公开(公告)号：WO2004027824A2

公开(公告)日：2004-04-01

申请号：PCT/US0329085

申请日：2003-09-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM ,  SCHUTZ RONALD J ,  ROBL WERNER ,  MALIK RAJEEV ,  CLEVENGER LARRY ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  CABRAL CYRIL JR ,  IGGULDEN ROY C ,  WANG YUN-YU ,  WONG KWONG HON ,  MCSTAY IRENE

Inventor： SCHUTZ RONALD J ,  ROBL WERNER ,  MALIK RAJEEV ,  CLEVENGER LARRY ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  CABRAL CYRIL JR ,  IGGULDEN ROY C ,  WANG YUN-YU ,  WONG KWONG HON ,  MCSTAY IRENE

IPC: H01L20060101 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L

CPC classification number: H01L21/7685 ,  H01L21/28052 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/51 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L2221/1078

Abstract: A conductive structure in an integrated circuit (12), and a method of forming the structure, is provided that includes a polysilicon layer (30), a thin layer containing titanium over the polysilicon, a tungsten nitride layer (34) over the titanium-containing layer and a tungsten layer over the tungsten nitride layer. The structure also includes a silicon nitride interfacial region (38) between the polysilicon layer and the titanium-containing layer. The structure withstands high-temperature processing without substantial formation of metal silicides in the polysilicon layer (30) and the tungsten layer (32), and provides low interface resistance between the tungsten layer and the polysilicon layer.

Abstract translation: 提供了集成电路（12）中的导电结构以及形成该结构的方法，该导电结构包括多晶硅层（30），在多晶硅上包含钛的薄层，在钛 - 氮化镓层上的氮化钨层（34） 在氮化钨层上形成含钨层和钨层。 该结构还包括在多晶硅层和含钛层之间的氮化硅界面区域（38）。 该结构耐受高温处理而在多晶硅层（30）和钨层（32）中基本上不形成金属硅化物，并且在钨层和多晶硅层之间提供低的界面电阻。

公开(公告)号：DE10244570A1

公开(公告)日：2003-04-30

申请号：DE10244570

申请日：2002-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： IGGULDEN ROY ,  ROBL WERNER ,  SHAFER PADRAIC ,  WONG KWONG HON

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/283 ,  H01L23/532

Abstract: The method of filling a damascene structure with liner and tungsten involves coating damascene structure by liner providing poor step coverage, depositing tungsten by chemical vapor deposition, and performing metal isolation process. The resulting damascene structure has improved resistance, resistance spread and favorable adhesion.

公开(公告)号：DE10244570B4

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：DE10244570

申请日：2002-09-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： IGGULDEN ROY ,  ROBL WERNER ,  SHAFER PADRAIC ,  WONG KWONG HON

IPC: H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: The method of filling a damascene structure with liner and tungsten involves coating damascene structure by liner providing poor step coverage, depositing tungsten by chemical vapor deposition, and performing metal isolation process. The resulting damascene structure has improved resistance, resistance spread and favorable adhesion.

公开(公告)号：DE10393309T5

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：DE10393309

申请日：2003-09-16

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CABRAL CYRIL JR ,  IGGULDEN ROY C ,  MCSTAY IRENE LENNOX ,  CLEVENGER LAWRENCE A ,  WANG YUN YU ,  WONG KEITH KWONG HON ,  ROBL WERNER ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  MALIK RAJEEV ,  SCHUTZ RONALD J

IPC: H01L20060101 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: A conductive structure in an integrated circuit ( 12 ), and a method of forming the structure, is provided that includes a polysilicon layer ( 30 ), a thin layer containing titanium over the polysilicon, a tungsten nitride layer ( 34 ) over the titanium-containing layer and a tungsten layer over the tungsten nitride layer. The structure also includes a silicon nitride interfacial region ( 38 ) between the polysilicon layer and the titanium-containing layer. The structure withstands high-temperature processing without substantial formation of metal silicides in the polysilicon layer ( 30 ) and the tungsten layer ( 32 ), and provides low interface resistance between the tungsten layer and the polysilicon layer.

公开(公告)号：AU2003273328A8

公开(公告)日：2004-04-08

申请号：AU2003273328

申请日：2003-09-16

Applicant: IBM ,  INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： CLEVENGER LARRY ,  GLUSCHENKOV OLEG ,  CABRAL CYRIL JR ,  IGGULDEN ROY C ,  WANG YUN-YU ,  WONG KWONG HON ,  MCSTAY IRENE ,  SCHUTZ RONALD J ,  ROBL WERNER ,  MALIK RAJEEV

IPC: H01L20060101 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/40 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: A conductive structure in an integrated circuit ( 12 ), and a method of forming the structure, is provided that includes a polysilicon layer ( 30 ), a thin layer containing titanium over the polysilicon, a tungsten nitride layer ( 34 ) over the titanium-containing layer and a tungsten layer over the tungsten nitride layer. The structure also includes a silicon nitride interfacial region ( 38 ) between the polysilicon layer and the titanium-containing layer. The structure withstands high-temperature processing without substantial formation of metal silicides in the polysilicon layer ( 30 ) and the tungsten layer ( 32 ), and provides low interface resistance between the tungsten layer and the polysilicon layer.

