DEFEKTDETEKTION UNTER VERWENDUNG VON STRUKTURINFORMATION

    公开(公告)号:DE112015004721T5

    公开(公告)日:2017-07-06

    申请号:DE112015004721

    申请日:2015-10-13

    Abstract: Systeme und Verfahren zur Detektion von Defekten auf einer Probe auf Grundlage von Strukturinformation werden bereitgestellt. Ein System beinhaltet ein oder mehrere Computersubsysteme, die dazu ausgebildet sind, die von einem Detektor eines Inspektionssubsystems in einem Array-Gebiet auf einer Probe erzeugte Ausgabe in zumindest erste und zweite Segmente der Ausgabe zu trennen, auf Grundlage eines Merkmals/von Merkmalen einer Struktur/von Strukturen in dem Array-Gebiet, so dass die Ausgabe in unterschiedlichen Segmenten an unterschiedlichen Positionen in dem Array-Gebiet erzeugt worden ist, in denen die Struktur(en), die unterschiedliche Werte des Merkmals/der Merkmale haben, ausgebildet sind. Das Computersubsystem/die Computersubsysteme sind auch dazu ausgebildet, Defekte auf der Probe zu detektieren, indem sie eine oder mehrere Defektdetektionsmethoden auf die Ausgabe anwenden, abhängig davon, ob sich die Ausgabe in dem ersten Segment oder dem zweiten Segment befindet.

    REPEATER DETECTION
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:SG11201700784QA

    公开(公告)日:2017-03-30

    申请号:SG11201700784Q

    申请日:2015-08-27

    Abstract: Systems and methods for detecting defects on a wafer are provided. One method includes generating test image(s) for at least a portion of an array region in die(s) on a wafer from frame image(s) generated by scanning the wafer with an inspection system. The method also includes generating a reference image for cell(s) in the array region from frame images generated by the scanning of the wafer. In addition, the method includes determining difference image(s) for at least one cell in the at least the portion of the array region in the die(s) by subtracting the reference image from portion(s) of the test image(s) corresponding to the at least one cell. The method further includes detecting defects on the wafer in the at least one cell based on the difference image(s).

    HIGH SENSITIVITY REPEATER DEFECT DETECTION

    公开(公告)号:SG11201903715XA

    公开(公告)日:2019-05-30

    申请号:SG11201903715X

    申请日:2017-11-08

    Abstract: INTERNATIONAL APPLICATION PUBLISHED UNDER THE PATENT COOPERATION TREATY (PCT) (19) World Intellectual Property 1#111011110111010101111101 11010011111111011110 HE 10111011111011110111111 Organization International Bureau (10) International Publication Number (43) International Publication Date .....0\"\" WO 2018/089459 Al 17 May 2018 (17.05.2018) WIPO I PCT (51) International Patent Classification: Santosh; 5540 Cooney Place, San Jose, California 95123 GO1N 21/95 (2006.01) GO1N 21/88 (2006.01) (US). SHIFRIN, Eugene; 463 Liquidambar Way, Sunny- vale, California 94086 (US). LEE, Hucheng; 1159 Kent- (21) International Application Number: wood Avenue, Cupertino, California 95014 (US). MUR- PCT/US2017/060589 RAY, Benjamin; 17261 NW LaPaloma Lane, Beaver- (22) International Filing Date: ton, California 97006 (US). MATHEW, Ashok; 34782 Si- 08 November 2017 (08.11.2017) ward Drive, Fremont, California 94539 (US). BHASKAR, (25) Filing Language: English Chetana; 1061 Queensbridge Court, San Jose, California 95120 (US). GAO, Lisheng; 21164 Toll Gate Road, Sarato- (26) Publication Language: English ga, California 95070 (US). (30) Priority Data: (74) Agent: MCANDREWS, Kevin et al.; KLA-Tencor Corp., 62/420,409 10 November 2016 (10.11.2016) US Legal Department, One Technology Drive, Milpitas, Cali- 62/443,810 09 January 2017 (09.01.2017) US fornia 95035 (US). 62/455,948 07 February 2017 (07.02.2017) US (81) Designated States (unless otherwise indicated, for every 15/804,980 06 November 2017 (06.11.2017) US kind of national protection available): AE, AG, AL, AM, (71) Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION [US/US]; AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, Legal Department, One Technology Drive, Milpitas, Cali- CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, fornia 95035 (US). DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, (72) Inventors: BRAUER, Bjorn; 16698 NW Tucson Street, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, _ Beaverton, Oregon 97006 (US). BHATTACHARYYA, = = (54) Title: HIGH SENSITIVITY REPEATER DEFECT DETECTION = — = Computer subsystem(s) 300 _ _ = = = — = 28 26 24 20 16 18 2 1 ill. '' •• 34 /-10 I A os % 32 = , No = 14 30 = 22 = = Fig. 1 ,-, .. 11 (57) : Systems and methods for detecting defects on a reticle are provided. One system includes computer subsystem(s) that CN include one or more image processing components that acquire images generated by an inspection subsystem for a wafer, a main 7 1. user interface component that provides information generated for the wafer and the reticle to a user and receives instructions from the C:N user, and an interface component that provides an interface between the one or more image processing components and the main user °O interface. Unlike currently used systems, the one or more image processing components are configured for performing repeater defect 0 ---. detection by applying a repeater defect detection algorithm to the images acquired by the one or more image processing components, *1 : and the repeater defect detection algorithm is configured to detect defects on the wafer using a hot threshold and to identify the defects 11 c;;;; ) that are repeater defects. N O [Continued on next page] WO 2018/089459 Al MIDEDIMOMOIDEIREEMOOMMEIMOHNOCHINVOIMIE MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW. (84) Designated States (unless otherwise indicated, for every kind of regional protection available): ARIPO (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW), Eurasian (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM), European (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR), OAPI (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG). Published: — with international search report (Art. 21(3))

