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公开(公告)号：CN102384922A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110246288.7
申请日：2011-08-25
Applicant: FEI公司
Inventor： U.吕肯 , F.J.P.舒尔曼斯 , C.S.库伊曼
IPC: G01N23/08
CPC classification number: H01J37/244 , H01J37/05 , H01J37/26 , H01J2237/05 , H01J2237/24455 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/2802 , H01J2237/2817
Abstract: 本发明涉及一种用于透射电子显微镜的检测器系统，其包括用于记录图样的第一检测器和用于记录所述图样特征的位置的第二检测器。第二检测器优选地是位置灵敏检测器，其提供可以被用作反馈以便稳定所述图样在第一检测器上的位置的精确且快速的位置信息。在一个实施例中，第一检测器检测电子能量损失电子谱，并且位于第一检测器后方并检测穿过第一检测器的电子的第二检测器检测零损失峰的位置并且调节电子路径，以便稳定所述谱在第一检测器上的位置。
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公开(公告)号：CN101238539B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200580051298.8
申请日：2005-06-06
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： R·拉思梅尔
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统(600)，具有靠近连续离子注入机的扫描或条带状离子束最后能量弯折定位的剂量杯(634)，以用于提供与工件或晶片的剂量相关联的精确离子流测量。该系统包括具有用于产生条带状离子束(602)的离子束源的离子注入机。该系统还包括角能量过滤器(AEF)系统，其配置成通过在最后能量弯折部弯折该离子束以过滤该条带状离子束的能量。该AEF系统还包括与该AEF系统相关联且配置成测量离子束流的AEF剂量杯，该剂量杯基本上紧接着在该最后能量弯折部之后定位。位于该AEF系统下游的终端站(610)由室定义，其中工件紧固在适当位置，以相对于该条带状离子束而移动，以将离子注入于该工件。该AEF剂量杯有利地置于该终端站的上游靠近该最后能量弯折部，从而减轻了由于在该工件上的注入操作造成的气体释出所产生的压力变化。因此，该系统可在这些气体在离子束里产生显著数量的中性粒子之前，提供精确的离子流测量，而通常无须压力补偿。这种剂量测量的测量结果也可用于在出现从该离子源的离子流变化以及从该工件的气体释出时影响该扫描速度，以确保均匀的闭环回路剂量控制。
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公开(公告)号：CN101777481A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910266872.1
申请日：2004-06-14
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J2237/057
Abstract: 披露一种用于离子束的磁性偏转器，所述磁性偏转器包含第一与第二线圈。分别将线圈定位于射束的上方与下方，并且沿着射束的宽度进行延伸。电流通过线圈，用以在其间产生沿着大体上射束整个宽度而大致垂直于射束行进方向的磁场。在本发明的另一个方面中，披露一种在注入工件之前用来偏转射束的方法。该方法包含判断与射束相关联的一个或者多个特性，并且基于判断而有所选择地致动磁性偏转模组与静电偏转模组中的一种。
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公开(公告)号：CN101563750A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043233.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/004 , H01J2237/028 , H01J2237/04756
Abstract: 公开一种用于改善离子植入的技术。在一特定例示性实施例中，可如下来实现所述技术，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；质量分析器，用于从离子束中的离子粒子中选择所要离子种类；离子减速器，经配置以减少离子束中的离子的能量；终端站，用于支撑将利用来自离子束的离子进行植入的至少一工件；以及中性粒子分离器，经配置以在离子束到达离子减速器之前从离子束中移除带中性电荷的粒子。
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公开(公告)号：CN101238539A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200580051298.8
申请日：2005-06-06
Applicant: 艾克塞利斯技术公司
Inventor： R·拉思梅尔
IPC: H01J37/317 , H01J37/147 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05
Abstract: 一种离子注入系统(600)，具有靠近连续离子注入机的扫描或条带状离子束最后能量弯折定位的剂量杯(634)，以用于提供与工件或晶片的剂量相关联的精确离子流测量。该系统包括具有用于产生条带状离子束(602)的离子束源的离子注入机。该系统还包括角能量过滤器(AEF)系统，其配置成通过在最后能量弯折部弯折该离子束以过滤该条带状离子束的能量。该AEF系统还包括与该AEF系统相关联且配置成测量离子束流的AEF剂量杯，该剂量杯基本上紧接着在该最后能量弯折部之后定位。位于该AEF系统下游的终端站(610)由室定义，其中工件紧固在适当位置，以相对于该条带状离子束而移动，以将离子注入于该工件。该AEF剂量杯有利地置于该终端站的上游靠近该最后能量弯折部，从而减轻了由于在该工件上的注入操作造成的气体释出所产生的压力变化。因此，该系统可在这些气体在离子束里产生显著数量的中性粒子之前，提供精确的离子流测量，而通常无须压力补偿。这种剂量测量的测量结果也可用于在出现从该离子源的离子流变化以及从该工件的气体释出时影响该扫描速度，以确保均匀的闭环回路剂量控制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101103432A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200580046588.3
