기판 건조장치 및 기판 건조방법

    公开(公告)号:KR1019940017973A

    公开(公告)日:1994-07-27

    申请号:KR1019930029478

    申请日:1993-12-24

    Abstract: IPA증기를 웨이퍼에 접속시켜, 웨이퍼로부터 부착액을 제거하는 기판 건조장치로서, IPA를 저류하는 조와, 이 조내의 IPA를 공급하는 공급기구와, 조내의 IPA를 배출하는 배출기구와, 조내의 IPA내의 웨이퍼를 침적시키는 승강보트와, 조의 외부바닥면에 접촉가능하게 설치되고, 열 전달에 의하여, 조내의 IPA를 가열하는 가열블록과, IPA와 냉각수와의 사이에서 열교환하도록 조내의 설치되고, 배출되기 위한 IPA를 냉각수에 의하여 냉각하는 순행시스템을 가진다.

    액처리 장치 및 처리액 공급 방법
    4.
    发明授权
    액처리 장치 및 처리액 공급 방법 有权
    液体加工设备和工艺液体供应方法

    公开(公告)号:KR101348437B1

    公开(公告)日:2014-01-06

    申请号:KR1020080094029

    申请日:2008-09-25

    CPC classification number: H01L21/67023 B08B3/00 G01N27/10

    Abstract: 본 발명은 2종류 이상의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 신속하고 또 정확하게 약액의 농도를 측정할 수 있고, 또한, 비교적 옅은 농도의 약액을 함유하는 처리액의 농도를 측정할 때에 정확하게 약액의 농도를 측정하는 것을 과제로 한다.
    액처리 장치는, 처리액에 의해 피처리체를 처리하는 처리부(80)와, 처리부(80)에 연결되며, 상기 처리부(80)에 처리액을 안내하는 공급로(1)와, 공급로(1)에 용매를 공급하는 용매 공급부(7)와, 공급로(1)에 약액 공급로(6)를 통해 약액을 공급하고, 용매에 의해 희석된 약액을 생성하는 약액 공급부(5)를 포함한다. 공급로(1) 중 약액 공급로(6)가 연결된 연결 개소(25a, 35a, 45a)의 하류측에, 용매에 의해 희석된 약액의 도전율을 측정하는 측정부(10)가 설치된다. 공급로(1) 중 측정부(10)가 설치된 측정 개소(1Oa)의 하류측에, 추가 약액 공급로(3)를 통해 상기 약액과는 다른 추가 약액을 공급하는 추가 약액 공급부(11)가 연결된다.

    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
    6.
    发明公开
    기판 처리 장치 및 기판 처리 방법과 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 有权
    基板处理装置,基板处理方法及计算机可读存储介质

    公开(公告)号:KR1020110028534A

    公开(公告)日:2011-03-18

    申请号:KR1020117002762

    申请日:2006-06-16

    Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판을 세정, 건조시키기 위한 기판 처리 장치는 저류된 순수에 기판을 침지시켜 처리하는 액 처리부와, 액 처리부의 위쪽에 마련되어 기판을 건조시키는 건조 처리부와, 액 처리부와 건조 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 반송 장치와, 순수의 수증기 또는 미스트와 휘발성 유기 용제의 증기 또는 미스트로 이루어진 혼합 유체를 상기 건조 처리부에 공급하는 유체 공급 기구와, 혼합 유체의 공급을 제어하는 제어부를 포함한다.

    Abstract translation: 本发明是用于清洁和干燥基板的基板处理装置,例如一个半导体晶片,并通过浸渍在存储净的基板进行处理的液处理单元,干燥部,其得出的液体处理部的顶部干燥所述基材,所述液体处理和干燥 和处理部分之间的基板传送的基板传送装置,其中包括水蒸汽或雾和蒸气或纯流体供应的挥发性有机溶剂的雾的混合流体被供给到干燥部的装置和用于控制流体混合物的供给的控制部 它包括。

    액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
    7.
    发明公开
    액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체 有权
    液体处理装置,液体处理方法和记录介质

    公开(公告)号:KR1020090023076A

    公开(公告)日:2009-03-04

    申请号:KR1020080069152

    申请日:2008-07-16

    CPC classification number: H01L21/67051 H01L21/67028 H01L21/67034

    Abstract: A liquid treatment device, the liquid processing method and the storage media are provided to prevent the strain from being generated in the processed substrate by removing the alkali component within the casing of the liquid treatment device. The liquid treatment device comprises the casing(5), the substrate supporting device(20), the process liquid supply mechanism(30), the drainage cup(12) and drain tube(13). The substrate supporting device maintains the wafer(W). The process liquid supply mechanism comprises the first chemical supply tool and dry solution feed mechanism. The first chemical supply supplies the tool hydrofluoric acid based processing liquid. The dry solution feed mechanism supplies organic solvent for drying. The controller(50) supplies the hydrofluoric acid based processing liquid and controls the dry solution feed mechanism to supply the organic solvent.

