a) und elektrische Kontaktstrukturen und - einer Vielzahl strukturierter Halbleitereinheiten (2), jeweils aufweisend eine Vielzahl von monolithisch zusammenhängenden Bildpunkten (21) mit jeweils einer aktiven Schicht, die im Betrieb Licht emittiert, wobei: - die Halbleitereinheiten (2) lateral beabstandet zueinander auf der Montagefläche (4a) angeordnet sind, ein Abstand (d) benachbarter Halbleitereinheiten (2) wenigstens 5 µm und höchstens 55 µm beträgt und die Bildpunkte (21) elektrisch getrennt ansteuerbar sind. Es wird auch ein Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements angegeben.

Abstract translation: 它是指定的部件，包括至少一个光电子半导体芯片（42），包括：包括安装面（4a）和电接触结构，以及一端子基板（4） - 有多个图案化的半导体单元（2）的每一个包括多个单片连续的像素的（21 ），每一个具有其在操作中发射光的有源层，其特征在于： - 所述半导体单元（2）彼此横向间隔开的安装表面（图4a）被布置成相邻的半导体器件（2）至少为5微米的距离（d），并且不超过55微米 是与像素（21）被控制电分离。 还提供了制造该装置的方法。

公开(公告)号：WO2016202794A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/EP2016/063622

申请日：2016-06-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin ,  SINGER, Frank

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/48

CPC classification number: H01L33/62 ,  G02B6/0073 ,  G02B6/0083 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/382 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: Es wird ein Bauelement (100)mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Träger aus einem Formkörper (5) sowie einer Metallschicht (4) gebildet ist. Die Metallschicht weist zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) auf, wobei der erste Teilbereich von dem zweiten Teilbereich durch einen Zwischenraum (40) lateral beabstandet und dadurch elektrisch getrennt ist. Der Formkörper füllt den Zwischenraum auf und weist eine sich in lateralen Richtungen erstreckende Oberfläche auf, welche frei von den Teilbereichen der Metallschicht ist und die Rückseite des Trägers bildet. Der Träger weist eine Seitenfläche (10) auf, die bereichsweise durch eine sich in vertikalen Richtungen erstreckende Oberfläche des Formkörpers gebildet ist, wobei zumindest einerder Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist. Des Weiteren wird ein Verfahren angegeben, das zur Herstellung eines solchen Bauelements besonders geeignet ist.

Abstract translation: 据上述（1）和，布置在所述半导体主体（2），与载体，其中所述载体是成型体（5）和金属层（4）的部件（100）形成在所述载体上。 所述金属层具有对所述半导体主体的上的第一部分（41）和第二部分（42）电接触，其中，从所述第二部分通过一间隙（40），所述第一部分横向地且由此电隔离开。 的成型体填充间隙和在横向方向上表面，该表面从所述金属层的部分自由并形成穿着者的背部已延伸。 该载体具有一个侧表面（10）在其上部分地由所述成型体的垂直方向上的表面，延伸其特征在于所述的至少一个部分（41，42）形成在侧表面电接触地形成。 此外，提供了其特别适合于制造这种组件的方法。

公开(公告)号：WO2016162430A1

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：PCT/EP2016/057637

申请日：2016-04-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/022408 ,  H01L33/54 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem in vertikaler Richtung auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Träger mindestens eine Metallschicht (3, 4, 5) zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers, eine nicht-metallische Formkörperschicht (90) und mindestens eine elektrisch isolierende Isolierungsschicht (92, 93) aufweist. In dem Träger sind innere Verankerungsstrukturen (6) gebildet, wobei mindestens zwei Schichten aus der Gruppe aus der Metallschicht, der Formkörperschicht und der Isolierungsschicht mittels der inneren Verankerungsstrukturen miteinander verankert sind. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements angegeben.

Abstract translation: 据上述（1），并且在载体上布置在竖直方向上的半导体主体（2），带有载体的部件（100），其中所述载体是至少一种金属层（3，4，5），用于在半导体本体的电接触，非 金属模体层（90）和至少一个电绝缘绝缘层（92，93）。 在载波内锚定结构（6）形成，其中，从所述组中的金属层，所述成型体层和所述绝缘层的至少两层由内锚定结构的装置固定到彼此。 此外，提供了一种用于制造器件的方法。

