公开(公告)号：KR1020050047923A

公开(公告)日：2005-05-23

申请号：KR1020030081726

申请日：2003-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  학교법인연세대학교

Inventor： 최중선 ,  권용환 ,  윤일구

IPC: H01L31/105

Abstract: 암전류를 감소시킬 수 있는 메사형 광검출 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시킨다음, 상기 P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 pin층을 한정한다. 그후에, 상기 pin층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하고, 상기 폴리이미드막을 경화시킨다. 다음, 상기 화합물 기판 및 pin층 상부 각각에 오믹 전극을 형성한다.

公开(公告)号：KR100550011B1

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：KR1020030081726

申请日：2003-11-18

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  학교법인연세대학교

Inventor： 최중선 ,  권용환 ,  윤일구

IPC: H01L31/105

Abstract: 암전류를 감소시킬 수 있는 메사형 광검출 소자의 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명은 화합물 기판상에 N형의 클래딩층, 광흡수층 및 P형의 클래딩층을 순차적으로 성장시킨다음, 상기 P형의 클래딩층, 광흡수층 및 N형의 클래딩층을 소정 부분 패터닝하여 pin층을 한정한다. 그후에, 상기 pin층의 측벽 노출면에 폴리이미드막을 형성하고, 상기 폴리이미드막을 경화시킨다. 다음, 상기 화합물 기판 및 pin층 상부 각각에 오믹 전극을 형성한다.
광검출 소자, 암전류, 폴리이미드, 열처리.

公开(公告)号：KR102154336B1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：KR1020140002967

申请日：2014-01-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 안호균 ,  김해천 ,  김진식 ,  이상흥 ,  민병규 ,  윤형섭 ,  강동민 ,  김성일 ,  이종민 ,  임종원 ,  권용환 ,  남은수

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

公开(公告)号：KR1020170071074A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：KR1020150178966

申请日：2015-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김덕준 ,  고영호 ,  김동영 ,  한원석 ,  권용환 ,  김종회 ,  최병석

IPC: G02B6/293

CPC classification number: G02F1/2257 ,  G02F2001/212

Abstract: 마흐-젠더전기광학변조기의제조방법은능동영역및 수동영역을구비하는 III-V족화합물반도체기판상에 III-V족화합물반도체를포함하는진성반도체층을형성하는단계; 상기능동영역에대응하는진성반도체층에제1 불순물을도핑하여, 상기기판상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은코어층, 및상기코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된영역을포함하는상부클래드층을형성하는단계; 및상기코어층, 및상기상부클래드층을패터닝하는단계를포함할수 있다. 상기코어층은상기능동영역에배치되는능동코어층, 및상기수동영역에배치되는수동코어층을포함할수 있다. 상기상부클래드층은상기능동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑된능동상부클래드층, 및상기수동코어층상에배치되고상기제1 불순물이도핑되지않은수동상부클래드층을포함할수 있다. 상기능동상부클래드층및 상기수동상부클래드층은동일한두께를가질수 있다.

Abstract translation: 的制造方法的马赫 - 曾德尔电光调制器包括：形成包括具有有源区域和无源区域中的III-V族化合物半导体衬底上的III-V族化合物半导体的本征半导体层; 设置在所述基板上且未掺杂有所述第一杂质的核心层和布置在所述核心层上且掺杂有所述第一杂质的第二杂质区域; 形成包含上覆层的上覆层; 并且图案化芯层和上部包层。 芯层可以包括设置在有源区中的有源芯层和设置在无源区中的无源芯层。 上包覆层可以包括设置在有源芯层上并掺杂有第一杂质的有源上包覆层以及设置在无源芯层上并且不掺杂第一杂质的无源上包覆层。 有源上部包层和无源上部包层可以具有相同的厚度。

公开(公告)号：KR1020140094350A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：KR1020130007084

申请日：2013-01-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최중선 ,  윤천주 ,  김종회 ,  김덕준 ,  권용환 ,  최광성 ,  남은수

IPC: H04B10/07

CPC classification number: H04B10/0779

Abstract: The present invention relates to a measuring device and a method for measuring signal transmission time difference thereof. According to the present invention, the method for measuring signal transmission time difference includes the steps of: when a first optical line is inserted into a first passage and a second optical line is inserted into a second passage, receiving a first signal received through the first passage and the second passage; when the second optical line is inserted into the first passage and the first optical line is inserted into the second passage, receiving a second signal received through the first passage and the second passage; and measuring screw between the first optical line and the second optical line on the basis of the first signal and the second signal.

Abstract translation: 本发明涉及测量装置及其信号传输时差的测量方法。 根据本发明，用于测量信号传输时差的方法包括以下步骤：当将第一光线插入第一通道并将第二光线插入第二通道时，接收通过第一通道接收的第一信号 通道和第二通道; 当第二光线插入第一通道并且第一光线插入第二通道时，接收通过第一通道和第二通道接收的第二信号; 以及基于第一信号和第二信号测量第一光线和第二光线之间的螺丝。

公开(公告)号：KR101344027B1

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：KR1020100073374

申请日：2010-07-29

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  심재식 ,  오명숙 ,  김기수 ,  권용환 ,  남은수

IPC: G01J1/44 ,  H01L27/146

CPC classification number: G11C27/024

Abstract: 본발명은가이거모드로동작하는광검출기에관한것이다. 본발명의실시예에따른광검출기는, 아발란치포토다이오드, 상기아발란치포토다이오드의일단에바이어스전압을제공하는바이어스회로, 상기아발란치포토다이오드의타단에연결되며, 상기아발란치포토다이오드에발생하는광전류를검출하기위한검출회로, 그리고상기아발란치포토다이오드의일단또는타단에연결되며, 상기아발란치포토다이오드를가이거모드로구동하기위한커플링전압을제공하는커플링커패시터를포함한다.