    Abstract translation: 提供液体处理装置,液体处理方法和存储介质,以通过去除液体处理装置的壳体内的碱成分来防止在处理基板中产生应变。 液体处理装置包括壳体(5),基板支撑装置(20),处理液供给机构(30),排水杯(12)和排水管(13)。 基板支撑装置保持晶片(W)。 工艺液体供给机构包括第一化学品供给工具和干燥溶液进料机构。 第一种化学品供应工具为氢氟酸处理液。 干溶液进料机构提供有机溶剂进行干燥。 控制器(50)供应基于氢氟酸的处理液体并控制干溶液供给机构以供应有机溶剂。

    처리장치
    8.
    发明授权
    처리장치 失效
    治疗装置

    公开(公告)号:KR100505196B1

    公开(公告)日:2005-07-29

    申请号:KR1020000020609

    申请日:2000-04-19

    Abstract: 반도체웨이퍼의 처리장치에 있어서, 반도체웨이퍼(W)를 처리하는 처리액을 저류하는 약물처리탱크(21a∼21c)와, 반도체웨이퍼(W)를 린스처리하는 린스액을 저류하는 린스액처리탱크(22a∼22c)를, 웨이퍼유지반송체(5)의 반송방향에 대하여 교차, 예컨대 직교하는 방향으로 직렬로 배치하고, 약물처리탱크(21a∼21c)와 린스액처리탱크(22a∼22c)와 인접하는 위치에, 웨이퍼유지반송체(5)와의 사이에서 반도체웨이퍼(W)를 주고받음과 동시에, 건네받은 반도체웨이퍼(W)를 약물처리탱크(21a ∼21c)와 린스액처리탱크(22a∼22c)로 이송하고, 또한 각 처리탱크내에 수용하는 웨이퍼보트(14) 부착 이송장치를 배치한다. 이에 따라, 처리장치의 소형화를 도모할 수 있음과 동시에 처리효율의 향상을 도모할 수 있다.

    처리장치 및 처리방법
    9.
    发明公开
    처리장치 및 처리방법 有权
    处理设备和处理方法

    公开(公告)号:KR1020010020788A

    公开(公告)日:2001-03-15

    申请号:KR1020000022443

    申请日:2000-04-27

    Abstract: PURPOSE: Disclosed is a treating device and a treating method capable of preventing the generation of cross-contamination even if plural kinds of treating liquid are supplied to the same device. CONSTITUTION: The cleaning device(1) for applying cleaning processes to the wafer W in the order of SPM cleaning, rinse cleaning, SCI cleaning, rinse cleaning and drying treatment is provided with an outside cleaning chamber(2), an inside cleaning chamber(4) and an elevator structure(6) for taking in and out the inside cleaning chamber(4) into and from the outside cleaning chamber(2). The elevator structure(6) is switched to a state that the wafer W is housed in the inside cleaning chamber(4) when the SPM cleaning and the subsequent rinse cleaning are executed and is switched to a state that the wafer W is housed in the outside cleaning chamber(2) when the subsequent SCI cleaning and the final drying treatment are executed.

    Abstract translation: 目的:公开了一种即使将多种处理液供给到同一装置也能够防止交叉污染的产生的处理装置和处理方法。 构成:以SPM清洗,冲洗清洗,SCI清洗,冲洗清洗和干燥处理的顺序将清洗处理施加到晶片W的清洁装置(1)设置有外部清洁室(2),内部清洁室 4)和用于将内部清洁室(4)进出外部清洗室(2)的入口和出口的升降机结构(6)。 当执行SPM清洁和随后的冲洗清洁时,将电梯结构(6)切换到晶片W容纳在内部清洁室(4)中的状态,并切换到晶片W被容纳在 执行后续SCI清洁和最终干燥处理时的外部清洁室(2)。

    세정장치및세정방법
    10.
    发明公开
    세정장치및세정방법 失效
    清洁设备和清洁方法

    公开(公告)号:KR1019980025069A

    公开(公告)日:1998-07-06

    申请号:KR1019970049349

    申请日:1997-09-27

    Abstract: 건조처리의 경우에 약액처리에 의한 악영향을 받지 않고, 또한 건조실 자체의 두께를 얇게 할 수 있으며, 감압하기 위해 사용하는 진공펌프 등의 저출력화를 도모할 수 있는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 상하로 분리함과 동시에 건조실(42)의 공간과 세정조(41)의 공간을 회전문짝(59a) 및 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐가능하고, 세정조(41)에서의 세정처리를 회전문짝(59a)으로 차폐하며, 건조실(42)의 건조처리를 슬라이드문짝(72)으로 밀폐·차폐해서 행하도록 구성했다.

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