公开(公告)号：WO2016048694A1

公开(公告)日：2016-03-31

申请号：PCT/US2015/049891

申请日：2015-09-14

Applicant: OSRAM SYLVANIA INC. ,  OSRAM GMBH ,  OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KUNDALIYA, Darshan ,  FRISCHEISEN, Jörg ,  LENEF, Alan ,  SORG, Jörg-Erich ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/508 ,  H01L33/005 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0091

Abstract: There is herein described a patterned thin-film wavelength converter (100,200) which comprises a substrate (104) having a first patterned surface with a first pattern, and a thin film (106,206) deposited on the first patterned surface. The thin film consists of a wavelength converting material and has a second patterned surface that is distal from the substrate. The second patterned surface has a second pattern that is substantially the same as the first pattern of the substrate. An advantage of the patterned thin-film wavelength converter is that post-deposition processing is not required to produce a textured surface on the wavelength converting material. A method of making the patterned thin-film wavelength converter is also described.

Abstract translation: 这里描述了一种图案化的薄膜波长转换器（100,200），其包括具有第一图案的第一图案化表面的衬底（104）和沉积在第一图案化表面上的薄膜（106,206）。 薄膜由波长转换材料组成，并且具有远离基底的第二图案化表面。 第二图案化表面具有与基板的第一图案基本相同的第二图案。 图案化薄膜波长转换器的优点在于不需要后处理工艺来在波长转换材料上产生织构表面。 还描述了制造图案化薄膜波长转换器的方法。

公开(公告)号：WO2016030374A1

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：PCT/EP2015/069447

申请日：2015-08-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  VON MALM, Norwin ,  SCHULTEN, Dominik

IPC: G02F1/13357 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02B6/0073 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/13362 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2202/36

Abstract: Es wird eine optoelektronische Anordnung (1) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen Halbleiterchip (2) angegeben, wobei dem Halbleiterchip in Abstrahlungsrichtung (21) ein Strahlungskonversionselement (3) nachgeordnet ist. Das Strahlungskonversionselement weist eine Mehrzahl von Quantenstäbchen (4) mit jeweils einer Längserstreckungsachse (44) auf, wobeieine räumliche Ausrichtung der Längserstreckungsachsen eine Vorzugsrichtung (39) aufweist. Weiterhin wird eine Beleuchtungsvorrichtung (7) mit einer solchen optoelektronischen Anordnung angegeben.

Abstract translation: 有与用于产生半导体芯片（2）的辐射，其中，在发射方向（21）的半导体芯片，一个辐射转换元件（3）被布置下游的设置提供了一种光电器件（1）。 辐射转换元件具有（4）每个具有延伸的纵向轴线（44），其中，所述纵向延伸的空间取向轴具有优选方向（39）多个量子棒。 此外，照明装置（7）设置有这样的光电装置。

公开(公告)号：WO2015189285A1

公开(公告)日：2015-12-17

申请号：PCT/EP2015/062964

申请日：2015-06-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： CUI, Hailing ,  VON MALM, Norwin ,  GÖÖTZ, Britta ,  SCHULZ, Robert ,  SCHULTEN, Dominik

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/483 ,  H01L33/502 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0041

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Konversionselemente (10) angegeben, umfassend ein Bereitstellen eines Trägersubstrats (1), ein Einbringen eines Konvertermaterials (3) in ein Matrixmaterial (2), ein Aufbringen des Matrixmaterials (2) mit dem Konvertermaterial (3) auf einzelne Bereiche (8) des Trägersubstrats (1) in einem nicht zusammenhängenden Muster, ein Aufbringen eines Barrieresubstrats (5) auf das Matrixmaterial (2) und auf das Trägersubstrat (1), und ein Vereinzeln des Trägersubstrats (1) mit dem Matrixmaterial (2) und dem Barrieresubstrat (5) in mehrere Konversionselemente (10) entlang von Vereinzelungslinien (V), wobei die Konversionselemente (10) jeweils zumindest einen der Bereiche (8) des Matrixmaterials (2) umfassen.