公开(公告)号：KR101226956B1

公开(公告)日：2013-01-28

申请号：KR1020090101134

申请日：2009-10-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤천주 ,  권용환 ,  김종회 ,  최중선 ,  최광성 ,  허경우 ,  남은수

IPC: H04B10/2581 ,  H04B10/50 ,  H04B10/60

CPC classification number: H04L25/0226 ,  H04B10/532 ,  H04B10/548 ,  H04J14/06 ,  H04L27/2613

Abstract: 본 발명의 편광 다중 광 OFDM 송신기는, 송신 신호를 복수의 그룹들로 다중화하는 데이터 분리부, 상기 다중화된 그룹들 각각에 포함되어 있는 OFDM(Optical Orthogonal Frequency Division Multiplexing) 데이터 각각에 대해 복수의 훈련 심볼들을 할당하고, 각각의 훈련 심볼에 대해 주파수 영역에서 주기적으로 0의 데이터가 나타날 수 있도록 상기 각각의 훈련 심볼에 대해 시간 영역에서 반복적인 데이터를 할당하는 훈련신호 생성부, 그리고 상기 훈련신호 생성부의 출력에 대해 광주파수 대역 변환 및 편광 다중화를 수행하여, 복수의 편광 성분들에 대응되는 편광 다중 광 OFDM 신호를 출력하는 광상향 변환부 및 편광 다중화부를 포함한다.
편광 다중, 광 OFDM, 채널 추정, 동기화

公开(公告)号：KR1020120048258A

公开(公告)日：2012-05-15

申请号：KR1020100109803

申请日：2010-11-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최중선 ,  김덕준 ,  윤천주 ,  김종회 ,  최광성 ,  권용환 ,  남은수

IPC: G02B6/12

CPC classification number: G02B6/32 ,  G02B6/12 ,  G02B6/4214

Abstract: PURPOSE: An optical waveguide structure which includes an inclined mirror and a lens is provided to reduce a focal distance of an optical lens to 0.1mm or less, thereby forming an optical waveguide and an optical lens on the same plane. CONSTITUTION: An optical waveguide comprises a lower clad(201), a waveguide core(202), and a clad film(203). The waveguide core is formed on the lower clad. The clad film is formed on the waveguide core. An optical lens(205) is formed on the surface of the clad film. One terminal end of the optical waveguide forms an inclined surface.

Abstract translation: 目的：提供一种包括倾斜镜和透镜的光波导结构，以将光学透镜的焦距减小到0.1mm以下，从而在同一平面上形成光波导和光学透镜。 构成：光波导包括下包层（201），波导芯（202）和包层膜（203）。 波导芯形成在下包层上。 包层膜形成在波导芯上。 在包覆膜的表面上形成有光学透镜（205）。 光波导的一个终端形成倾斜表面。

公开(公告)号：KR1020100071693A

公开(公告)日：2010-06-29

申请号：KR1020080130496

申请日：2008-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재식 ,  권용환 ,  박미란 ,  민봉기 ,  오대곤 ,  남은수

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an avalanche photo diode is provided to suppress an edge breakdown by reducing the curvature of a junction interface without a guard ring. CONSTITUTION: A first conductive amplification layer(105) is formed on a first conductive substrate(101). A recess region including a first recess unit(113) and a second recess unit(117) is formed by etching the first conductive amplification layer. A second conductive diffusion layer(130) is formed by diffusing conductive diffusion materials to the first conductive amplification layer. A second conductive electrode(150) connected to the second conductive diffusion layer is formed on the first conductive amplification layer. A first conductive electrode(160) is formed on the rear of the first conductive substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造雪崩光电二极管的方法，通过降低没有保护环的接合界面的曲率来抑制边缘击穿。 构成：第一导电性放电层（105）形成在第一导电性基板（101）上。 通过蚀刻第一导电放大层形成包括第一凹部单元（113）和第二凹部单元（117）的凹部区域。 通过将导电扩散材料扩散到第一导电放大层来形成第二导电扩散层（130）。 连接到第二导电扩散层的第二导电电极（150）形成在第一导电放大层上。 第一导电电极（160）形成在第一导电基板的后部。

公开(公告)号：KR100737348B1

公开(公告)日：2007-07-09

申请号：KR1020040105699

申请日：2004-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 강영식 ,  김제하 ,  권용환 ,  정용덕

IPC: G02B6/12 ,  G02B26/00 ,  G02F1/025

CPC classification number: G02F1/01708 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/136

Abstract: 본 발명은 이중 도파로 구조의 전계흡수형 광 변조기에 관한 것으로, 제1 및 제2 광 도파로 사이에 2개의 광 모드 변환기를 함께 집적함으로써, 광섬유와 광 변조기 사이의 삽입 손실을 줄이며 높은 입력 광파워에서도 양호하게 동작할 수 있는 전계흡수형 광 변조기를 개시한다. 이러한 구성에 의하면, 광결합 손실을 줄이며 광갇힘인자(OCF)를 작게함으로써, 보다 큰 입력 광파워에서도 안정적 동작하는 전계흡수형 광 변조기를 제공할 수 있다.
이중 도파로, 양자우물, 광 모드 변환기, 광 변조기