    REPEATER DETECTION
    4.
    发明专利

    公开(公告)号:SG10201903148WA

    公开(公告)日:2019-05-30

    申请号:SG10201903148W

    申请日:2015-08-27

    Abstract: REPEATER DETECTION Systems and methods for detecting defects on a wafer are provided. One method includes generating test image(s) for at least a portion of an array region in die(s) on a wafer from frame image(s) generated by scanning the wafer with an inspection system. The method also includes generating a reference image for cell(s) in the an - ay region from frame images generated by the scanning of the wafer. In addition, the method includes determining difference image(s) for at least one cell in the at least the portion of the array region in the die(s) by subtracting the reference image from portion(s) of the test image(s) corresponding to the at least one cell. The method further includes detecting defects on the wafer in the at least one cell based on the difference image(s). (Figure ) 38

    DEFECT DETECTION USING STRUCTURAL INFORMATION

    公开(公告)号:SG11201702725WA

    公开(公告)日:2017-04-27

    申请号:SG11201702725W

    申请日:2015-10-13

    Abstract: Systems and methods for detecting defects on a specimen based on structural information are provided. One system includes one or more computer subsystems configured for separating the output generated by a detector of an inspection subsystem in an array area on a specimen into at least first and second segments of the output based on characteristic(s) of structure(s) in the array area such that the output in different segments has been generated in different locations in the array area in which the structure(s) having different values of the characteristic(s) are formed. The computer subsystem(s) are also configured for detecting defects on the specimen by applying one or more defect detection methods to the output based on whether the output is in the first segment or the second segment.

    Verfahren und Vorrichtung zum Aufrechterhalten und Erzeugen eines Plasmas

    公开(公告)号:DE112010000850B4

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:DE112010000850

    申请日:2010-02-12

    Abstract: Verfahren zur Aufrechterhaltung eines Plasmas, wobei das Verfahren die Schritte umfasst: • dass eine erste Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung in ein Gas innerhalb eines Volumens fokussiert wird, wobei die erste Wellenlänge durch eine erste Gasart absorbiert wird und die Energie in einem ersten Bereich des Plasmas mit einer ersten Größe und einer ersten Temperatur abgegeben wird und • dass eine zweite Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung in den ersten Bereich des Plasmas fokussiert wird, wobei die zweite Wellenlänge sich von der ersten Wellenlänge unterscheidet und durch eine zweite Gasart, aber nicht durch die erste Gasart, absorbiert wird und dabei Energie in einen zweiten Bereich des Plasmas innerhalb des ersten Bereichs des Plasmas abgibt, und wobei der zweite Bereich des Plasmas eine zweite Größe besitzt, die kleiner ist als die erste Größe und eine zweite Temperatur besitzt, die größer ist als die erste Temperatur.

    Verfahren und Vorrichtung zum Aufrechterhalten und Erzeugen eines Plasmas

    公开(公告)号:DE112010000850T5

    公开(公告)日:2012-05-24

    申请号:DE112010000850

    申请日:2010-02-12

    Abstract: Ein Verfahren zum Aufrechterhalten eines Plasmas ist offenbart, wobei eine erste Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung in ein Gas innerhalb eines Volumens fokussiert wird. Die erste Wellenlänge wird im Wesentlichen durch eine erste Gasart absorbiert und liefert somit Energie in einen ersten Bereich des Plasmas, der eine erste Größe und eine erste Temperatur besitzt. Eine zweite Wellenlänge einer elektromagnetischen Strahlung wird in den ersten Bereich des Plasmas fokussiert, wobei die zweite Wellenlänge sich von der ersten Wellenlänge unterscheidet und im Wesentlichen von einer zweiten Gasart absorbiert wird und Energie in einem zweiten Bereich des Plasmas innerhalb des ersten Bereichs des Plasmas liefert. Der zweite Bereich des Plasmas besitzt eine zweite Größe, die kleiner ist als die erste Größe und eine zweite Temperatur, die größer ist als die erste Temperatur.

    SYSTEM AND METHOD FOR ENHANCED DEFECT DETECTION WITH A DIGITAL MATCHED FILTER

    公开(公告)号:SG11201703564PA

    公开(公告)日:2017-05-30

    申请号:SG11201703564P

    申请日:2015-11-11

    Abstract: Enhanced defect detection of a sample includes acquiring two or more inspection images from a sample from two or more locations of the sample for a first optical mode. The defect detection also generates an aggregated defect profile based on the two or more inspection images from the two or more locations for the first optical mode for a selected defect type and calculating one or more noise correlation characteristics of the two or more inspection images acquired from the two or more locations for the first optical mode. Defect detection further includes the generation of a matched filter for the first optical mode based on the generated aggregated defect profile and the calculated one or more noise correlation characteristics.

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