Abstract translation: 公开了一种用于制造多个转换元件（10），包括提供载体基底（1），在基体材料（2）的导入的转换器材料（3）的，施加所述基质材料中的方法（2）与所述转换器材料（3） 在一个非连续的模式在载体基底（1），沉积阻挡基板（5）的基体材料（2）和所述载体基板（1），和所述载体基片（1）与所述基质材料的分离的各个区域（8）（2 ）和阻挡基板（5）（成多个转换元件10）沿切割线（V），其中，所述转换元件（10）的每一个包括所述区域中的至少一个（8）基体材料（2）。

公开(公告)号：WO2015024801A1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：PCT/EP2014/067098

申请日：2014-08-08

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GÖÖTZ, Britta ,  STOLL, Ion ,  VON MALM, Norwin

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/00 ,  C09K11/02 ,  C25D13/02 ,  C25D5/02

CPC classification number: H01L25/167 ,  C25D13/02 ,  C25D13/12 ,  C25D13/22 ,  H01L27/156 ,  H01L33/42 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0025 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/005 ,  H01L2924/00

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einem Pixelbereich (2), der mindestens zwei verschiedene Subpixelbereiche (3) aufweist, - Aufbringen einer elektrisch leitenden Schicht (18) auf die Strahlungsaustrittsfläche (9) zumindest eines Subpixelbereichs (3), wobei die elektrisch leitende Schicht (18) dazu geeignet ist, mit einem protischen Reaktionspartner zumindest teilweise ein Salz auszubilden, - Abscheiden einer Konversionsschicht (19, 19') auf der elektrisch leitenden Schicht (18) durch einen Elektrophoreseprozess.

Abstract translation: 公开的是用于制造光电子半导体芯片，包括以下步骤的方法： - 提供（1）的像素区域（2），其具有半导体主体上的至少两个不同的子像素（3）， - 在沉积导电层（18） 辐射出射表面（9）至少部分地形成至少一个Subpixelbereichs（3），其中，所述导电层（18）适于与质子反应配偶配合的盐， - 沉积所述导电层上的转换层（19，19“）（18 ）通过电泳过程。

公开(公告)号：WO2013135470A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/EP2013/053356

申请日：2013-02-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  LINKOV, Alexander ,  BLEICHER, Thomas ,  VON MALM, Norwin ,  MÖNCH, Wolfgang

IPC: F21K99/00 ,  G02F1/1335 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/44

CPC classification number: H01L33/58 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2105/00 ,  F21Y2115/10 ,  G02B6/0015 ,  G02B6/0018 ,  G02B6/0025 ,  G02F1/133603 ,  G02F1/133605 ,  G02F1/133606 ,  G02F1/133611 ,  G02F1/133615 ,  G02F2001/133607 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/644 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0091 ,  H01L2924/00

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Flächenlichtquelle (1) einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips (2) mit einer Strahlungshauptseite (20) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Ein Streukörper (3) ist entlang einer Hauptabstrahlrichtung (x) der Halbleiterchips (3) der Strahlungshauptseite (20) nachgeordnet. Der Streukörper (3) ist zu einer Streuung der Primärstrahlung (P) eingerichtet. Eine Hauptemissionsrichtung (y) des Streukörpers (3) ist schräg zur Hauptabstrahlrichtung (x) des Halbleiterchips (2) orientiert.

Abstract translation: 在至少一个实施例中，面光源（1）包括一个或多个光电半导体芯片（2）用辐射主侧（20），用于产生一个初级辐射（P）。 扩散器（3）沿着所述半导体芯片的主发射方向（x）的下游设置（3）的辐射主要侧（20）的。 到初级辐射（P）中的分散体的散射体（3）被布置。 扩散器（3）的主发射方向（y）是倾斜于主辐射方向（x）定向的半导体芯片（2）。

公开(公告)号：WO2013092004A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/072403

申请日：2012-11-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE, Patrick ,  HÖPPEL, Lutz ,  VON MALM, Norwin ,  ILLEK, Stefan ,  KIESLICH, Albrecht ,  HERRMANN, Siegfried

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L31/1876 ,  H01L33/005 ,  H01L33/36 ,  H01L33/382 ,  H01L2933/0016

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertiggestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.

Abstract translation: 本发明提供一种方法，用于在垂直方向上产生多个光电子半导体芯片（1），其特征在于，具有主面的层复合结构（10）（3），该层复合材料是有限的（10），以及与半导体层序列（2）与 提供用于产生和/或在活性区域检测的辐射（20）被提供，其中，在层状复合结构（10）包括从所述主平面延伸形成的多个凹部（31）（3）在有源区的方向（20） 扩展。 在主面（3）形成的平坦化层，使得所述凹部至少部分地填充有所述平坦化层（6）的材料。 所述平坦化层（6）的材料在所述平坦化层的单个水平至少部分地去除。 在半导体芯片（1）完成，其中，从所述半导体层序列（2）的至少一个半导体主体（200）的半导体芯片（1）是显而易见的。 此外，光电子半导体芯片被指定。