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 唐纳·L·史麦特雷克 , 詹姆士·贝福 , 艾立克·赫尔曼森
IPC: H01J37/317 , H01J37/02
CPC classification number: H01J27/02 , H01J37/026 , H01J37/05 , H01J37/3171 , H01J2237/0041 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H05H7/08
Abstract: 本发明是用一或多个电子源，将电子(18)注入即将在磁铁的磁极片(130，132)之间传送的一离子束(122)。在本发明部分实施例中，该些电子源是位于磁铁的磁极片的其中之一或两者的凹穴(160)中。在本发明其他实施例中，无线电频率或微波等离子流枪是位于磁极片之间，或配置在磁极片的至少其中之一的凹穴中。
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公开(公告)号：CN1961400A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200580009834.8
申请日：2005-11-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/317 , H01L21/265 , H01J37/147
CPC classification number: H01L21/265 , H01J37/05 , H01J37/147 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/057 , H01J2237/30483
Abstract: 本发明的课题是提供能抑制离子束的发散、能进行精细的扫描波形的控制、可得到约10°的大的扫描角的离子注入装置。在离子注入装置中，作成了具备如下的离子束扫描机构(10A)的结构：在离子束线上的规定部位上配置第1、第2、第3室(12A、14A、16A)，第2室(14A)，相对于第1、第3室(12A、16A)间隔第1、第2间隙(20A、22A)配置，第2室(14A)经在第1、第2间隙(20A、22A)中安装了的第1、第2这2对电极对(26A、28A)与第1、第3室(12A、16A)电绝缘，而且，第1、第2这2对电极对(26A、28A)以规定的角度与离子束的基准轴J在相反的方向上倾斜地相交，并且施加所希望的扫描波形的电位的扫描电源(40A)与第2室(14A)连接。
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公开(公告)号：CN1820347A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200480019446.3
申请日：2004-05-26
Applicant: 成像科学仪器公司
Inventor： 泰伊·特拉维斯·格里布
IPC: H01J37/285 , G01N25/00
CPC classification number: H01J37/285 , B82Y15/00 , H01J37/05 , H01J37/10 , H01J2237/024 , H01J2237/0492 , H01J2237/053 , H01J2237/244
Abstract: 一种原子探针包括处于其本地电极以及其探测器之间的一个或多个中间电极，其中中间电极被充电到某个电势，使得它们过滤假离子并阻止它们到达探测器，和/或调节(聚焦)离子的飞行圆锥体以具有更窄或更宽的角度，从而调节原子探针所提供的图像的放大倍数和视场。优选配置在于同时提供过滤电极和聚焦电极，它们可相对于彼此活动并且可以套管式集成，以便某个范围的过滤和聚焦效应。
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公开(公告)号：CN1254844C
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN01808240.8
申请日：2001-12-27
Applicant: 石川岛播磨重工业株式会社
Inventor： 桑原一
IPC: H01J37/05 , H01J37/317 , H01J49/30 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J49/26 , H01J49/32
Abstract: 一种离子质量分离方法，其利用空芯励磁电流路(21)而在离子偏转箱的内部在宽度方向形成均匀强度的磁场，该离子偏转箱具有扇形侧面形状以形成一弯曲的空间，并且在一端具有入口部，在另一端具有出口部，该空芯励磁电流路(21)是以导体形式设置在具有弯曲形状的离子偏转箱的外部，所述导体具有经过入口部以及出口部延伸并且沿所述离子偏转箱的弯曲形状外侧在宽度方向螺旋状卷绕的结构，将离子束通过入口部的导体(20c)之间的间隙而导入空芯励磁电流路的内部，由于空芯励磁电流路的磁场的作用而使离子束根据离子的质量而弯曲，把所希望质量的离子束通过出口部的导体(20d)之间的间隙而取出，由此能够均匀地离子质量分离大口径的离子束。还提供一种离子质量分离装置和离子掺加装置。
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公开(公告)号：CN1084925C
公开(公告)日：2002-05-15
申请号：CN95119911.0
申请日：1995-10-26
Applicant: 西门子公司
Inventor： E·普赖斯
CPC classification number: H01J37/1477 , H01J35/02 , H01J37/05 , H01J49/288 , H01J49/48
Abstract: 本发明的对象是一个垂直于电子束轴线(OA)定向的产生EXB场的偏转单元(韦氏滤波器)，它只将强大的横向力作用到带正电的气体离子上，但并不影响电子的运动。这个致偏单元主要包括两个处于固定电位(V0)的管电极(RA，PE)，一个静电八极偏转器(ED)和两个环形包围着这个八极偏转器(ED)的马鞍形线圈对(SPI，SPA)。
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