公开(公告)号：DE10330459A1

公开(公告)日：2004-02-26

申请号：DE10330459

申请日：2003-07-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： DZIOBKOWSKI CHESTER ,  GOEBEL THOMAS ,  HUGHES BRIAN ,  IGGULDEN ROY C ,  IWATAKE MICHAEL M ,  MIURA DONNA D ,  ROBL WERNER ,  SHAFER PADRAIC ,  WONG KWONG HON ,  STRANE JAY W

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/283

公开(公告)号：DE102004004790A1

公开(公告)日：2004-09-09

申请号：DE102004004790

申请日：2004-01-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： SHAFER PADRAIC ,  IGGULDEN ROY C ,  WONG KWONG HON ,  ROBL WERNER

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8246

公开(公告)号：DE102011053926B4

公开(公告)日：2018-07-12

申请号：DE102011053926

申请日：2011-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BARTH HANS-JOACHIM ,  BEER GOTTFRIED ,  PLAGMANN JÖRN ,  POHL JENS ,  ROBL WERNER ,  STEINER RAINER ,  VAUPEL MATHIAS

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiter-Struktur, wobei das Verfahren Folgendes umfasst:Bereitstellen eines Werkstücks (210), das eine Öffnung (310') mit Seitenwandoberflächen (310S) und einer unteren Oberfläche (310B) aufweist;Ausbilden einer Sperrschicht (410) über dem Werkstück (210);Ausbilden einer Keimschicht (420) über der Sperrschicht (410);Ausbilden einer Hemmschicht (430) über der Keimschicht (420) derart, dass die Hemmschicht (430) die Seitenwandoberflächen (310S) und die untere Oberfläche (310B) der Öffnung (310') bedeckt;Entfernen eines Abschnitts der Hemmschicht (430) von den Seitenwandoberflächen (310S) und der unteren Oberfläche (310B) der Öffnung (310'), um einen Abschnitt der Keimschicht (420) freizulegen; undselektives Ablagern einer Füllschicht (510) auf der freiliegenden Keimschicht (420),wobei das Entfernen des Abschnitts der Hemmschicht (430) Laser-Ablation umfasst.

公开(公告)号：DE102010000904B4

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102010000904

申请日：2010-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POEPPEL GERHARD ,  ROBL WERNER ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: H01L29/82 ,  B82Y25/00 ,  G11C15/02 ,  H01F10/32

Abstract: Spin-Bauelement (100; 100'; 100''), das folgende Merkmale aufweist: eine Zwischenhalbleiterregion (120), die zwischen einem ersten Anschluss (130) und einem zweiten Anschluss (140) angeordnet ist, wobei der erste Anschluss angepasst ist, um einen Strom mit einem ersten Grad einer Spin-Polarisation an die Zwischenhalbleiterregion zu liefern, wobei der zweite Anschluss angepasst ist, um den Strom nach Durchlaufen der Zwischenhalbleiterregion mit einem zweiten Grad einer Spin-Polarisation auszugeben; eine spinselektive Streustruktur (170), die an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzt, wobei die spinselektive Streustruktur derart angepasst ist, dass der erste Grad einer Spin-Polarisation zu dem zweiten Grad einer Spin-Polarisation verändert wird; und eine Steuerelektrode (190), die elektrisch von der Zwischenhalbleiterregion (120) isoliert und angepasst ist, um ein elektrisches Feld an die Zwischenhalbleiterregion (120) anzulegen, um einen Betrag des Stroms zu steuern, wobei das elektrische Feld eine Hauptfeldkomponente senkrecht zu einer Richtung des Stroms durch die Zwischenhalbleiterregion aufweist; wobei die spinselektive Streustruktur (170) eine ferromagnetische Schicht und eine isolierende Schicht aufweist, wobei die ferromagnetische Schicht auf der isolierenden Schicht gebildet ist, wobei die isolierende Schicht an die Zwischenhalbleiterregion (120) angrenzend gebildet ist; wobei die isolierende Schicht eine keilförmige Dicke aufweist.

公开(公告)号：DE102012102990A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：DE102012102990

申请日：2012-04-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ENGELHARDT MANFRED ,  FRANK MANFRED ,  KUNSTMANN THOMAS ,  NIKITIN IVAN ,  ROBL WERNER ,  RUHL GUENTHER ,  TIMME HANS-JOERG

IPC: C23C4/12 ,  H01L21/283 ,  H01L21/58

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers oder Dies bereitgestellt, wobei das Verfahren aufweist: Zuführen von Partikeln einem Plasma, so dass die Partikel durch das Plasma aktiviert werden und Spritzen der aktivierten Partikel auf ein Halbleiterwafer oder Die, so dass eine Partikelschicht auf dem Halbleiterwafer oder Die erzeugt wird.